5 引脚配置和功能

图 5-1 RQM 封装，29 引脚 VQFN-HR（顶视图）

表 5-1 引脚功能

引脚		类型	说明
名称	编号	类型	说明
STAT	1	DO	开漏充电状态输出 – 表示各种充电器操作。通过 10kΩ 电阻器连接到上拉电源轨。低电平表示正在充电。高电平表示充电完成或充电被禁用。当发生任何故障情况时，STAT 引脚以 1Hz 的频率闪烁。当 DIS_STAT 位设置为 1 时，可以禁用 STAT 引脚功能。
VBUS	2-3	P	充电器输入电压 – 充电器的电源输入端子。输入电流检测电路连接在 VBUS 和 PMID 之间。建议在 VBUS 处使用 2 个 10μF 和 1 个 0.1μF 陶瓷电容器。将 0.1μF 陶瓷电容器尽可能靠近充电器 IC 放置。
BTST1	4	P	输入高侧功率 MOSFET 栅极驱动器电源 – 在 SW1 和 BTST1 之间连接一个 10V 或更高额定电压的 47nF 陶瓷电容器，作为驱动高侧开关 MOSFET (Q1) 的自举电容器。
REGN	5	P	充电器内部线性稳压器输出 – 由 VBUS 或 BAT 供电，具体取决于哪一个电压较高。在 REGN 与电源地之间连接一个 10V、4.7μF 陶瓷电容器。REGN LDO 输出用于 TS 引脚电阻分压器的内部 MOSFET 栅极驱动电压和电压偏置。
D+	6	AIO	USB 数据线对的正线 – 基于 D+/D- 的 USB 主机/充电端口检测，用于 VIN1 输入。该检测包括 BC1.2 和可调高压适配器中的数据接触检测 (DCD)、初步检测和二次检测。
D-	7	AIO	USB 数据线对的负线 – 基于 D+/D- 的 USB 主机/充电端口检测，用于 VIN1 输入。该检测包括 BC1.2 和可调高压适配器中的数据接触检测 (DCD)、初步检测和二次检测。
VAC2	8	P	VAC2 输入检测 – 当在 VAC2 上施加介于 3.6V 和 24V 之间的电压时，它表示插入端口 #2 的有效输入。如果未安装 ACFET2 和 RBFET2，则连接到 VBUS。
VAC1	9	P	VAC1 输入检测 – 当在 VAC1 上施加介于 3.6V 和 24V 之间的电压时，它表示插入端口 #1 的有效输入。如果未安装 ACFET1 和 RBFET1，则连接到 VBUS。
ACDRV2	10	P	输入 FET 驱动器引脚 2 – 电荷泵输出，用于驱动端口 #2 输入 N 沟道 MOSFET (ACFET2) 和反向阻断 N 沟道 MOSFET (RBFET2)。当满足导通条件时，充电器通过将 ACDRV2 电压增至比 ACFET2 和 RBFET2 共源极连接高 5V 来导通背对背 MOSFET。如果未安装 ACFET2 和 RBFET2，则将 ACDRV2 连接到 GND。
ACDRV1	11	P	输入 FET 驱动器引脚 1 – 电荷泵输出，用于驱动端口 #1 输入 N 沟道 MOSFET (ACFET1) 和反向阻断 N 沟道 MOSFET (RBFET1)。当满足导通条件时，充电器通过将 ACDRV1 电压增至比 ACFET1 和 RBFET1 共源极连接高 5V 来导通背对背 MOSFET。如果未安装 ACFET1 和 RBFET1，则将 ACDRV1 连接到 GND。
QON	12	DI	运输 FET 使能或系统电源复位控制输入 – 当器件处于运输模式或关断模式时，SDRV 会关断外部运输 FET，从而更大限度地减小电池泄漏电流。该引脚上持续 t_{SM_EXIT} 的逻辑低电平将导通运输 FET 强制器件退出运输模式。该引脚上持续 t_RST 的逻辑低电平会关断运输 FET 达 t_{RST_SFET}（在 VBUS 为高电平时也会将充电器设置为高阻态模式），然后导通运输 FET（也会禁用充电器高阻态模式）以实现全系统电源复位，从而复位系统功率。在 t_{RST_SFET} 期间，当运输 FET 关断时，充电器会在 SYS 上施加 30mA 放电电流以对系统电压进行放电。该引脚包含通过 R_QON 电阻器实现的内部上拉电阻。VBUS 和 VBAT > 5V 时，典型输出电压为 3.6V - 3.8V。
