ZHCSNY0C May   2020  – June 2026 BQ25798

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  器件上电复位
      2. 7.3.2  PROG 引脚配置
      3. 7.3.3  无输入源时通过电池实现器件上电
      4. 7.3.4  通过输入源实现器件上电
        1. 7.3.4.1 为 REGN LDO 上电
        2. 7.3.4.2 不良源鉴定
        3. 7.3.4.3 ILIM_HIZ 引脚
        4. 7.3.4.4 默认 VINDPM 设置
        5. 7.3.4.5 输入源类型检测
          1. 7.3.4.5.1 D+/D– 检测设置输入电流限制
          2. 7.3.4.5.2 HVDCP 检测过程
          3. 7.3.4.5.3 连接器故障检测
      5. 7.3.5  双输入电源多路复用器
        1. 7.3.5.1 ACDRV 开启条件
        2. 7.3.5.2 仅 VBUS 输入
        3. 7.3.5.3 单 ACFET-RBFET
        4. 7.3.5.4 双 ACFET-RBFET
      6. 7.3.6  降压/升压转换器运行
        1. 7.3.6.1 强制输入电流限制检测
        2. 7.3.6.2 输入电流优化器 (ICO)
        3. 7.3.6.3 用于小型 PV 电池板的最大功率点跟踪
        4. 7.3.6.4 脉冲频率调制 (PFM)
        5. 7.3.6.5 器件高阻态状态
      7. 7.3.7  USB On-The-Go (OTG)
        1. 7.3.7.1 为外部器件供电的 OTG 模式
        2. 7.3.7.2 备用电源模式
        3. 7.3.7.3 使用双输入多路复用器的备用模式
      8. 7.3.8  电源路径管理
        1. 7.3.8.1 窄 VDC 架构
        2. 7.3.8.2 动态电源管理
      9. 7.3.9  电池充电管理
        1. 7.3.9.1 自主充电周期
        2. 7.3.9.2 电池充电曲线
        3. 7.3.9.3 充电终止
        4. 7.3.9.4 充电安全计时器
        5. 7.3.9.5 热敏电阻认证
          1. 7.3.9.5.1 充电模式下的 JEITA 指南合规性
          2. 7.3.9.5.2 OTG 模式下的冷/热温度窗口
      10. 7.3.10 用于监测的集成 16 位 ADC
      11. 7.3.11 状态输出（STAT 和 INT）
        1. 7.3.11.1 充电状态指示灯（STAT 引脚）
        2. 7.3.11.2 主机中断 (INT)
      12. 7.3.12 运输 FET 控制
        1. 7.3.12.1 关断模式
        2. 7.3.12.2 运输模式
        3. 7.3.12.3 系统电源复位
      13. 7.3.13 保护功能
        1. 7.3.13.1 电压和电流监测
          1. 7.3.13.1.1  VAC 过压保护 (VAC_OVP)
          2. 7.3.13.1.2  VBUS 过压保护 (VBUS_OVP)
          3. 7.3.13.1.3  VBUS 欠压保护 (POORSRC)
          4. 7.3.13.1.4  系统过压保护 (VSYS_OVP)
          5. 7.3.13.1.5  系统短路保护 (VSYS_SHORT)
          6. 7.3.13.1.6  电池过压保护 (VBAT_OVP)
          7. 7.3.13.1.7  电池过流保护 (IBAT_OCP)
          8. 7.3.13.1.8  输入过流保护 (IBUS_OCP)
          9. 7.3.13.1.9  OTG 过压保护 (OTG_OVP)
