ZHCSNY0C May   2020  – June 2026 BQ25798

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  器件上电复位
      2. 7.3.2  PROG 引脚配置
      3. 7.3.3  无输入源时通过电池实现器件上电
      4. 7.3.4  通过输入源实现器件上电
        1. 7.3.4.1 为 REGN LDO 上电
        2. 7.3.4.2 不良源鉴定
        3. 7.3.4.3 ILIM_HIZ 引脚
        4. 7.3.4.4 默认 VINDPM 设置
        5. 7.3.4.5 输入源类型检测
          1. 7.3.4.5.1 D+/D– 检测设置输入电流限制
          2. 7.3.4.5.2 HVDCP 检测过程
          3. 7.3.4.5.3 连接器故障检测
      5. 7.3.5  双输入电源多路复用器
        1. 7.3.5.1 ACDRV 开启条件
        2. 7.3.5.2 仅 VBUS 输入
        3. 7.3.5.3 单 ACFET-RBFET
        4. 7.3.5.4 双 ACFET-RBFET
      6. 7.3.6  降压/升压转换器运行
        1. 7.3.6.1 强制输入电流限制检测
        2. 7.3.6.2 输入电流优化器 (ICO)
        3. 7.3.6.3 用于小型 PV 电池板的最大功率点跟踪
        4. 7.3.6.4 脉冲频率调制 (PFM)
        5. 7.3.6.5 器件高阻态状态
      7. 7.3.7  USB On-The-Go (OTG)
        1. 7.3.7.1 为外部器件供电的 OTG 模式
        2. 7.3.7.2 备用电源模式
        3. 7.3.7.3 使用双输入多路复用器的备用模式
      8. 7.3.8  电源路径管理
        1. 7.3.8.1 窄 VDC 架构
        2. 7.3.8.2 动态电源管理
      9. 7.3.9  电池充电管理
        1. 7.3.9.1 自主充电周期
        2. 7.3.9.2 电池充电曲线
        3. 7.3.9.3 充电终止
        4. 7.3.9.4 充电安全计时器
        5. 7.3.9.5 热敏电阻认证
          1. 7.3.9.5.1 充电模式下的 JEITA 指南合规性
          2. 7.3.9.5.2 OTG 模式下的冷/热温度窗口
      10. 7.3.10 用于监测的集成 16 位 ADC
      11. 7.3.11 状态输出（STAT 和 INT）
        1. 7.3.11.1 充电状态指示灯（STAT 引脚）
        2. 7.3.11.2 主机中断 (INT)
      12. 7.3.12 运输 FET 控制
        1. 7.3.12.1 关断模式
        2. 7.3.12.2 运输模式
        3. 7.3.12.3 系统电源复位
      13. 7.3.13 保护功能
        1. 7.3.13.1 电压和电流监测
          1. 7.3.13.1.1  VAC 过压保护 (VAC_OVP)
          2. 7.3.13.1.2  VBUS 过压保护 (VBUS_OVP)
          3. 7.3.13.1.3  VBUS 欠压保护 (POORSRC)
          4. 7.3.13.1.4  系统过压保护 (VSYS_OVP)
          5. 7.3.13.1.5  系统短路保护 (VSYS_SHORT)
          6. 7.3.13.1.6  电池过压保护 (VBAT_OVP)
          7. 7.3.13.1.7  电池过流保护 (IBAT_OCP)
          8. 7.3.13.1.8  输入过流保护 (IBUS_OCP)
          9. 7.3.13.1.9  OTG 过压保护 (OTG_OVP)
          10. 7.3.13.1.10 OTG 欠压保护 (OTG_UVP)
        2. 7.3.13.2 热调节和热关断
      14. 7.3.14 串行接口
        1. 7.3.14.1 数据有效性
        2. 7.3.14.2 启动条件和停止条件
        3. 7.3.14.3 字节格式
        4. 7.3.14.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 7.3.14.5 目标地址和数据方向位
        6. 7.3.14.6 单独写入和读取
        7. 7.3.14.7 多个写入和多个读取
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 主机模式和默认模式
      2. 7.4.2 复位寄存器位
    5. 7.5 寄存器映射
      1. 7.5.1 I2C 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 PV 电池板选择
        2. 8.2.2.2 电感器选型
        3. 8.2.2.3 输入 (VBUS/PMID) 电容器
        4. 8.2.2.4 输出 (VSYS) 电容器
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.3.8.2 动态电源管理

为了使用来自输入电源的最大电流并避免适配器过载，BQ25798 配备了动态电源管理 (DPM) 功能，可持续监测输入电流和输入电压。当 VBUS 引脚的输入功率过低，无法支持来自 SYS 引脚的负载和来自 BAT 引脚的电池充电电流时，充电器会启用 IINDPM 以限制其电流，或者启用 VINDPM 以防止 VBUS 引脚电压进一步降低。

当系统电压调节为 VSYSMIN 且 SYS 电压暂时降至 VSYSMIN 以下时，VSYSMIN 环路会降低充电电流，使 SYS 电压保持在 VSYSMIN 电平。若充电电流降至零，但输入源仍处于过载状态，SYS 电压会进一步下降。一旦 SYS 电压降至电池电压以下，器件就会自动进入补充模式，在该模式下 BATFET 会导通。此时电池开始放电，系统将同时由输入源和电池提供支持。电池 FET 在理想二极管模式下运行，驱动电池 FET 栅极电压以将 BATFET VDS 稳压在 25mV，从而实现低电流。这可防止 SYS 电压振荡进入和退出补充模式。随着放电电流增加，理想二极管环路会将 BATFET 栅极驱动至更高的电压，以降低电池 FET RDS(ON)，直到 BATFET 完全导通。BATFET 完全导通后，VDS 会随放电电流线性增加。图 7-8 显示了 BATFET 理想二极管运行的 V-I 曲线。当电池低于电池电量耗尽阈值时，BATFET 关闭以退出补充模式。

BQ25798 BATFET I-V 曲线图 7-8 BATFET I-V 曲线

在 DPM 模式期间，状态寄存器位 VINDPM_STAT (VINDPM) and/或 IINDPM_STAT (IINDPM) 会置为高电平。图 7-9 显示了使用 5V/3A 适配器、6.4V 电池、1.5A 充电电流和 6.8V 最小系统电压设置时的 DPM 响应。

BQ25798 DPM 响应图 7-9 DPM 响应