ZHCSMW2C December   2021  – November 2025 LM5123-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  器件启用/禁用（EN，VH 引脚）
      2. 7.3.2  高压 VCC 稳压器（BIAS、VCC 引脚）
      3. 7.3.3  轻负载开关模式选择（MODE 引脚）
      4. 7.3.4  选择 VOUT 范围（RANGE 引脚）
      5. 7.3.5  线路欠压锁定（UVLO 引脚）
      6. 7.3.6  使用 VCC 保持功能快速重启（VH 引脚）
      7. 7.3.7  可调节的输出调节目标（VOUT、TRK 和 VREF 引脚）
      8. 7.3.8  过压保护（VOUT 引脚）
      9. 7.3.9  电源正常状态指示（PGOOD 引脚）
      10. 7.3.10 动态可编程开关频率 (RT)
      11. 7.3.11 外部时钟同步（SYNC 引脚）
      12. 7.3.12 可编程展频（DITHER 引脚）
      13. 7.3.13 可编程软启动（SS 引脚）
      14. 7.3.14 宽带宽跨导误差放大器和 PWM（TRK，COMP 引脚）
      15. 7.3.15 电流检测和斜率补偿（CSP，CSN 引脚）
      16. 7.3.16 恒定峰值电流限制（CSP，CSN 引脚）
      17. 7.3.17 最大占空比和最小可控导通时间限制
      18. 7.3.18 深度睡眠模式和旁路操作（HO，CP 引脚）
      19. 7.3.19 MOSFET 驱动器、集成式自举二极管和断续模式故障保护（LO、HO、HB 引脚）
      20. 7.3.20 热关断保护
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 器件状态
        1. 7.4.1.1 关断模式
        2. 7.4.1.2 配置模式
        3. 7.4.1.3 工作模式
        4. 7.4.1.4 睡眠模式
        5. 7.4.1.5 深度睡眠模式
      2. 7.4.2 轻负载开关模式
        1. 7.4.2.1 强制 PWM (FPWM) 模式
        2. 7.4.2.2 二极管仿真 (DE) 模式
        3. 7.4.2.3 FPWM 模式下的强制二极管仿真操作
        4. 7.4.2.4 跳跃模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 应用理念
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 系统示例
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

10.1 布局指南

开关转换器的性能在很大程度上取决于 PCB 布局的质量。用户可使用下面的指南设计一个 PCB，实现出色的电压转换性能、热性能，并更大程度地减小不必要 EMI 的产生。

  • CVCC、CBIAS、CHB 和 CVOUT 尽可能靠近器件放置。与引脚直接连接。
  • 放置 QH、QL 和 COUT。使开关环路（COUT 至 QH 至 QL 至 COUT）尽可能小。小尺寸陶瓷电容器有助于更大限度地缩短环路长度。在 QH 漏极连接处附近保留一块铜质区域用于散热。
  • 放置 LM、RS 和 CIN。使环路（CIN 至 RS 至 LM 至 CIN）尽可能小。小尺寸陶瓷电容器有助于更大限度地缩短环路长度。
  • 将 RS 连接到 CSP-CSN。CSP-CSN 引线必须平行布线并由接地层包围。
  • 连接 VOUT、HO 和 SW。这些引线必须通过短而低电感的路径进行并行布线。VOUT 必须直接连接 QH 的漏极连接处。SW 必须直接连接到 QH 的源极连接处
  • 连接 LO 和 PGND。必须使用一条短的低电感路径并联 LO-PGND 引线。PGND 必须直接连接到 QL 的源极连接处。
  • 将 RCOMP、CCOMP、CSS、CVREF、RVREFT、RVREFB、RT 和 RUVLOB 尽可能靠近器件放置，并连接到公共模拟接地层。
  • 通过 PGND 将电源接地层（QL 源极连接）连接到 EP。通过 AGND 将公共模拟接地层连接到 EP。必须在器件下方连接 PGND 和 AGND。
  • 在 EP 下方添加多个过孔，以帮助器件散热。将过孔连接到底层上的大模拟接地层。
  • 请勿在器件下方通过连接到 EP 的大模拟接地层连接 COUT 和 CIN 接地端。