ZHCSNY0C May   2020  – June 2026 BQ25798

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  器件上电复位
      2. 7.3.2  PROG 引脚配置
      3. 7.3.3  无输入源时通过电池实现器件上电
      4. 7.3.4  通过输入源实现器件上电
        1. 7.3.4.1 为 REGN LDO 上电
        2. 7.3.4.2 不良源鉴定
        3. 7.3.4.3 ILIM_HIZ 引脚
        4. 7.3.4.4 默认 VINDPM 设置
        5. 7.3.4.5 输入源类型检测
          1. 7.3.4.5.1 D+/D– 检测设置输入电流限制
          2. 7.3.4.5.2 HVDCP 检测过程
          3. 7.3.4.5.3 连接器故障检测
      5. 7.3.5  双输入电源多路复用器
        1. 7.3.5.1 ACDRV 开启条件
        2. 7.3.5.2 仅 VBUS 输入
        3. 7.3.5.3 单 ACFET-RBFET
        4. 7.3.5.4 双 ACFET-RBFET
      6. 7.3.6  降压/升压转换器运行
        1. 7.3.6.1 强制输入电流限制检测
        2. 7.3.6.2 输入电流优化器 (ICO)
        3. 7.3.6.3 用于小型 PV 电池板的最大功率点跟踪
        4. 7.3.6.4 脉冲频率调制 (PFM)
        5. 7.3.6.5 器件高阻态状态
      7. 7.3.7  USB On-The-Go (OTG)
        1. 7.3.7.1 为外部器件供电的 OTG 模式
        2. 7.3.7.2 备用电源模式
        3. 7.3.7.3 使用双输入多路复用器的备用模式
      8. 7.3.8  电源路径管理
        1. 7.3.8.1 窄 VDC 架构
        2. 7.3.8.2 动态电源管理
      9. 7.3.9  电池充电管理
        1. 7.3.9.1 自主充电周期
        2. 7.3.9.2 电池充电曲线
        3. 7.3.9.3 充电终止
        4. 7.3.9.4 充电安全计时器
        5. 7.3.9.5 热敏电阻认证
          1. 7.3.9.5.1 充电模式下的 JEITA 指南合规性
          2. 7.3.9.5.2 OTG 模式下的冷/热温度窗口
      10. 7.3.10 用于监测的集成 16 位 ADC
      11. 7.3.11 状态输出（STAT 和 INT）
        1. 7.3.11.1 充电状态指示灯（STAT 引脚）
        2. 7.3.11.2 主机中断 (INT)
      12. 7.3.12 运输 FET 控制
        1. 7.3.12.1 关断模式
        2. 7.3.12.2 运输模式
        3. 7.3.12.3 系统电源复位
      13. 7.3.13 保护功能
        1. 7.3.13.1 电压和电流监测
          1. 7.3.13.1.1  VAC 过压保护 (VAC_OVP)
          2. 7.3.13.1.2  VBUS 过压保护 (VBUS_OVP)
          3. 7.3.13.1.3  VBUS 欠压保护 (POORSRC)
          4. 7.3.13.1.4  系统过压保护 (VSYS_OVP)
          5. 7.3.13.1.5  系统短路保护 (VSYS_SHORT)
          6. 7.3.13.1.6  电池过压保护 (VBAT_OVP)
          7. 7.3.13.1.7  电池过流保护 (IBAT_OCP)
          8. 7.3.13.1.8  输入过流保护 (IBUS_OCP)
          9. 7.3.13.1.9  OTG 过压保护 (OTG_OVP)
          10. 7.3.13.1.10 OTG 欠压保护 (OTG_UVP)
        2. 7.3.13.2 热调节和热关断
      14. 7.3.14 串行接口
        1. 7.3.14.1 数据有效性
        2. 7.3.14.2 启动条件和停止条件
        3. 7.3.14.3 字节格式
        4. 7.3.14.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 7.3.14.5 目标地址和数据方向位
        6. 7.3.14.6 单独写入和读取
        7. 7.3.14.7 多个写入和多个读取
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 主机模式和默认模式
      2. 7.4.2 复位寄存器位
    5. 7.5 寄存器映射
      1. 7.5.1 I2C 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 PV 电池板选择
        2. 8.2.2.2 电感器选型
        3. 8.2.2.3 输入 (VBUS/PMID) 电容器
        4. 8.2.2.4 输出 (VSYS) 电容器
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

8.4.1 布局指南

为了最大限度地减少开关损耗，应该尽可能缩短开关节点的上升和下降时间。为了防止电场和磁场辐射以及高频谐振问题，采用合适的元件布局来尽可能简化高频电流路径环路（如下图所示）非常重要。以下是正确布局的 PCB 布局优先级列表。根据此特定顺序进行 PCB 布局至关重要。

  1. 将 0.1µF 小尺寸（如 0402 或 0201）电容器放置在 IC 所在的同一层并位于 IC 上方，用短走线分别连接至 PMID 和 GND 引脚，以及 SYS 和 GND 引脚。理想情况下，至少有一个典型 10µF 大容量电容器与这些 0.1μF 电容器并联放置。其余的大容量电容器必须以低阻抗（即与 IC 位于同一层、具有宽走线和/或通过多个过孔）连接回 PMID、SYS 和 GND。
  2. 采用上述电容器布局时，电感器输入端至 SW1 以及电感器输出端至 SW2 需通过 IC 下方的多个过孔，转接到与电感器相连的内部或底层走线。最大限度地减小此走线的覆铜面积，以减少电场和磁场辐射，但应确保走线足够宽，能够承载电感器电流。最大限度地降低从此区域到任何其他走线或平面的寄生电容。BTST 电容器可与两侧的过孔连接。
  3. 将 REGN 去耦电容器靠近 IC REGN 引脚放置并使用短走线连接。然后至少使用 2 个过孔，将电容器接地端连接至内部接地平面/覆铜，该接地平面通过多个过孔再返连至 IC GND 引脚。
  4. 将一个 0.1µF 小尺寸（如 0402 或 0201）电容器靠近 VBUS 引脚放置。其余的 10µF 大容量电容器可以放置在更远的位置。电容器接地连接必须通过至少 2 个过孔连接至内部接地平面/覆铜，该接地平面通过多个过孔再返连至 IC GND 引脚。
  5. 将 BAT 电容器靠近 BAT 和 GND 放置。
  6. 过孔尺寸和并联数量对于给定的电流路径必须是足够的。
  7. 将 BATP 和 TS 走线远离开关节点（如 SW1 和 SW2）布线。

有关建议的元件布局及走线和过孔位置，请参阅 BQ25798EVM and BQ25798BKUPEVM (BMS034) 评估模块中的 EVM 设计和更多信息。

BQ25798 降压/升压转换器高频电流路径图 8-20 降压/升压转换器高频电流路径