ZHCSE99B October   2015  – October 2025 DRV425

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 磁通门传感器前端
        1. 6.3.1.1 磁通门传感器
        2. 6.3.1.2 带宽
        3. 6.3.1.3 用于内部补偿线圈的差分驱动器
        4. 6.3.1.4 磁场范围、超范围指示器和错误标志
      2. 6.3.2 分流检测放大器
      3. 6.3.3 电压基准
      4. 6.3.4 低功耗操作
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 线性位置检测
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 母线电流检测
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
        3. 7.2.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 电源去耦
      2. 7.3.2 上电启动和欠压
      3. 7.3.3 功率耗散
        1. 7.3.3.1 散热焊盘
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 接收文档更新通知
    5. 8.5 支持资源
    6. 8.6 商标
    7. 8.7 静电放电警告
    8. 8.8 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.2.1.2 详细设计过程

请按照以下过程，形成基于 DRV425 的线性位置传感器设计：

  1. 选择合适的电源电压 VDD，以支持所需的磁场范围（请参阅表 7-1 了解基准）。
  2. 选择合适的基准电压 VREFIN，以支持所需的磁场范围并符合所需 ADC 的输入电压规格。
  3. 使用 DRV425 系统参数计算器 中的 RangeCalculator 选项卡选择合适的分流电阻值 RSHUNT。
  4. 基于 DRV425 的线性位置传感器的灵敏度漂移性能由外部分流电阻器的温度系数决定。选择低漂移分流电阻器，以实现出色的传感器性能。
  5. 使用 DRV425 系统参数计算器 的 DRV425 系统参数）选项卡中的“检测到的问题表格” 验证系统响应。

磁场振幅是与磁体的距离及磁体形状的函数，如图 7-3 所示。如果要测量的磁场超过 3.6mT，请参阅磁体数据表，计算和 DRV425 之间的适当最小距离，避免磁通门传感器饱和。

DRV425的高灵敏度可能需要屏蔽检测区域，以避免不需要的磁场源（例如地球磁场）造成影响。或者，可以使用另一个 DRV425 执行差值测量，以消除静态磁场源的影响，如图 7-2 所示。图 7-4 展示了此类电路中两个 DRV425 器件产生的差分电压。

DRV425 采用两个 DRV425 器件的差分线性位置检测图 7-2 采用两个 DRV425 器件的差分线性位置检测