          10. 7.3.13.1.10 OTG 欠压保护 (OTG_UVP)
        2. 7.3.13.2 热调节和热关断
      14. 7.3.14 串行接口
        1. 7.3.14.1 数据有效性
        2. 7.3.14.2 启动条件和停止条件
        3. 7.3.14.3 字节格式
        4. 7.3.14.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 7.3.14.5 目标地址和数据方向位
        6. 7.3.14.6 单独写入和读取
        7. 7.3.14.7 多个写入和多个读取
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 主机模式和默认模式
      2. 7.4.2 复位寄存器位
    5. 7.5 寄存器映射
      1. 7.5.1 I2C 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 PV 电池板选择
        2. 8.2.2.2 电感器选型
        3. 8.2.2.3 输入 (VBUS/PMID) 电容器
        4. 8.2.2.4 输出 (VSYS) 电容器
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

6.5 电气特性

典型值在 VVBUS_UVLOZ < VVBUS < VVBUS_OVP、TJ = -40°C 至 +125°C 以及 TJ = 25°C 条件下测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
静态电流
IQ_BAT_ON 当充电器处于仅电池模式、启用 FET、禁用 ADC 时的静态电池电流（BATP、BAT、SYS） VBAT = 8V，无 VBUS，启用 BATFET，启用 I2C，禁用 ADC，未处于运输模式或关断模式，系统由电池供电。TJ < 85°C 17 24 µA
IQ_BAT_OFF 充电器处于运输模式时的静态电池电流 (BATP)。 VBAT = 8V，无 VBUS，启用 I2C，禁用 ADC，处于运输模式，TJ < 85°C 11 16 µA
ISD_BAT 充电器处于关断模式时的关断电池电流 (BATP)。 VBAT = 8V，无 VBUS，禁用 I2C，禁用 ADC，处于关断模式，TJ < 85°C 0.5 0.7 µA
IQ_BAT_ON 当充电器处于仅电池模式、启用 FET、启用 ADC 时的静态电池电流（BATP、BAT、SYS） VBAT = 8V，无 VBUS，启用 I2C，启用 ADC，未处于运输模式或关断模式，TJ < 85°C 540 µA
IQ_VBUS 静态输入电流 (VBUS) VBUS = 15V，VBAT = 8V，禁用充电，转换器开关，ISYS = 0A，禁用 OOA 3 mA
VBUS = 15V，VBAT = 8V，充电禁用，转换器开关，ISYS = 0A，OOA 启用 5 mA
ISD_VBUS 高阻态下的关断输入电流 (VBUS) VBUS = 15V，高阻态模式，无电池，禁用 ADC，禁用 ACDRV 386 µA
VBUS = 15V，高阻态模式，无电池，禁用 ADC，启用 ACDRV 590 µA
IQ_OTG OTG 下的静态电池电流（BATP、BAT、SYS） VBAT = 8V，VBUS = 5V，启用 OTG 模式，转换器开关，IVBUS = 0A，禁用 OOA 3 mA
VBAT = 8V，VBUS = 5V，启用 OTG 模式，转换器开关，IVBUS = 0A，启用 OOA 5 mA
VBUS/VBAT 电源
VVAC_PRESENT 用于导通 ACFET-RBFET 的 VAC 存在上升阈值 同时适用于 VAC1 和 VAC2 3.4 3.5 V
用于关断 ACFET-RBFET 的 VAC 存在下降阈值 同时适用于 VAC1 和 VAC2 3.1 3.2 V
VVAC_OVP VAC 过压上升阈值，当 VAC_OVP[1:0] = 00 时 同时适用于 VAC1 和 VAC2 25.2 26 26.8 V
