ZHCSRX8A October 2024 – December 2024 TPS7N53
PRODUCTION DATA
该器件架构具有高度准确的高精度、低噪声电流基准,后跟先进的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 误差放大器(在 VOUT ≥ 0.5V、10kHz 时噪声密度为 6nV/√Hz)。与上一代 LDO 不同,该器件的单位增益配置可在整个输出电压范围内提供低噪声。通过并联放置多个 TPS7N53 LDO,还可进一步降低噪声并增大输出电流。