ZHCSNY0C May   2020  – June 2026 BQ25798

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  器件上电复位
      2. 7.3.2  PROG 引脚配置
      3. 7.3.3  无输入源时通过电池实现器件上电
      4. 7.3.4  通过输入源实现器件上电
        1. 7.3.4.1 为 REGN LDO 上电
        2. 7.3.4.2 不良源鉴定
        3. 7.3.4.3 ILIM_HIZ 引脚
        4. 7.3.4.4 默认 VINDPM 设置
        5. 7.3.4.5 输入源类型检测
          1. 7.3.4.5.1 D+/D– 检测设置输入电流限制
          2. 7.3.4.5.2 HVDCP 检测过程
          3. 7.3.4.5.3 连接器故障检测
      5. 7.3.5  双输入电源多路复用器
        1. 7.3.5.1 ACDRV 开启条件
        2. 7.3.5.2 仅 VBUS 输入
        3. 7.3.5.3 单 ACFET-RBFET
        4. 7.3.5.4 双 ACFET-RBFET
      6. 7.3.6  降压/升压转换器运行
        1. 7.3.6.1 强制输入电流限制检测
        2. 7.3.6.2 输入电流优化器 (ICO)
        3. 7.3.6.3 用于小型 PV 电池板的最大功率点跟踪
        4. 7.3.6.4 脉冲频率调制 (PFM)
        5. 7.3.6.5 器件高阻态状态
      7. 7.3.7  USB On-The-Go (OTG)
        1. 7.3.7.1 为外部器件供电的 OTG 模式
        2. 7.3.7.2 备用电源模式
        3. 7.3.7.3 使用双输入多路复用器的备用模式
      8. 7.3.8  电源路径管理
        1. 7.3.8.1 窄 VDC 架构
        2. 7.3.8.2 动态电源管理
      9. 7.3.9  电池充电管理
        1. 7.3.9.1 自主充电周期
        2. 7.3.9.2 电池充电曲线
        3. 7.3.9.3 充电终止
        4. 7.3.9.4 充电安全计时器
        5. 7.3.9.5 热敏电阻认证
          1. 7.3.9.5.1 充电模式下的 JEITA 指南合规性
          2. 7.3.9.5.2 OTG 模式下的冷/热温度窗口
      10. 7.3.10 用于监测的集成 16 位 ADC
      11. 7.3.11 状态输出（STAT 和 INT）
        1. 7.3.11.1 充电状态指示灯（STAT 引脚）
        2. 7.3.11.2 主机中断 (INT)
      12. 7.3.12 运输 FET 控制
        1. 7.3.12.1 关断模式
        2. 7.3.12.2 运输模式
        3. 7.3.12.3 系统电源复位
      13. 7.3.13 保护功能
        1. 7.3.13.1 电压和电流监测
          1. 7.3.13.1.1  VAC 过压保护 (VAC_OVP)
          2. 7.3.13.1.2  VBUS 过压保护 (VBUS_OVP)
          3. 7.3.13.1.3  VBUS 欠压保护 (POORSRC)
          4. 7.3.13.1.4  系统过压保护 (VSYS_OVP)
          5. 7.3.13.1.5  系统短路保护 (VSYS_SHORT)
          6. 7.3.13.1.6  电池过压保护 (VBAT_OVP)
          7. 7.3.13.1.7  电池过流保护 (IBAT_OCP)
          8. 7.3.13.1.8  输入过流保护 (IBUS_OCP)
          9. 7.3.13.1.9  OTG 过压保护 (OTG_OVP)
          10. 7.3.13.1.10 OTG 欠压保护 (OTG_UVP)
        2. 7.3.13.2 热调节和热关断
      14. 7.3.14 串行接口
        1. 7.3.14.1 数据有效性
        2. 7.3.14.2 启动条件和停止条件
        3. 7.3.14.3 字节格式
        4. 7.3.14.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 7.3.14.5 目标地址和数据方向位
        6. 7.3.14.6 单独写入和读取
        7. 7.3.14.7 多个写入和多个读取
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 主机模式和默认模式
      2. 7.4.2 复位寄存器位
    5. 7.5 寄存器映射
      1. 7.5.1 I2C 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 PV 电池板选择
        2. 8.2.2.2 电感器选型
        3. 8.2.2.3 输入 (VBUS/PMID) 电容器
        4. 8.2.2.4 输出 (VSYS) 电容器
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