VAC 过压下降阈值，当 VAC_OVP[1:0] = 00 时 同时适用于 VAC1 和 VAC2 24.4 25.2 26.0 V
VAC 过压上升阈值，当 VAC_OVP[1:0] = 01 时 同时适用于 VAC1 和 VAC2 17.4 18.0 18.6 V
VAC 过压下降阈值，当 VAC_OVP[1:0] = 01 时 同时适用于 VAC1 和 VAC2 16.9 17.5 18.1 V
VAC 过压上升阈值，当 VAC_OVP[1:0] = 10 时 同时适用于 VAC1 和 VAC2 11.6 12 12.4 V
VAC 过压下降阈值，当 VAC_OVP[1:0] = 10 时 同时适用于 VAC1 和 VAC2 11.2 11.6 12.0 V
VAC 过压上升阈值，当 VAC_OVP[1:0] = 11 时 同时适用于 VAC1 和 VAC2 6.7 7 7.3 V
VAC 过压下降阈值，当 VAC_OVP[1:0] = 11 时 同时适用于 VAC1 和 VAC2 6.5 6.8 7.1 V
VVBUS_OP VBUS 工作范围 3.6 24 V
VVBUS_UVLOZ VBUS 上升用于有源 I2C，无电池 VBUS 上升 3.25 3.4 3.55 V
VVBUS_UVLO VBUS 下降以关闭 I2C，无电池 VBUS 下降 3.05 3.2 3.35 V
VVBUS_PRESENT 启动开关的 VBUS VBUS 上升 3.3 3.4 3.5 V
VVBUS_PRESENTZ 停止开关的 VBUS VBUS 下降 3.1 3.2 3.3 V
VVBUS_OVP VBUS 过压上升阈值 VBUS 上升 25.2 25.7 26.2 V
VVBUS_OVPZ VBUS 过压下降阈值 VBUS 下降 24.0 24.4 24.8 V
IBUS_OCP IBUS 过流上升阈值 7.0 8.0 9.0 A
IBUS_OCPZ IBUS 过流下降阈值 6.5 7.5 8.5 A
VBAT_UVLOZ 启用 I2C、无 VBUS、无 VAC 时的 BAT 电压 VBAT 上升，已安装运输 FET (SFET) 3.25 3.40 3.55 V
VBAT 上升，未安装运输 FET (SFET) 2.50 2.60 2.71 V
VBAT_UVLO 关闭 I2C、无 VBUS、无 VAC 时的 BAT 电压 VBAT 下降，已安装运输 FET (SFET) 3.05 3.20 3.31 V
VBAT 下降，未安装运输 FET (SFET) 2.30 2.40 2.50 V
VBAT_OTG 启用 OTG 模式的电池电压上升阈值 VBAT 上升 2.7 2.8 2.9 V
VBAT_OTGZ 禁用 OTG 模式的电池电压下降阈值 VBAT 下降 2.4 2.5 2.6 V
VPOORSRC 适配器不良检测阈值 VBUS 下降 3.3 3.4 3.5 V
VPOORSRC 适配器不良检测阈值迟滞 VBUS 上升高于 VPOORSRC 150 200 250 mV
IPOORSRC 适配器不良检测电流源 7 12 20 mA
RVBUS_PD VBUS 下拉电阻 6 kΩ
RVAC_PD VAC 下拉电阻 同时适用于 VAC1 和 VAC2 60 Ω
VVINDPM_MPPT 由 MPPT 算法设置的 VINDPM  VOC_PCT = 000  (0.5625)，VOC = 18.0V 10.125 V
VOC_PCT = 001  (0.625)，VOC = 18.0V 11.25 V
VOC_PCT = 010  (0.6875)，VOC = 18.0V 12.375 V
VOC_PCT = 011  (0.75)，VOC = 18.0V 13.5 V
VOC_PCT = 100  (0.8125)，VOC = 18.0V 14.625 V
VOC_PCT = 101  (0.875)，VOC = 18.0V 15.75 V
VOC_PCT = 110  (0.9375)，VOC = 18.0V 16.875 V
VOC_PCT = 111  (1.0)，VOC = 18.0V 18.0 V
电源路径管理
VSYSMAX_REG_RNG 系统电压调节范围，在 SYS 上测量 3.2 19 V
VSYSMAX_REG_ACC 系统电压调节精度（当 VBAT> VSYSMIN，禁用充电、禁用 PFM 时） VBAT = 16.8V（默认为 4s） 16.82 17.00 17.25 V