CE	13	DI	低电平有效充电使能引脚 – 当 EN_CHG 位为 1 且 CE 引脚为低电平时，会启用电池充电。必须将 CE 引脚拉至高电平或低电平，不要保持悬空。
SCL	14	DI	I²C 接口时钟 – 通过 10kΩ 电阻器将 SCL 连接到逻辑轨。
SDA	15	DIO	I²C 接口数据 – 通过 10kΩ 电阻器将 SDA 连接到逻辑轨。
TS	16	AI	温度鉴定电压输入 – 连接负温度系数热敏电阻。使用从 REGN 到 TS 再到 GND 的电阻分压器对温度窗口进行编程。当 TS 引脚电压超出范围时，充电暂停。建议使用 103AT-2 10kΩ 热敏电阻。
ILIM_HIZ	17	AI	输入电流限制设置和高阻态模式控制引脚 – 通过连接一个从上拉电源轨经 ILIM_HIZ 引脚到地的电阻分压器来设置 ILIM_HIZ 电压。引脚电压的计算公式为：V_{ILIM_HIZ} = 1V + 800mΩ × IINDPM，其中 IINDPM 是目标输入电流。充电器使用的输入电流限制是 ILIM_HIZ 引脚和 IINDPM 寄存器中的较低设置。当该引脚电压低于 0.75V 时，降压/升压转换器进入非开关模式，与使用 EN_HIZ 位的高阻态模式类似，但 REGN 开启。当该引脚电压高于 1V 时，转换器恢复开关。将 ILIM_HIZ 连接至 REGN，以设置最大输入电流限制。
BATP	18	P	用于电池电压检测的正极输入 – 连接到电池组的正极端子。在引脚和电池正极端子之间串联 100Ω 电阻。
BTST2	19	P	输出高侧功率 MOSFET 栅极驱动器电源 – 在 SW2 和 BTST2 之间连接一个 10V 或更高额定电压的 47nF 陶瓷电容器，作为驱动高侧开关 MOSFET (Q4) 的自举电容器。
PROG	20	AI	充电 POR 默认设置程序 – 加电时，充电器检测连接到 PROG 引脚的电阻，以确定默认开关频率和默认电池充电曲线。建议使用容差为 ±1% 或 ±2% 的表面贴装电阻器。有关更多详细信息，请参阅“PROG 引脚配置”部分。
INT	21	DO	开漏中断输出– 通过 10kΩ 电阻器将 INT 引脚连接到逻辑电源轨。INT 引脚向主机发送一个低电平有效的 256μs 脉冲，以报告充电器器件状态和故障。
BAT	22-23	P	电池充电电源连接 – 连接到电池包的正极端子。内部充电电流检测电路连接在 SYS 和 BAT 之间。建议在 BAT 处使用 2 个 10μF 陶瓷电容器。
SDRV	24	P	外部 N 沟道运输 FET (SFET) 栅极驱动器输出 – 外部运输 FET 的驱动器引脚。运输 FET 始终在禁用运输模式时导通，在充电器处于运输模式或关断模式时保持关断状态。不使用运输 FET 时，在 SDRV 和 GND 之间连接一个额定电压为 50V、采用 0402 封装的 1nF 陶瓷电容器。
SYS	25	P	连接到系统的充电器输出电压 – 内部 N 沟道高侧 MOSFET (Q4) 连接在 SYS 和 SW2 之间，SYS 上为漏极、SW2 上为源极。建议在 SYS 处使用 5 个 10μF 和 1 个 0.1μF 陶瓷电容器。将 0.1μF 陶瓷电容器尽可能靠近充电器 IC 放置。
SW2	26	P	升压侧半桥开关节点 – 连接到 Q3 和 Q4 开关中点的电感器。
GND	27	P	接地回路
SW1	28	P	降压侧半桥开关节点 – 连接到 Q1 和 Q2 开关中点的电感器。
PMID	29	P	Q1 MOSFET 漏极连接 – 一个内部 N 沟道高侧 MOSFET (Q1) 连接在 PMID 和 SW1 之间，其中 PMID 上为漏极和 SW1 上为源极。建议在 PMID 处使用 3 个 10μF 和 1 个 0.1μF 陶瓷电容器。将 0.1μF 陶瓷电容器尽可能靠近充电器 IC 放置。如果将使用备用模式，建议额外使用 2 个 33μF POSCAP，以在从适配器切换到备用电池期间维持 PMID 电压。