建议添加一个串联电阻器（其值取决于用例并按照处理器特定数据表限制电流）。当消耗（需要）更高电流的负载（高于处理器特定数据表值）连接到处理器 GPIO 时，建议在连接到负载之前缓冲处理器 IO。
通用处理器 LVCMOS IO 接口指南：
- 很多处理器 IO 都没有失效防护功能。在处理器电源斜升之前，不建议施加任何外部输入
- 处理器 LVCMOS IO 指定了压摆率要求，建议不要应用慢速斜坡输入或在输入端连接电容器
- 不建议在 LVCMOS IO 输出端连接大于 22pF 的电容负载。请将电容器设置为 DNI，或根据用例执行仿真。
- 在复位期间和复位之后，处理器 IO 缓冲器（TX（输出）和 RX（输入）和内部拉电阻器（上拉和下拉电阻器））会关闭。建议在可悬空的处理器 IO 驱动的所连接器件附近添加一个并联拉电阻器（以防止所连接器件输入在由主机驱动前处于悬空状态）。
- 对于连接了布线但未被主动驱动的任何处理器 IO（焊盘），建议使用一个并联拉电阻器 (47kΩ)。当添加并联拉电阻器不可行时，请确保布线远离噪声信号
- 不允许也不建议将可配置为备选功能的处理器 IO 直接连接到电源或接地（包括引导模式输入）。定制电路板可能存在固件配置问题，错误地将这些本应设为输入的 LVCMOS IO 配置为输出并将其驱动为逻辑高电平。
- 请验证处理器输出的电容器负载（当连接任何大于 22pF（取决于具体用例，最大值）的电容器时，建议进行仿真），以及输入信号的压摆率（LVCMOS 输入压摆率应为 1000ns 或更小）
- 建议验证处理器 IO（输入）与所连接器件 IO（输出）之间的 IO 电平兼容性
- 当外部 IO 直接连接到处理器输入时，提供外部 ESD 保护配置
- 确保为所有 IO 启用 PADCONFIG 寄存器中的 ST_EN 位
- 确保处理器 IO 使用的上拉或下拉电阻值大于 4.7kΩ
- 确保为处理器 IO 安装了上拉或下拉电阻器。当同时提供上拉和下拉电阻器配置时，按三焊盘布局放置电阻器