VBAT = 12.6V（默认为 3s） 12.62 12.80 13.04 V
VBAT = 8.4V（默认为 2s） 8.44 8.60 8.77 V
VBAT = 4.2V（默认为 1s） 4.268 4.40 4.550 V
VSYSMIN_REG_RNG VSYSMIN 调节范围，在 SYS 上测量 2.5 16 V
VSYSMIN_REG_STEP VSYSMIN 调节步长 250 mV
VSYSMIN_REG_ACC 系统电压调节精度（当 VBAT< VSYSMIN 时） 4s 电池 11.9 12.2 12.75 V
3s 电池 9.0 9.2 9.55 V
2s 电池 7.12 7.2 7.52 V
1s 电池 3.5 3.7 4.1 V
VSYS_OVP VSYS 过压上升阈值 以系统调节电压的百分比表示，达到将关闭转换器。 105.5 110.0 112.3 %
VSYS 过压下降阈值 以系统调节电压的百分比表示，达到将重新启用转换器。 95.5 100 102 %
VSYS_SHORT VSYS 短路电压下降阈值 2.1 2.2 2.3 V
电池充电器
VREG_RANGE 典型充电电压调节范围 3 18.8 V
VREG_STEP 典型充电电压步长 10 mV
VREG_ACC 充电电压精度，TJ = –40°C - 85°C VREG = 16.8V -0.65 0.55 %
VREG = 12.6V -0.85 0.65 %
VREG = 8.4V -0.25 0.65 %
VREG = 4.2V -0.45 0.95 %
ICHG_RANGE 典型充电电流调节范围 0.05 5 A
ICHG_STEP 典型充电电流调节步长 10 mA
ICHG_ACC 典型升压模式 PWM 充电电流精度，VBUS < VBAT，TJ = –40°C - 85°C ICHG = 2.5A；VBAT=8V -3 7 %
ICHG = 2A；VBAT = 8V -2 8 %
ICHG = 1.5A；VBAT = 8V 0 10 %
ICHG = 1A；VBAT = 8V -2 8 %
ICHG = 0.5A；VBAT = 8V -7.5 7.5 %
ICHG_ACC 典型降压模式 PWM 充电电流精度，VBUS > VBAT，TJ = –40°C - 85°C ICHG = 2A；VBAT = 8V -6.5 3.5 %
ICHG = 1A；VBAT = 8V -5 5 %
ICHG = 0.5A；VBAT = 8V -7.5 7.5 %
IPRECHG_RANGE 典型预充电电流范围 40 2000 mA
IPRECHG_STEP 典型预充电电流步长 40 mA
IPRECHG_ACC 当 VBATP 低于 VBAT_LOWV，VBUS < VBAT，TJ = –40°C - 85°C 时的典型 LDO 模式充电电流精度 IPRECHG = 480mA，VBAT = 6.5V -8 8 %
IPRECHG = 200mA，VBAT = 6.5V -20 20 %
IPRECHG = 120mA，VBAT = 6.5V -35 35 %
IPRECHG_ACC 当 VBATP 低于 VBAT_LOWV，VBUS > VBAT，TJ = –40°C - 85°C 时的典型 LDO 模式充电电流精度 IPRECHG = 1000mA，VBAT = 6.5V -4.5 3.5 %
IPRECHG = 480mA，VBAT = 6.5V -8 8 %
IPRECHG = 200mA，VBAT = 6.5V -20 20 %
IPRECHG = 120mA，VBAT = 6.5V -30 30 %
ITERM_RANGE 典型终止电流范围 40 1000 mA
ITERM_STEP 典型终止电流阶跃 40 mA
ITERM_ACC 终止电流精度，TJ = –40°C - 85°C；禁用 PFM ITERM = 120mA，ICHG < 1,000mA -20 20 %
ITERM = 480mA，ICHG > 1,000mA -14 14 %
VBAT_SHORTZ 开始预充电的电池短路电压上升阈值 VBAT 上升 2.25 V
VBAT_SHORT 停止预充电的电池短路电压下降阈值 VBAT 下降 2.06 V
