ZHCSE99B October   2015  – October 2025 DRV425

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 磁通门传感器前端
        1. 6.3.1.1 磁通门传感器
        2. 6.3.1.2 带宽
        3. 6.3.1.3 用于内部补偿线圈的差分驱动器
        4. 6.3.1.4 磁场范围、超范围指示器和错误标志
      2. 6.3.2 分流检测放大器
      3. 6.3.3 电压基准
      4. 6.3.4 低功耗操作
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 线性位置检测
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 母线电流检测
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
        3. 7.2.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 电源去耦
      2. 7.3.2 上电启动和欠压
      3. 7.3.3 功率耗散
        1. 7.3.3.1 散热焊盘
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 接收文档更新通知
    5. 8.5 支持资源
    6. 8.6 商标
    7. 8.7 静电放电警告
    8. 8.8 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.2.2.2 详细设计过程

图 7-7 展示了差分梯度场测量电路的原理图。

DRV425 母线电流检测电路图 7-7 母线电流检测电路

在图 7-7 中，两个 DRV425 传感器的反馈环路组合在一起，以便直接产生差分输出 VDIFF，该差分输出与母线孔洞内检测到的磁场差异成正比。两个补偿线圈串联并由补偿线圈驱动器的单侧（每个 DRV425 的 DRV1 引脚）驱动。因此，两个驱动器级都确保与磁场 BR 和 BL 成正比的电流被驱动通过相应的补偿线圈。流经两个补偿线圈的电流差（以及因此传感器之间产生的磁场差异）流过电阻 R3 并由分流检测放大器 U2 检测。与母线孔洞内的共模磁场成正比的电流流经 R 1 和 R2 并由分流检测放大器 U1 检测。

按照以下步骤，使用输出 VCM 验证传感器在母线孔洞中的位置是否正确：

  1. 在没有电流流经母线和位于母线孔洞中部的 PCB 的情况下，测量 VCM。该值是偏移电压 VOFFSET。VOFFSET 值仅取决于杂散磁场，随传感器的绝对位置变化很小。
  2. 施加电流通过母线，并沿母线孔洞中的 y 轴移动 PCB，如图 7-6 所示。如果 VCM = V OFFSET，则 PCB 位于孔洞的中心。

图 7-7 中所示的电路灵敏度漂移性能由外部电阻器 R1、R2 和 R3 的温度系数决定。选择低漂移电阻器，以实现出色的传感器性能。对于总体系统误差计算，还应考虑热膨胀对 PCB 和母线的影响。

由于驱动器能力有限，在此应用中不能使用 DRV425 的内部电压基准。OPA320 (U3) 是一款低噪声运算放大器，短路电流能力为 ±65mA，用于支持所需的补偿电流。

此设计的优势在于简洁：两个 DRV425 器件消减了电流，无需使用额外元件。补偿线圈串联连接将电压摆幅减半，并将传感器的测量范围也降低 50%。如果需要更大的检测范围，请独立运行两个传感器并使用差分放大器或 ADC 来减去两个电压输出 (VOUT)。

使用 ERROR 输出在系统级实现快速过流检测。