ZHCAF29 March 2025 AM62L
NAND 闪存的高电平有效就绪和低电平有效繁忙 (R/B#) 输出为漏极开路,并连接到 GPMC0_WAIT0 和 GPMC0_WAIT1 信号(取决于配置)。建议在靠近所连接器件处提供上拉电阻(通常使用 4.7kΩ 或 10kΩ)。