ZHCSLM9C August 2020 – January 2026 LP8866S-Q1
PRODUCTION DATA
图 8-2 显示了电路的关键部分:升压元件、LP8866S-Q1 内部电荷泵(用于栅极驱动器供电)以及 LP8866S-Q1 供电/接地。原理图示例如图 8-2 所示。
图 8-2 全功能设计的关键元件| 参考位号 | 说明 | 注释 |
|---|---|---|
| RISENSE | 20mΩ,3W | 输入电流检测电阻 |
| RSD | 20kΩ,0.1W | 电源线 FET 栅极上拉电阻 |
| RSENSE | 30mΩ,3 W | 升压电流检测电阻器 |
| RG | 15Ω,0.1W | 用于控制 EMC 的 nMOSFET 上升/下降时间的栅极电阻器 |
| RUVLO1 | 76.8kΩ,0.1 W | 这些 UVLO 电阻设置将 VIN_UVLO 上升电压设置为 3.75V,将 VIN_UVLO 下降电压设置为 3.35V |
| RUVLO2 | 20.5kΩ,0.1 W | |
| RFB3 | 0Ω,0.1W | 除非对电阻器进行 100kΩ 限制,否则不需要 |
| RFB2 | 100kΩ,0.1 W | 底部反馈分压电阻器 |
| RFB1 | 910kΩ,0.1 W | 顶部反馈分压电阻器 |
| RBST_FSET | 3.92kΩ,0.1 W | 升压频率设置电阻器 (400kHz) |
| RISET | 20.8kΩ,0.1 W | 电流设置电阻器(每通道 150mA) |
| RPWM_FSET | 17.8kΩ,0.1 W | 输出 PWM 频率设置电阻(4.88kHz PWM 频率,可以避免可闻噪声) |
| RMODE | 3.92kΩ,0.1 W | 模式电阻器(具有 0x2B I2C 地址的相移 PWM 模式) |
| RLED_SET | 3.92kΩ,0.1 W | LED_SET 电阻器(6 通道配置) |
| CPUMP | 10µF、10V 陶瓷电容器 | 电荷泵输出电容器 |
| C2X | 2.2µF、10V 陶瓷电容器 | 飞跨电容器 |
| CVDD | 4.7µF + 0.1µF、10V 陶瓷电容器 | VDD 旁路电容器 |
| CIN | 1 × 33µF、50V 电解电容器 + 1 × 10µF、50V 陶瓷电容器 | 升压输入电容器 |
| COUT | 1 × 33µF、50V 电解电容器 + 1 × 10µF、50V 陶瓷电容器 | 升压输出电容器 |
| L1 | 22μH 饱和电流 6.5A | 升压电感器 |
| D1 | 50V、6.5A 肖特基二极管 | 升压肖特基二极管 |
| Q1 | 60V、15A nMOSFET | 升压 nMOSFET |
| Q2 | 60V、15A pMOSFET | 电源线 FET |