IBAT_SHORT 电池短路涓流充电电流 VBAT < VBAT_SHORTZ 100 mA
VBAT_LOWV_RISE 开始快速充电的电池电压上升阈值，以 VREG 的百分比表示 VBAT_LOWV_1:0 = 00 13 15 17 %
VBAT_LOWV_1:0 = 01 61.5 63.0 64.5 %
VBAT_LOWV_1:0 = 10 67.0 68.0 69.0 %
VBAT_LOWV_1:0 = 11 71.0 72.5 74.0 %
VBAT_LOWV_HYS 在下降沿停止快速充电的电池电压阈值磁滞 VBAT 下降（以 VREG 的百分比表示），VBAT_LOWV_1:0 = 11 1.4 %
VRECHG 电池充电阈值 VBAT 下降，VRECHG = 0011，VREG = 8.4V 200 mV
VBAT 下降，VRECHG = 0111，VREG = 16.8V 400 mV
IBAT_LOAD 电池放电负载电流 30 mA
ISYS_LOAD 系统放电负载电流 30 mA
RBATP BATP 输入电阻 2.5 MΩ
BATFET
RBATFET 从 SYS 到 BAT 的 MOSFET 导通电阻 11 mΩ
电池保护
VBAT_OVP 电池过压阈值 VBAT 上升，以 VREG 的百分比表示 103 104 105 %
VBAT 下降，以 VREG 的百分比表示 101 102 103 %
VBAT_SHORT 电池短路电压 VBAT 下降，用于将充电电流钳制为涓流充电电流。 2.06 V
VBAT 上升，用于释放涓流充电电流钳位 2.25 V
IBAT_OCP 电池放电过流上升阈值 9.3 A
输入电压/电流调节
VINDPM_RANGE 典型输入电压调节范围 3.6 22 V
VINDPM_STEP 典型输入电压调节步长 100 mV
VINDPM_ACC 输入电压调节精度 VINDPM=18.6V -2 2 %
VINDPM=10.6V -3 3 %
VINDPM=4.3V -5 5 %
IINDPM_RANGE 典型输入电流调节范围 0.1 3.3 A
IINDPM_STEP 典型输入电流调节步长 10 mA
IINDPM_ACC 输入电流调节精度 IINDPM = 500mA，VBUS = 9V，TJ > -20°C 415 460 500 mA
IINDPM = 1,000mA，VBUS = 9V，TJ > -20°C 880 940 1000 mA
IINDPM = 2,000mA，VBUS = 9V，TJ > -20°C 1800 1880 1960 mA
IINDPM = 3,000mA，VBUS = 9V，TJ > -20°C 2720 2820 2920 mA
VILIM_REG_RNG ILIM_HIZ 引脚上的输入电流调节的电压范围 1 4 V
ILEAK_ILIM ILIM_HIZ 引脚漏电流 VILIM_HIZ = 4V -1.5 1.5 µA
D+/D- 检测
VD+ _600MVSRC D+ 电压源 (600mV) 500 600 700 mV
ID+_10UASRC D+ 电流源 (10µA) VD+ = 200mV， 7 10 14 µA
ID+_100UASNK D+ 灌电流 (100µA) VD+ = 500mV， 50 90 150 µA
VD+_0P325 用于次级检测的 D+ 比较器阈值 D+ 引脚上升 250 400 mV
VD+_0P8 用于数据接触检测的 D+ 比较器阈值 D+ 引脚上升 775 850 925 mV
ID+_LKG 流入 D+ 的漏电流 HIZ 模式 -1 1 µA
VD-_600MVSRC D- 电压源 (600mV) 500 600 700 mV
ID-_100UASNK D- 灌电流 (100µA) VD- = 500mV， 50 90 150 µA
VD-_0P325 D - 用于初级检测的比较器阈值 D- 引脚上升 250 400 mV
ID-_LKG 流入 D- 的漏电流 HIZ 模式 -1 1 µA
RD-_19K D- 接地电阻 (19kΩ) VD- = 500mV 14.25 24.8 kΩ
VD+ _2p8 用于非标准适配器的 D+ 比较器阈值 （组合了 VD+_2p8_hi 和 VD+_2p8_lo） 2.55 2.85 V
VD- _2p8 用于非标准适配器的 D- 比较器阈值 （组合了 VD-_2p8_hi 和 VD-_2p8_lo） 2.55 2.85 V
