ZHCSH81B December   2017  – February 2025 PGA302

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  过压和反向电压保护
    6. 5.6  线性稳压器
    7. 5.7  内部基准
    8. 5.8  内部振荡器
    9. 5.9  电桥传感器电源
    10. 5.10 温度传感器电源
    11. 5.11 电桥偏移抵消
    12. 5.12 P 增益和 T 增益输入放大器（斩波稳定型）
    13. 5.13 模数转换器
    14. 5.14 内部温度传感器
    15. 5.15 电桥电流测量
    16. 5.16 单线制接口
    17. 5.17 DAC 输出
    18. 5.18 用于 DAC 输出的 DAC 增益
    19. 5.19 非易失性内存
    20. 5.20 诊断 - PGA30x
    21. 5.21 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  过压和反向电压保护
      2. 6.3.2  线性稳压器
      3. 6.3.3  内部基准
      4. 6.3.4  内部振荡器
      5. 6.3.5  电阻电桥的 VBRGP 和 VBRGN 电源
      6. 6.3.6  温度传感器的 ITEMP 电源
      7. 6.3.7  P 增益
      8. 6.3.8  T 增益
      9. 6.3.9  电桥偏移抵消
      10. 6.3.10 模数转换器
        1. 6.3.10.1 用于 ADC 的 Σ-Δ 调制器
        2. 6.3.10.2 用于 ADC 的抽取滤波器
        3. 6.3.10.3 内部温度传感器 ADC 转换
        4. 6.3.10.4 ADC 扫描模式
          1. 6.3.10.4.1 自动扫描模式下的 P-T 多路复用器时序
      11. 6.3.11 内部温度传感器
      12. 6.3.12 电桥电流测量
      13. 6.3.13 数字接口
      14. 6.3.14 OWI
        1. 6.3.14.1 OWI 接口概述
        2. 6.3.14.2 激活和停用 OWI 接口
          1. 6.3.14.2.1 激活 OWI 通信
          2. 6.3.14.2.2 停用 OWI 通信
        3. 6.3.14.3 OWI 协议
          1. 6.3.14.3.1 OWI 帧结构
            1. 6.3.14.3.1.1 标准字段结构：
            2. 6.3.14.3.1.2 帧结构
            3. 6.3.14.3.1.3 Sync 字段
            4. 6.3.14.3.1.4 命令字段
            5. 6.3.14.3.1.5 数据字段
          2. 6.3.14.3.2 OWI 命令
            1. 6.3.14.3.2.1 OWI 写入命令
            2. 6.3.14.3.2.2 OWI 读取初始化命令
            3. 6.3.14.3.2.3 OWI 读取响应命令
            4. 6.3.14.3.2.4 OWI 突发写入命令（EEPROM 高速缓存访问）
            5. 6.3.14.3.2.5 OWI 突发读取命令（EEPROM 高速缓存访问）
          3. 6.3.14.3.3 OWI 运营
            1. 6.3.14.3.3.1 写入操作
            2. 6.3.14.3.3.2 读取操作
            3. 6.3.14.3.3.3 EEPROM 突发写入
            4. 6.3.14.3.3.4 EEPROM 突发读取
        4. 6.3.14.4 OWI 通信错误状态
      15. 6.3.15 I2C 接口
        1. 6.3.15.1 I2C 接口概览
        2. 6.3.15.2 I2C 接口协议
        3. 6.3.15.3 I2C 接口的时钟详细信息
      16. 6.3.16 DAC 输出
      17. 6.3.17 用于 DAC 输出的 DAC 增益
        1. 6.3.17.1 将 DAC 输出连接到 DAC GAIN 输入
      18. 6.3.18 存储器
        1. 6.3.18.1 EEPROM 存储器