6.7 典型特性

CVBUS = 2 * 10µF，CPMID= 3 * 10µF，CSYS = 5 * 10µF，CBAT = 2 * 10µF，L1= 1µH (SPM6530T-1R0M120) 且 L2 = 2.2µH (WE-LHMI-74437346022)

BQ25798 1s 电池充电效率，750kHz
VBAT = 4V，Fsw = 750kHz，L2 = 2.2µH，禁用 PFM
图 6-1 1s 电池充电效率，750kHz
BQ25798 2s 电池充电效率，750kHz
VBAT = 8V，Fsw = 750kHz，L2 = 2.2µH，禁用 PFM
图 6-3 2s 电池充电效率，750kHz
BQ25798 3s 电池充电效率，750kHz
VBAT = 12V，Fsw = 750kHz，L2 = 2.2µH，禁用 PFM
图 6-5 3s 电池充电效率，750kHz
BQ25798 4s 电池充电效率，750kHz
VBAT = 16V，Fsw = 750kHz，L2 = 2.2µH，禁用 PFM
图 6-7 4s 电池充电效率，750kHz
BQ25798 1 节电池 OTG 效率，750kHz
VBAT = 4.2V，Fsw = 750kHz，L2 = 2.2µH，禁用 PFM
图 6-9 1 节电池 OTG 效率，750kHz
BQ25798 2s 电池 OTG 效率，750kHz
VBAT = 8.4V，Fsw = 750kHz，L2 = 2.2µH，禁用 PFM
图 6-11 2s 电池 OTG 效率，750kHz
BQ25798 3s 电池 OTG 效率，750kHz
VBAT = 12.6V，Fsw = 750kHz，L2 = 2.2µH，禁用 PFM
图 6-13 3s 电池 OTG 效率，750kHz
BQ25798 4s 电池 OTG 效率，750kHz
VBAT = 16.8V，Fsw = 750kHz，L2 = 2.2µH，禁用 PFM
图 6-15 4s 电池 OTG 效率，750kHz
BQ25798 输入电流调节 (IINDPM) 精度
VBAT = 8V，Fsw = 1.5MHz，L1= 1µH
图 6-17 输入电流调节 (IINDPM) 精度
BQ25798 OTG 电压调节 (VOTG) 精度
VBAT = 8.4V，Fsw = 1.5MHz，L1= 1µH
图 6-19 OTG 电压调节 (VOTG) 精度
BQ25798 1s 电池充电效率，1.5MHz
VBAT = 4V，Fsw = 1.5MHz，L1 = 1.0µH，禁用 PFM
图 6-2 1s 电池充电效率，1.5MHz
BQ25798 2s 电池充电效率，1.5MHz
VBAT = 8V，Fsw = 1.5MHz，L1 = 1µH，禁用 PFM
图 6-4 2s 电池充电效率，1.5MHz
BQ25798 3s 电池充电效率，1.5MHz
VBAT = 12V，Fsw = 1.5MHz，L1 = 1µH，禁用 PFM
图 6-6 3s 电池充电效率，1.5MHz
BQ25798 4s 电池充电效率，1.5MHz
VBAT = 16V，Fsw = 1.5MHz，L1 = 1µH，禁用 PFM
图 6-8 4s 电池充电效率，1.5MHz
BQ25798 1 节电池 OTG 效率，1.5MHz
VBAT = 4.2V，Fsw = 1.5MHz，L1 = 1µH，禁用 PFM
图 6-10 1 节电池 OTG 效率，1.5MHz
BQ25798 2s 电池 OTG 效率，1.5MHz
VBAT = 8.4V，Fsw = 1.5MHz，L1 = 1µH，禁用 PFM
图 6-12 2s 电池 OTG 效率，1.5MHz
BQ25798 3s 电池 OTG 效率，1.5MHz
VBAT = 12.6V，Fsw = 1.5MHz，L1 = 1µH，禁用 PFM
图 6-14 3s 电池 OTG 效率，1.5MHz
BQ25798 4s 电池 OTG 效率，1.5MHz
VBAT = 16.8V，Fsw = 1.5MHz，L1 = 1µH，禁用 PFM
图 6-16 4s 电池 OTG 效率，1.5MHz
BQ25798 输入电压调节 (VINDPM) 精度
VBAT = 8V，Fsw = 1.5MHz，L1= 1µH
图 6-18 输入电压调节 (VINDPM) 精度
BQ25798 高于 VBAT 的 SYS 调节偏移电压
VBUS = 9V，Fsw = 1.5MHz，L1= 1µH，ISYS = 0A，禁用充电
图 6-20 高于 VBAT 的 SYS 调节偏移电压