VD+ _2p0 用于非标准适配器的 D+ 比较器阈值 （组合了 VD+_2p0_hi 和 VD+_2p0_lo） 1.85 2.15 V
VD- _2p0 用于非标准适配器的 D- 比较器阈值 （组合了 VD-_2p0_hi 和 VD-_2p0_lo） 1.85 2.15 V
VD+ _1p2 用于非标准适配器的 D+ 比较器阈值 （组合了 VD+_1p2_hi 和 VD+_1p2_lo） 1.05 1.35 V
VD- _1p2 用于非标准适配器的 D- 比较器阈值 （组合了 VD-_1p2_hi 和 VD-_1p2_lo） 1.05 1.35 V
热调节和热关断
TREG 结温调节精度 TREG = 120°C 120 °C
TREG = 100°C 100 °C
TREG = 80°C 80 °C
TREG = 60°C 60 °C
TSHUT 热关断上升阈值 温度升高 (TSHUT[1:0] = 00) 150 °C
温度升高 (TSHUT[1:0] = 01) 130 °C
温度升高 (TSHUT[1:0] = 10) 120 °C
温度升高 (TSHUT[1:0] = 11) 85 °C
TSHUT_HYS 热关断下降磁滞 温度下降 TSHUT_HYS 30 °C
JEITA 热敏电阻比较器（充电模式）
VT1_RISE T1 比较器上升阈值。高于该电压时暂停充电。 以 REGN 的百分比表示（0°C，带 103AT） 72.4 73.3 74.2 %
VT1_FALL T1 比较器下降阈值。低于该电压时重新启用充电。 以 REGN 的百分比表示（3°C，带 103AT） 71.5 72 72.5 %
VT2_RISE T2 比较器上升阈值。 以 REGN 的百分比表示，JEITA_T2 = 5°C（带 103AT） 70.6 71.1 71.6 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T2 = 10°C（带 103AT） 67.9 68.4 68.9 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T2 = 15°C（带 103AT） 65.0 65.5 66.0 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T2 = 20°C（带 103AT） 61.9 62.4 62.9 %
VT2_FALL T2 比较器下降阈值。 以 REGN 的百分比表示，JEITA_T2 = 5°C（带 103AT） 69.3 69.8 70.3 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T2 = 10°C（带 103AT） 66.6 67.1 67.6 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T2 = 15°C（带 103AT） 63.7 64.2 64.7 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T2 = 20°C（带 103AT） 60.6 61.1 61.6 %
VT3_RISE T3 比较器上升阈值。 以 REGN 的百分比表示，JEITA_T3 = 40°C（带 103AT） 49.2 49.7 50.2 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T3 = 45°C（带 103AT） 45.6 46.1 46.6 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T3 = 50°C（带 103AT） 42.0 42.5 43.0 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T3 = 55°C（带 103AT） 38.5 39 39.5 %
VT3_FALL T3 比较器下降阈值。 以 REGN 的百分比表示，JEITA_T3 = 40°C（带 103AT） 47.9 48.4 48.9 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T3 = 45°C（带 103AT） 44.3 44.8 45.3 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T3 = 50°C（带 103AT） 40.7 41.2 41.7 %