          1. 6.3.18.1.1 EEPROM 高速缓存
          2. 6.3.18.1.2 EEPROM 编程过程
          3. 6.3.18.1.3 EEPROM 编程电流
          4. 6.3.18.1.4 CRC
      19. 6.3.19 诊断
        1. 6.3.19.1 电源诊断
        2. 6.3.19.2 传感器连接/增益输入故障
        3. 6.3.19.3 增益输出诊断
        4. 6.3.19.4 PGA302 线束开路诊断
        5. 6.3.19.5 EEPROM CRC 和 TRIM 错误
      20. 6.3.20 数字补偿和滤波器
        1. 6.3.20.1 数字增益和偏移
        2. 6.3.20.2 TC 和 NL 校正
        3. 6.3.20.3 钳位
        4. 6.3.20.4 滤波器
      21. 6.3.21 修订 ID
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 编程模型
      1. 7.1.1 存储器映射
      2. 7.1.2 控制和状态寄存器
        1. 7.1.2.1  MICRO_INTERFACE_CONTROL（DI 页面地址 = 0x0）（DI 页面偏移 = 0x0C）
        2. 7.1.2.2  PSMON1（M0 地址 = 0x40000558）（DI 页面地址 = 0x2）（DI 页面偏移 = 0x58）
        3. 7.1.2.3  AFEDIAG（M0 地址 = 0x4000055A）（DI 页面地址 = 0x2）（DI 页面偏移 = 0x5A）
        4. 7.1.2.4  P_GAIN_SELECT（DI 页面地址 = 0x2）（DI 页面偏移 = 0x47）
        5. 7.1.2.5  T_GAIN_SELECT（DI 页面地址 = 0x2）（DI 页面偏移 = 0x48）
        6. 7.1.2.6  TEMP_CTRL（DI 页面地址 = 0x2）（DI 页面偏移 = 0x4C）
        7. 7.1.2.7  OFFSET_CANCEL（DI 页面地址 = 0x2）（DI 页面偏移 = 0x4E）
        8. 7.1.2.8  PADC_DATA1（DI 页面地址 = 0x0）（DI 页面偏移 = 0x10）
        9. 7.1.2.9  PADC_DATA2（DI 页面地址 = 0x0）（DI 页面偏移 = 0x11）
        10. 7.1.2.10 TADC_DATA1（DI 页面地址 = 0x0）（DI 页面偏移 = 0x14）
        11. 7.1.2.11 TADC_DATA2（DI 页面地址 = 0x0）（DI 页面偏移 = 0x15）
        12. 7.1.2.12 DAC_REG0_1（DI 页面地址 = 0x2）（DI 页面偏移 = 0x30）
        13. 7.1.2.13 DAC_REG0_2（DI 页面地址 = 0x2）（DI 页面偏移 = 0x31）
        14. 7.1.2.14 OP_STAGE_CTRL（DI 页面地址 = 0x2）（DI 页面偏移 = 0x3B）
        15. 7.1.2.15 EEPROM_ARRAY（DI 页面地址 = 0x5）（DI 页面偏移 = 0x00 - 0x7F）
        16. 7.1.2.16 EEPROM_CACHE_BYTE0（DI 页面地址 = 0x5）（DI 页面偏移 = 0x80）
        17. 7.1.2.17 EEPROM_CACHE_BYTE1（DI 页面地址 = 0x5）（DI 页面偏移 = 0x81）
        18. 7.1.2.18 EEPROM_PAGE_ADDRESS（DI 页面地址 = 0x5）（DI 页面偏移 = 0x82）
        19. 7.1.2.19 EEPROM_CTRL（DI 页面地址 = 0x5）（DI 页面偏移 = 0x83）
        20. 7.1.2.20 EEPROM_CRC（DI 页面地址 = 0x5）（DI 页面偏移 = 0x84）
        21. 7.1.2.21 EEPROM_STATUS（DI 页面地址 = 0x5）（DI 页面偏移 = 0x85）
        22. 7.1.2.22 EEPROM_CRC_STATUS（DI 页面地址 = 0x5）（DI 页面偏移 = 0x86）
        23. 7.1.2.23 EEPROM_CRC_VALUE（DI 页面地址 = 0x5）（DI 页面偏移 = 0x87）
