ZHCSTL4D October   2023  – January 2026 MSPM0C1103 , MSPM0C1104

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
    3. 6.3 信号说明
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源时序
      1. 7.6.1 POR 和 BOR
      2. 7.6.2 电源斜坡
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规范
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 ADC
      1. 7.11.1 电气特性
      2. 7.11.2 开关特性
      3. 7.11.3 线性参数
      4. 7.11.4 典型连接图
    12. 7.12 温度传感器
    13. 7.13 VREF
      1. 7.13.1 电压特性
      2. 7.13.2 电气特性
    14. 7.14 I2C
      1. 7.14.1 I2C 特性
      2. 7.14.2 I2C 滤波器
      3. 7.14.3 I2C 时序图
    15. 7.15 SPI
      1. 7.15.1 SPI
      2. 7.15.2 SPI 时序图
    16. 7.16 UART
    17. 7.17 TIMx
    18. 7.18 窗口看门狗特性
    19. 7.19 仿真和调试
      1. 7.19.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  工作模式
      1. 8.2.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0C110x)
    3. 8.3  电源管理单元 (PMU)
    4. 8.4  时钟模块 (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  事件
    7. 8.7  内存
      1. 8.7.1 内存组织
      2. 8.7.2 外设文件映射
      3. 8.7.3 外设中断向量
    8. 8.8  闪存存储器
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度传感器
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 CRC
    16. 8.16 UART
    17. 8.17 SPI
    18. 8.18 I2C
    19. 8.19 WWDT
    20. 8.20 计时器 (TIMx)
    21. 8.21 器件模拟连接
    22. 8.22 输入/输出图
    23. 8.23 串行线调试接口
    24. 8.24 器件出厂常量
    25. 8.25 标识
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件命名规则
    2. 10.2 工具与软件
    3. 10.3 文档支持
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

7.7 闪存特性

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源
VDDPGM/ERASE 编程及擦除电源电压 1.62 3.6 V
IDDERASE 擦除操作期间从 VDD 获得的电源电流 电源电流差值 2 mA
IDDPGM 编程操作期间从 VDD 获得的电源电流 电源电流差值 2.5 mA
耐久性
NWEC(LOWER) 擦除/编程周期耐久性   100 k 个周期
NE(MAX) 发生故障前的总擦除操作 (1) 802 K 擦除操作
NW(MAX) 在扇区擦除之前每个字线的写入操作 (1) 83 写入操作
保持
tRET_85 闪存存储器数据保留 -40°C <= Tj <= 85°C 60 年
tRET_105 闪存存储器数据保留 -40°C <= Tj <= 105°C 11.4 年
tRET_130 闪存存储器数据保留  -40°C <= Tj <= 130°C 2.4 年
编程和擦除时序
tPROG (WORD, 64) 闪存字的编程时间 (2) 40 µs
tPROG (SEC, 64) 1kB 扇区的编程时间 5.1 ms
tERASE (SEC) 扇区擦除时间 <10k 个擦除/编程周期 20 200 ms
tERASE (BANK) 组擦除时间 <10k 个擦除/编程周期 22 220 ms
(1) 必须擦除字线之前、每个字线允许的最大写入操作数。如果需要对同一个字线执行额外的写入操作，则一旦达到每个字线的最大写入操作数，就需要执行扇区擦除。
(2) 扇区编程时间定义为从第一个字编程命令被触发到最后一个字编程命令完成并且在闪存控制器中设置中断标志所需的时间。  该时间包括在扇区编程期间软件将每个闪存字（在第一个闪存字之后）加载到闪存控制器所需的时间。