ZHCSLM9C August   2020  – January 2026 LP8866S-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 逻辑接口特性
    7. 5.7 I2C 接口的时序要求
    8.     14
    9. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 控制接口
      2. 6.3.2 功能设置
      3. 6.3.3 器件电源 (VDD)
      4. 6.3.4 使能 (EN)
      5. 6.3.5 电荷泵
      6. 6.3.6 升压控制器
        1. 6.3.6.1 升压逐周期电流限制
        2. 6.3.6.2 控制器最短开/关时间
        3. 6.3.6.3 升压自适应电压控制
          1. 6.3.6.3.1 使用双电阻方法的 FB 分压器
          2. 6.3.6.3.2 使用三电阻方法的 FB 分压器
          3. 6.3.6.3.3 使用外部补偿的 FB 分压器
        4. 6.3.6.4 升压同步和展频
        5. 6.3.6.5 升压输出放电
        6. 6.3.6.6 轻负载模式
      7. 6.3.7 LED 电流阱
        1. 6.3.7.1 LED 输出电流设置
        2. 6.3.7.2 LED 输出灯串配置
        3. 6.3.7.3 LED 输出 PWM 时钟生成
      8. 6.3.8 亮度控制
        1. 6.3.8.1 亮度控制信号路径
        2. 6.3.8.2 调光模式
        3. 6.3.8.3 LED 调光频率
        4. 6.3.8.4 相移 PWM 模式
        5. 6.3.8.5 混合模式
        6. 6.3.8.6 直接 PWM 模式
        7. 6.3.8.7 Sloper
        8. 6.3.8.8 PWM 检测器迟滞
        9. 6.3.8.9 抖动
      9. 6.3.9 保护和故障检测
        1. 6.3.9.1 电源故障
          1. 6.3.9.1.1 VIN 欠压故障 (VINUVLO)
          2. 6.3.9.1.2 VIN 过压故障 (VINOVP)
          3. 6.3.9.1.3 VDD 欠压故障 (VDDUVLO)
          4. 6.3.9.1.4 VIN OCP 故障 (VINOCP)
            1. 6.3.9.1.4.1 VIN OCP 电流限制与升压逐周期电流限制间的关系
          5. 6.3.9.1.5 电荷泵故障（CPCAP、CP）
          6. 6.3.9.1.6 CRC 错误故障 (CRCERR)
        2. 6.3.9.2 升压故障
          1. 6.3.9.2.1 升压过压故障（BSTOVPL、BSTOVPH）
          2. 6.3.9.2.2 升压过流故障 (BSTOCP)
          3. 6.3.9.2.3 LEDSET 电阻器缺失故障 (LEDSET)
          4. 6.3.9.2.4 MODE 电阻器缺失故障 (MODESEL)
          5. 6.3.9.2.5 FSET 电阻器缺失故障 (FSET)
          6. 6.3.9.2.6 ISET 电阻器超出范围故障 (ISET)
          7. 6.3.9.2.7 热关断故障 (TSD)
        3. 6.3.9.3 LED 故障
          1. 6.3.9.3.1 LED 开路故障 (OPEN_LED)
          2. 6.3.9.3.2 LED 短路故障 (SHORT_LED)
          3. 6.3.9.3.3 LED 短接 GND 故障 (GND_LED)
          4. 6.3.9.3.4 无效 LED 灯串故障 (INVSTRING)
          5. 6.3.9.3.5 I2C 超时故障
        4. 6.3.9.4 故障和保护方案概述
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1  状态图
      2. 6.4.2  关断
      3. 6.4.3  器件初始化
      4. 6.4.4  待机模式
      5. 6.4.5  电源线 FET 软启动
      6. 6.4.6  升压启动
      7. 6.4.7  正常模式
      8. 6.4.8  故障恢复
      9. 6.4.9  锁存故障
      10. 6.4.10 启动序列
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 与 I2C 兼容的接口
      2. 6.5.2 编程示例
        1. 6.5.2.1 通用配置寄存器
        2. 6.5.2.2 清除故障中断
        3. 6.5.2.3 禁用故障中断
        4. 6.5.2.4 诊断寄存器
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 FullMap 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 用于显示屏背光的全功能应用
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1  电感器选型
          2. 8.2.1.2.2  输出电容器选型
          3. 8.2.1.2.3  输入电容器选型
          4. 8.2.1.2.4  电荷泵输出电容器
          5. 8.2.1.2.5  电荷泵飞跨电容器
          6. 8.2.1.2.6  输出二极管
          7. 8.2.1.2.7  开关 FET
          8. 8.2.1.2.8  升压检测电阻
          9. 8.2.1.2.9  电源线 FET
          10. 8.2.1.2.10 输入电流检测电阻
          11. 8.2.1.2.11 反馈电阻分压器
          12. 8.2.1.2.12 设计的关键元件
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 具有基本/最小操作的应用
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
        3. 8.2.2.3 应用曲线
      3. 8.2.3 SEPIC 模式应用
        1. 8.2.3.1 设计要求
        2. 8.2.3.2 详细设计过程
          1. 8.2.3.2.1  电感器选型
          2. 8.2.3.2.2  耦合电容器选型
          3. 8.2.3.2.3  输出电容器选型
          4. 8.2.3.2.4  输入电容器选型
          5. 8.2.3.2.5  电荷泵输出电容器
          6. 8.2.3.2.6  电荷泵飞跨电容器
          7. 8.2.3.2.7  开关 FET
          8. 8.2.3.2.8  输出二极管
          9. 8.2.3.2.9  开关检测电阻器
          10. 8.2.3.2.10 电源线 FET
          11. 8.2.3.2.11 输入电流检测电阻
          12. 8.2.3.2.12 反馈电阻分压器
          13. 8.2.3.2.13 设计的关键元件
        3. 8.2.3.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
8.2.1.2.9 电源线 FET

电源线 FET 可用于从升压输入断开输入功率，以在发生过流事件时保护 LP8866S-Q1 器件和升压元件。P 型 MOSFET 用于电源线 FET。额定电压必须至少比最大输入电压水平高 25%。低 RDSON 对于降低 FET 上的功率损耗很重要 — 建议小于 20mΩ。FET 的额定电流必须至少比输入峰值电流高 25%。完全导通晶体管的最小栅源电压 (VGS) 必须小于最小输入电压；在 pFET 栅极及源极之间使用 20kΩ 电阻器。