        24. 7.1.2.24 H0（EEPROM 地址 = 0x40000000）
        25. 7.1.2.25 H1（EEPROM 地址 = 0x40000002）
        26. 7.1.2.26 H2（EEPROM 地址 = 0x40000004）
        27. 7.1.2.27 H3（EEPROM 地址 = 0x40000006）
        28. 7.1.2.28 G0（EEPROM 地址 = 0x40000008）
        29. 7.1.2.29 G1（EEPROM 地址 = 0x4000000A）
        30. 7.1.2.30 G2（EEPROM 地址 = 0x4000000C）
        31. 7.1.2.31 G3（EEPROM 地址 = 0x4000000E）
        32. 7.1.2.32 N0（EEPROM 地址 = 0x40000010）
        33. 7.1.2.33 N1（EEPROM 地址 = 0x40000012）
        34. 7.1.2.34 N2（EEPROM 地址 = 0x40000014）
        35. 7.1.2.35 N3（EEPROM 地址 = 0x40000016）
        36. 7.1.2.36 M0（EEPROM 地址 = 0x40000018）
        37. 7.1.2.37 M1（EEPROM 地址 = 0x4000001A）
        38. 7.1.2.38 M2（EEPROM 地址 = 0x4000001C）
        39. 7.1.2.39 M3（EEPROM 地址 = 0x4000001E）
        40. 7.1.2.40 PADC_GAIN（EEPROM 地址 = 0x40000020）
        41. 7.1.2.41 TADC_GAIN（EEPROM 地址 = 0x40000021）
        42. 7.1.2.42 PADC_OFFSET（EEPROM 地址 = 0x40000022）
        43. 7.1.2.43 TADC_OFFSET（EEPROM 地址 = 0x40000024）
        44. 7.1.2.44 TEMP_SW_CTRL（EEPROM 地址 = 0x40000028）
        45. 7.1.2.45 DAC_FAULT_MSB（EEPROM 地址 = 0x4000002A）
        46. 7.1.2.46 LPF_A0_MSB（EEPROM 地址 = 0x4000002B）
        47. 7.1.2.47 LPF_A1（EEPROM 地址 = 0x4000002C）
        48. 7.1.2.48 LPF_A2（EEPROM 地址 = 0x4000002E）
        49. 7.1.2.49 .LPF_B1（EEPROM 地址 = 0x40000030）
        50. 7.1.2.50 NORMAL_LOW（EEPROM 地址 = 0x40000032）
        51. 7.1.2.51 NORMAL_HIGH（EEPROM 地址 = 0x40000034）
        52. 7.1.2.52 LOW_CLAMP（EEPROM 地址 = 0x40000036）
        53. 7.1.2.53 HIGH_CLAMP（EEPROM 地址 = 0x40000038）
        54. 7.1.2.54 DIAG_BIT_EN（EEPROM 地址 = 0x4000003A）
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 0-5V 电压输出
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 应用数据
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
6.3.18.1.2 EEPROM 编程过程

为了对 EEPROM 进行编程，EEPROM 分为 64 页，每页 2 字节。通过写入 2 字节 EEPROM 缓存，对 EEPROM 内存单元进行编程。通过选择 EEPROM 内存页面，缓存的内容被传输到 EEPROM 内存单元。

  1. 通过将 7 位 EEPROM 地址的高 6 位写入 EEPROM_PAGE_ADDRESS 寄存器来选择 EEPROM 页面
  2. 通过写入 EEPROM_CACHE 寄存器来加载 2 字节 EEPROM 缓存。
  3. 用户可以通过同时对 EEPROM_CTRL 寄存器中的 ERASE 位和 EEPROM_CTRL 寄存器中的 PROGAM 位写入 1 来进行擦除。