3 总结

通过对热阻进行适度更改（旧芯片为 44.2°C/W，采用 JEDEC 标准布局的新芯片为 47.2°C/W），芯片尺寸减小了 72%。使用了 EVM 来捕获 R_ϴJA 值，EVM 表示 现场测量 LDO 热阻 部分所述测试方法的更准确布局。测试方法表明，旧芯片和新芯片的 R_ϴJA 结果相似，旧芯片为 17.5°C/W，新芯片为 20.7°C/W。JEDEC 委员会旨在利用 ψ 参数准确估算电路板热测量给出的结温。热感图像是旧和新 TPS748 LDO 捕获的。使用 ψ_JT 参数时，旧芯片和新芯片之间的结温与 JEDEC 仿真和 EVM 测量值相关，旧芯片为 72.05°C 和新芯片为 75.3°C。最终，旧新 TPS748 LDO 器件的热性能相当。