以 REGN 的百分比表示，JEITA_T3 = 55°C（带 103AT） 37.2 37.7 38.2 %
VT5_FALL T5 比较器下降阈值。低于该电压时暂停充电。 以 REGN 的百分比表示（60°C，带 103AT） 33.7 34.2 34.7 %
VT5_RISE T5 比较器上升阈值。高于该电压时重新启用充电。 以 REGN 的百分比表示（58°C，带 103AT） 35 35.5 36 %
冷/热热敏电阻比较器（OTG 模式）
VBCOLD_RISE TCOLD 比较器上升阈值。 以 REGN 的百分比表示（–20°C，带 103AT） 79.5 80.0 80.5 %
以 REGN 的百分比表示（–10°C，带 103AT） 76.6 77.1 77.6 %
VBCOLD_FALL TCOLD 比较器下降阈值。 以 REGN 的百分比表示（–20°C，带 103AT） 78.2 78.7 79.2 %
以 REGN 的百分比表示（–10°C，带 103AT） 75.3 75.8 76.3 %
VBHOT_FALL THOT 比较器下降阈值。 以 REGN 的百分比表示（55°C，带 103AT） 37.2 37.7 38.2 %
以 REGN 的百分比表示（60°C，带 103AT） 33.9 34.4 34.9 %
以 REGN 的百分比表示（65°C，带 103AT） 30.8 31.3 31.8 %
VBHOT_RISE THOT 比较器上升阈值。 以 REGN 的百分比表示（55°C，带 103AT） 38.8 39.3 39.8 %
以 REGN 的百分比表示（60°C，带 103AT） 35.2 35.7 36.2 %
以 REGN 的百分比表示（65°C，带 103AT） 32.0 32.5 33.0 %
开关转换器
FSW PWM 开关频率 振荡器频率 1.5 MHz
750 kHz
检测电阻和 MOSFET RDSON
RSNS VBUS 至 PMID 输入检测电阻 Tj = -40°C-85°C（典型值低于 25°C） 8 mΩ
RQ1_ON PMID 和 SW1 之间的降压高侧开关 MOSFET 导通电阻 Tj = -40°C-85°C（典型值低于 25°C） 24 mΩ
RQ2_ON SW1 和 PGND 之间的降压低侧开关 MOSFET 导通电阻 Tj = -40°C-85°C（典型值低于 25°C） 35 mΩ
RQ3_ON SW2 和 PGND 之间的升压低侧开关 MOSFET 导通电阻 Tj = -40°C-85°C（典型值低于 25°C） 28 mΩ
RQ4_ON SW2 和 SYS 之间的升压高侧开关 MOSFET 导通电阻 Tj = -40°C-85°C（典型值低于 25°C） 17 mΩ
OTG 模式转换器
VOTG_RANGE 典型 OTG 模式电压调节范围 2.8 22 V
VOTG_STEP 典型 OTG 模式电压调节步长 10 mV
VOTG_ACC OTG 模式电压调节精度 IVBUS = 0A，VOTG = 20V -3.5 3 %
IVBUS = 0A，VOTG = 12V -3.5 3 %
IVBUS = 0A，VOTG = 5V -3.5 3 %
IOTG_RANGE 典型 OTG 模式电流调节范围 0.12 3.32 A
IOTG_STEP 典型 OTG 模式电流调节步长 40 mA
IOTG_ACC OTG 模式电流调节精度 VBUS = 9V，IOTG = 3.0A -2.2 2.2 %
VBUS = 9V，IOTG = 1.52A -5 3 %
VBUS = 9V，IOTG = 0.52A -15 8 %
VOTG_UVP OTG 模式欠压下降阈值 2.1 2.2 2.3 V
VOTG_OVP OTG 模式过压上升阈值 以 VOTG 调节的百分比表示，禁用 OTG 模式 OOA。 104 113 120 %
OTG 模式过压下降阈值 占 VOTG 调节的百分比 90 98 104 %
VVBUS_BACKUP 触发备用电源模式的下降阈值，定义为 VINDPM 的比率。当 VBUS 低于此阈值时，充电器转到 OTG 模式以防止 VBUS 电压下降。 VVBUS_BACKUP = 40% * VINDPM，VINDPM = 12V。 37 43 %
