ZHCSGU8G June   2017  – February 2025 ISO1211 , ISO1212

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性 - 直流规格
    10. 5.10 开关特性 - 交流规格
    11. 5.11 绝缘特性曲线
    12. 5.12 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 测试电路
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 灌电流输入
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1 设置电流限制和电压阈值
          2. 8.2.1.2.2 散热注意事项
          3. 8.2.1.2.3 设计用于 48V 系统
          4. 8.2.1.2.4 设计用于超过 60V 的输入电压
          5. 8.2.1.2.5 浪涌、ESD 和 EFT 测试
          6. 8.2.1.2.6 将接口多路复用至主机控制器
          7. 8.2.1.2.7 状态 LED
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 拉电流输入
      3. 8.2.3 拉电流和灌电流输入（双向输入）
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 开发支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 相关链接
    4. 9.4 接收文档更新通知
    5. 9.5 支持资源
    6. 9.6 商标
    7. 9.7 静电放电警告
    8. 9.8 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

8.4.1 布局指南

ISO1211 和 ISO1212 的电路板布局可在两层板上完成。在场侧，将 RSENSE、CIN 和 RTHR 放置在顶层。使用底层作为场接地 (FGND) 平面。TI 建议使用 0603 封装的 RSENSE 和 CIN，以实现紧凑的布局，但也可以使用较大的尺寸 (0805)。CIN 电容是一种 50V 电容，采用 0603 封装。CIN 应尽可能靠近 ISO121x 器件。ISO1211 器件上的 SUB 引脚以及 ISO1212 器件上的 SUB1 和 SUB2 引脚必须保持未连接状态。对于组隔离设计，请通过过孔将 ISO121x 器件的 FGND 引脚连接到底层 FGND 平面。RTHR 电阻器可灵活放置，但连接到外部高电压的电阻器引脚不得放置在 ISO121x 器件引脚或 CIN 和 RSENSE 引脚 4mm 范围内，以避免在 EMC 测试过程中出现飞弧。

侧 1 只需要一个去耦电容。此电容应放置在顶层，使用底层作为 GND1。

若采用两层以上的电路板，可将两个 ISO121x 器件分别置于顶层与底层（背对背布局），以实现更紧凑的电路板设计。内层可用于布置 FGND。

图 8-17 和 图 8-18 展示了示例布局。

在某些设计中，尽管 LED 由 VCC1 供电，但仍需要将 LED 放置在场侧。在这种情况下，输送电流至 LED 的信号可以在内层路由，而不会影响数字输入模块的隔离，如 图 8-19 所示。为了提供充分的隔离，LED 必须在侧 1 的其他元件和连接之间至少保持 4mm 的间距。