ZHCAFX2 October   2025 LM5171 , LM5171-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2通道之间的电路差异
  6. 3外部误差放大器电路的设计
  7. 4附加 OVP 电路的设计
  8. 5常用设置
  9. 6具有 ISETx 钳位的恒流运行
  10. 7总结
  11. 8参考资料

外部误差放大器电路的设计

在电压模式下运行 CH2 时,需要使用外部误差放大器。图 3-1 展示了两个通道的方框图。外部误差放大器 OPA1 及 OPA2 用于 CH2。

 两个 LM5171 通道,具有 CH2 的外部运算放大器图 3-1 两个 LM5171 通道,具有 CH2 的外部运算放大器

在设计外部误差放大器电路时,应考虑以下特性、

  • 使用两个外部回路时,两个回路的切换。
  • 基准电压(VSETH 和 VSETL)的软启动。

图 3-2 展示了一个示例。

使用了两个共阴极二极管,以便具有较高输出电压的误差放大器接管环路。

为误差放大器及逻辑门提供 LM5171 VDD 引脚。VDD 引脚为内部 5V 线性稳压器的输出。从 VDD 汲取的电流不要超过 10mA。

VREF 是容差为 1% 的 3.5V 电压基准,具有 2mA 负载能力。在 VREF 引脚之间使用电阻分压器来设置基准电压(VSETH 和 VSETL)。

在选择 VSETH 和 VSETL 电压电平时,请注意运算放大器共模输入电压范围。凭借 VDD 电源,LM358 系列等广泛使用的运算放大器在整个温度范围内具有 0V 至 VDD 至 2V 的共模输入电压范围。在这种情况下,1V 至 2.5V 对于 VSETH 和 VSETL 是一个合理的范围。

 考虑软启动及环路交接的外部运算放大器电路图 3-2 考虑软启动及环路交接的外部运算放大器电路

当 CH2 关断(EN2 = 低电平)或在升压模式(DIR2 = 低电平)下运行时,将 VSETL 拉至低电平。同样,当 CH2 关断(EN2 = 低电平)或在降压模式(DIR2 = 高电平)下运行时,将 VSETH 拉至低电平。NAND 门适合此应用,如图 3-2 所示。

在设计电阻分压器时,从 VREF 引脚汲取 0.1mA 开始,Rb 和 Rt 计算公式如下,

方程式 1. R b = V S E T H 0.1 m A
方程式 2. Rt=VREF-VSETH0.1mA

Rt、Rb 和 Ct 的时间常数决定软启动时间,

方程式 3. t S S 2 R b R t × C t

其中 Rb||Rt 是 Rb 和 Rt 的并联电阻,

方程式 4. R b R t = R b × R t R b + R t

在本例中,选择了 2V 基准电压。选择了 Rb = 15kΩ 和 Rt = 20kΩ。

软启动时间为 10ms 时,Ct 计算公式如下,

方程式 5. Ct=tSS2RbRt=583nF

选择了 560nF 电容器。

选择了 2N7002 对 Ct 进行放电。选择了 RLIM = 10Ω 来限制流经 MOSFET 的峰值电流。