VVBUS_BACKUP = 60% * VINDPM，VINDPM = 12V。 54 65 %
VVBUS_BACKUP = 80% * VINDPM，VINDPM = 12V。 77 82 %
VVBUS_BACKUP = 100% * VINDPM，VINDPM = 12V。 97 102 %
IOTG_BAT OTG 模式下的电池电流调节 IBAT_REG_1:0 = 00，VBAT = 8V，VOTG = 9V 2.8 3 3.2 A
IBAT_REG_1:0 = 01，VBAT = 8V，VOTG = 9V 3.8 4 4.2 A
IBAT_REG_1:0 = 10，VBAT = 8V，VOTG = 9V 4.8 5 5.3 A
REGN LDO
VREGN REGN LDO 输出电压 VVBUS = 5V，IREGN = 20mA 4.6 4.8 5 V
VVBUS = 15V，IREGN = 20mA 4.8 5 5.2 V
IREGN REGN LDO 电流限制 VVBUS = 5V，VREGN = 4.5V 30 mA
I2C 接口（SCL、SDA）
VIH_SDA 输入高阈值电平，SDA 上拉电源轨 1.8V 1.3 V
VIL_SDA 输入低阈值电平 上拉电源轨 1.8V 0.4 V
VOL_SDA 输出低阈值电平 灌电流 = 5mA 0.4 V
IBIAS_SDA 高电平漏电流 上拉电源轨 1.8V 1 µA
VIH_SCL 输入高阈值电平，SDA 上拉电源轨 1.8V 1.3 V
VIL_SCL 输入低阈值电平 上拉电源轨 1.8V 0.4 V
IBIAS_SCL 高电平漏电流 上拉电源轨 1.8V 1 µA
逻辑输入引脚（CE、ILIM_HIZ、QON）
VIH_CE 输入高阈值电平，CE 1.3 V
VIL_CE 输入低阈值电平，CE 0.4 V
IIN_BIAS_CE 高电平漏电流，CE 上拉电源轨 1.8V 1 µA
VIH_QON 输入高阈值电平，QON 1.3 V
VIL_QON 输入低阈值电平，QON 0.4 V
VQON 内部 QON 上拉 在内部上拉 QON 3.2 V
RQON 内部 QON 上拉电阻 200 kΩ
VIH_ILIM_HIZ 输入高阈值电平，ILIM_HIZ 1 V
VIL_ILIM_HIZ 输入低阈值电平，ILIM_HIZ 0.75 V
逻辑输出引脚（INT、STAT）
VOL_INT 输出低阈值电平，INT 灌电流 = 5mA 0.4 V
IOUT_BIAS_INT 高电平漏电流，INT 上拉电源轨 1.8V 1 µA
VOL_STAT 输出低阈值电平，STAT 灌电流 = 5mA 0.4 V
IOUT_BIAS_STAT 高电平漏电流，STAT 上拉电源轨 1.8V 1 µA
ADC 测量精度和性能
tADC_CONV 转换时间，每次测量 ADC_SAMPLE[1:0] = 00 24 ms
ADC_SAMPLE[1:0] = 01 12 ms
ADC_SAMPLE[1:0] = 10 6 ms
ADC_SAMPLE[1:0] = 11（不推荐） 3 ms
ADCRES 有效分辨率 ADC_SAMPLE[1:0] = 00 14 15 位
ADC_SAMPLE[1:0] = 01 13 14 位
ADC_SAMPLE[1:0] = 10 12 13 位
ADC_SAMPLE[1:0] = 11（不推荐） 10 11 位
ADC 测量范围和 LSB
IBUS_ADC ADC VBUS 电流读数（正向和 OTG） 范围 0 5 A
LSB 1 mA
VBUS_ADC ADC VBUS 电压读数 范围 0 30 V
LSB 1 mV
VAC_ADC ADC VAC 电压读数 范围 0 30 V
LSB 1 mV
VBAT_ADC ADC BAT 电压读数 范围 0 20 V
LSB 1 mV
VSYS_ADC ADC SYS 电压读数 范围 0 24 V
LSB 1 mV
IBAT_ADC ADC BAT 电流读数 范围 0 8 A
LSB 1 mA
TS_ADC ADC TS 电压读数范围 范围 0 99.9 %
LSB 0.098 %
TDIE_ADC ADC 裸片温度读数范围 范围 -40 150 °C
LSB 0.5 °C