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ZHCSQO1F June 2022 – January 2025 LM5177

PRODUCTION DATA

8.2.2.11 MOSFET QH2 和 QL2

输出侧 MOSFET QH2 (Q3) 和 QL2 (Q4) 会看到 16V 的输出电压以及开关期间 SW2 上出现的额外瞬态尖峰。因此，QH2 和 QL2 的额定电压必须为 25V 或更高。MOSFET 的栅极平坦电压必须小于转换器的最小输入电压，否则，MOSFET 在启动或过载情况下可能无法完全增强。

降压运行模式下 QH2 中的功率损耗根据以下公式进行近似计算：

方程式 35.

P_{COND (QH 2)} = {I_{OUT}}^{2} \times R_{DS, On (QH 2)}

升压运行模式下 QL2 中的功率损耗由导通损耗和开关损耗两个分量组成，二者分别通过方程式 36 和方程式 37 得出：

方程式 36.

P_{COND (QL 2)} = (1 - \frac{V_{IN}}{V_{OUT}}) \times {(I_{OUT} \times \frac{V_{OUT}}{V_{IN}})}^{2} \times R_{DS, On (QL 2)}

方程式 37.

P_{SW (QL 2)} = \frac{1}{2} \times V_{OUT} \times (I_{OUT} \times \frac{V_{OUT}}{V_{IN}}) \times (t_{r} + t_{f}) \times f_{SW}

上升 (t_r) 和下降 (t_f) 时间可以基于 MOSFET 数据表信息或在实验室中进行测量。通常，R_DSON 较小（导通损耗较小）的 MOSFET 具有较长的上升和下降时间（开关损耗较大）。

升压运行模式下 QH2 中的功率损耗如方程式 38 所示：

方程式 38.

P_{C O N D (Q H 2)} = \frac{V_{I N}}{V_{O U T}} \times {(I_{O U T} \times \frac{V_{O U T}}{V_{I N}})}^{2} \times R_{D S, O n (Q H 2)}