ZHCSQO1F June   2022  – January 2025 LM5177

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 处理额定值
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 栅极驱动器上升时间和下降时间
    2. 6.2 栅极驱动器死区（转换）时间
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  上电复位（POR 系统）
      2. 7.3.2  降压/升压控制方案
        1. 7.3.2.1 升压模式
        2. 7.3.2.2 降压模式
        3. 7.3.2.3 降压/升压模式
      3. 7.3.3  节能模式
      4. 7.3.4  电源电压选择 – VMAX 开关
      5. 7.3.5  使能和欠压锁定
      6. 7.3.6  振荡器频率选择
      7. 7.3.7  频率同步
      8. 7.3.8  电压调节环路
      9. 7.3.9  输出电压跟踪
      10. 7.3.10 斜率补偿
      11. 7.3.11 可配置软启动
      12. 7.3.12 峰值电流传感器
      13. 7.3.13 电流监控和电流限制控制环路
      14. 7.3.14 短路 - 断续保护
      15. 7.3.15 nFLT 引脚和保护
      16. 7.3.16 器件配置引脚
      17. 7.3.17 双随机展频 - DRSS
      18. 7.3.18 栅极驱动器
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1  使用 WEBENCH 工具创建定制设计方案
        2. 8.2.2.2  频率
        3. 8.2.2.3  反馈分压器
        4. 8.2.2.4  电感器和电流检测电阻器选型
        5. 8.2.2.5  斜率补偿
        6. 8.2.2.6  输出电容器
        7. 8.2.2.7  输入电容器
        8. 8.2.2.8  UVLO 分压器
        9. 8.2.2.9  软启动电容器
        10. 8.2.2.10 MOSFET QH1 和 QL1
        11. 8.2.2.11 MOSFET QH2 和 QL2
        12. 8.2.2.12 频率补偿
        13. 8.2.2.13 外部元件选型
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
      1. 10.1.1 功率级布局
      2. 10.1.2 栅极驱动器布局
      3. 10.1.3 控制器布局
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
      2. 11.1.2 开发支持
        1. 11.1.2.1 使用 WEBENCH 工具创建定制设计方案
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

10.1.1 功率级布局

输入电容器、输出电容器和 MOSFET 是降压/升压稳压器功率级的构成元件，并通常放在 PCB 的顶面上。在利用任何系统级空气流动时，可以尽可能发挥对流热传递的优势。在双面 PCB 布局中，小信号元件通常放置在底部。至少插入一个内部平面并接地以实现屏蔽，并使小信号走线与嘈杂的电源走线分离开。

直流/直流稳压器具有多个高电流环路。尽可能地减小这些环路的面积，以抑制产生的开关噪声并优化开关性能。

  • 要尽可能缩小的最重要环路区域是以下两个路径：一个路径从输入电容器到降压高侧和低侧 MOSFET，再返回输入电容器的接地连接；另一个路径从输出电容器到升压高侧和低侧 MOSFET 并返回到输出电容器的接地连接。将电容器的负极端子连接到低侧 MOSFET（接地端）的源极附近。同样，将一个或多个电容器的正极端子连接到两个环路高侧 MOSFET 的漏极附近。
  • 除了遵循上述建议外，还应遵循 MOSFET 制造商建议的任何 MOSFET 布局注意事项，包括焊盘几何形状和焊锡膏模版设计。