通过利用充电器双向降压/升压运行，BQ25798 支持备用电源模式。在此模式下，充电器释放存储在电池或电容器中的能量，以便在适配器断开连接后将 VBUS 电压保持一段时间。仅当 VBUS 为高电平时，才能通过设置 EN_BACKUP = 1 启用备用模式。当 VBUS 变为低电平时，充电器将 EN_BACKUP 位复位为 0。

比较器监测 VBUS 电压。一旦适配器断开连接且 VBUS 降至低于预设阈值，充电器就会终止正向充电模式，强制 EN_OTG = 1，开始对电池或超级电容器放电，从而将 VBUS 电压调节到 VOTG 寄存器设置值。充电器进入备用模式后，VBUS_STAT[3:0] 更改为“处于备用 OTG 模式”状态 (VBUS_STAT[3:0] = 1100)。同时，如果 VBUS_MASK = 0，会将一个 INT 脉冲置为有效并将 VBUS_FLAG 设置为 1。

监测 VBUS 以触发备用模式的比较器阈值在 VBUS_BACKUP[1:0] 寄存器位中编程为 VINDPM 值的比率。当 VBUS 为高电平时，主机无法写入 EN_OTG = 1。仅当 EN_BACKUP = 1 且 VBUS 降至阈值以下时，充电器本身才会强制 EN_OTG = 1 以进入备用模式。

备用模式运行时需要 ACFET1-RBFET1。触发备用模式后，充电器通过设置 DIS_ACDRV = 1 来关断 ACFET1-REFET1，避免适配器仍物理连接到 VAC1 时反向驱动适配器。ACFET1-RBFET1 还提供充电器输入过压 (VAC_OVP) 保护。当输入电压高于可编程 VAC_OVP 阈值 (VAC_OVP[1:0]) 时，充电器关闭 ACFET1-RBFET1，从正向充电模式变为备用模式。如果在 POR 时未检测到 ACFET1-RBFET1，则充电器通过强制 EN_BACKUP = 0 阻止启用备用模式。

如果充电器在备用模式下运行，则下列两种条件中的任一种都会强制充电器退出备用模式运行：

• 电池或电容器电压放电至低于 V_{BAT_OTGZ}
• 主机将 EN_OTG 位从 1 设置为 0

如果在充电器处于备用模式时重新连接了适配器，用户可以将给为 PMID 负载供电的电源从电池转换回适配器。以下序列用于在重新启动备用模式时从电池电源切换回 ACIN1：

1. 将 BKUP_ACFET1_ON (REG0x16[0]) 寄存器位写入 1。设置 BKUP_ACFET1 _ON = 1 将导致器件设置 DIS_ACDRV = 0 以及 EN_ACDRV1 = 1。之后，备用模式被禁用，但充电器保持在正常 OTG 模式。ACFET1-RBFET1 导通以将适配器连接到 VBUS。用户必须确保适配器电压等于或高于充电器 VOTG 电压设置，否则充电器 OTG 输出可能会反向驱动连接到 VBUS 的适配器。
2. 通过将 EN_ACDRV1 回读为 1 确定 ACIN1 上的源有效（未处于过压状态并且未在不良源检测中失败）。
3. 设置 EN_OTG = 0，才能退出 OTG 模式并进入正向充电模式而不会发生 PMID 电压崩溃。设置 BKUP_ACFET1_ON = 1 时也会将 BKUP_ACFET1_ON 清 0 并将 EN_BACKUP 设置为 1。

在正常的适配器连接序列中，会运行不良源检测，测量 ILIM 引脚以设置 IINDPM，并测量 VBUS 以设置 VINDPM。为了完成上述序列中的第 3 步，以在不允许关闭功率级的情况下重新启用备用模式，应跳过该序列。如果适配器在序列期间意外移除，这让转换器能够快速切换回备用模式。仅当 EN_OTG 设置为 0 且 BKUP_ACFET1_ON = 1 时才会出现这种情况。如果连接了适配器时 BKUP_ACFET1_ON = 0 或者 EN_OTG 已为 0，则充电器将正常加电。通常建议在尝试重新启动备用模式之前留出 5 秒趋稳时间。

由于在重新启动序列期间不测量 VBUS，因此不会更新 VINDPM。在大多数应用中，该器件应支持单个适配器，以便之前设置的 VINDPM 值仍然准确。对于适配器电压可能存在差异的应用，用户可以在启动重新启用序列之前，通过 ADC 测量 VBUS 电压来手动设置 VINDPM 值，将该值换算后写入 REG05_Input_Voltage_Limit 寄存器。

为了在不降低 VBUS 的情况下切换回适配器电源，但使备用模式保持未启动状态，请使用以下序列：

1. 将 BKUP_ACFET1_ON (REG0x16[0]) 寄存器位写入 1。设置 BKUP_ACFET1 _ON = 1 将导致器件更改 EN_BACKUP = 0、DIS_ACDRV = 0 和 EN_ACDRV1 = 1。之后，备用模式被禁用，但充电器保持在正常 OTG 模式。ACFET1-RBFET1 导通以将适配器连接到 VBUS。用户必须确保适配器电压等于或高于充电器 VOTG 电压设置，否则充电器 OTG 输出可能会反向驱动连接到 VBUS 的适配器。
2. 通过将 EN_ACDRV1 回读为 1 确定 ACIN1 上的源有效（未处于过压状态并且未在不良源检测中失败）。
3. 设置 BKUP_ACFET1_ON = 0
4. 设置 EN_OTG = 0，才能退出 OTG 模式并进入正向充电模式而不会发生 PMID 电压崩溃。由于 BKUP_ACFET1_ON 为 0，EN_BCKUP 将保持为 0。

备用模式的简化应用下图在中显示，其中功率流用蓝色箭头表示。

如果 IBAT_REG[1:0] 设置为 00、01 或 10（3A、4A 或 5A），则在备用模式期间会限制电池放电电流。建议在使用备用模式时设置 IBAT_REG[1:0] = 11（禁用），以便获得最佳响应。根据 PMID 处的负载，可能需要额外的高达 200μF 的低 ESR 电容，以防止 PMID 降至 VINDPM 设定点以下。