3 设计步骤

1. 添加 EEPROM 仿真库。MSPM0 软件开发套件 (SDK) 包括 EEPROM 仿真库。
   注： EEPROM 仿真库基于闪存 API，因此也需要来自 SDK 的 drivelib。
   对于 A 型，需要包含以下文件：
   1. eeprom_emulation_type_a.c
   2. eeprom_emulation_type_a.h
   图 3-1 EEPROM 仿真文件
2. 在 eeprom_emulation_type_a.h 的代码中添加包含路径。

   用户可以在 eeprom_emulation_type_a.h 中修改起始地址、要使用的扇区数和记录大小。用于 EEPROM 仿真的默认闪存地址为 0x00001000，默认使用两个扇区，因此占用 0x00001000-0x000017ff。此外，仿真 EEPROM 的默认大小为 128 字节。

   1. #define EEPROM_EMULATION_ADDRESS (0x00001000)
   2. #define EEPROM_EMULATION_SECTOR_ACCOUNT (2)
   3. #define EEPROM_EMULATION_RECORD_SIZE (128)
3. 将全局数组定义为随机存取存储器 (RAM) 中的缓冲器。每次打开系统电源时，都会使用初始函数将仿真 EEPROM 的数据从闪存加载到该缓冲器中。数组大小应等于步骤 2 中的记录大小。
   • uint32_t EEPROMEmulationBuffer[EEPROM_EMULATION_DATA_SIZE / sizeof(uint32_t)]；
4. 在 main() 的开头添加初始 函数，通常在 SYSCFG_DL_init() 之后。此操作可正确格式化相关的闪存区域并正确分配全局变量。在步骤 3 中,初始函数 EEPROM_TypeA_init() 还会搜索活动记录并将数据从闪存加载到缓冲器。
   • EEPROM_TypeA_init(&EEPROMEmulationBuffer[0])；
   图 3-2 EEPROM 初始化
5. 用户可以在初始化后根据需要读取或修改 RAM 中的缓冲器。当需要存储从缓冲器到闪存的数据时，请调用 EEPROM_TypeA_writeData() 在闪存中创建新记录。
   注： 断电后，RAM 中的数据会丢失。为实现断电后的数据存储，请至少执行一次该功能。
   • EEPROM_TypeA_writeData(&EEPROMEmulationBuffer[0])；
   图 3-3 EEPROM 写入
6. 根据 gEEPROMTypeAEraseFlag 添加擦除函数。再次写入数据之前需要擦除闪存，擦除的最小单位为扇区。对于 EEPROM 仿真，在一个扇区已满后，设置 gEEPROMTypeAEraseFlag。用户可以根据标志调用 EEPROM_TypeA_eraseLastSector()。例如、在步骤 5 中的 EEPROM_TypeA_writeData() 之后添加以下代码。用户还可以根据需要选择一个适当的时间点来擦除整个扇区。
   • EEPROM_TypeA_eraseLastSector()；
   图 3-4 EEPROM 擦除

在完成步骤 1 到步骤 6 之后，将在应用中实现 EEPROM 仿真 A 型。请参阅 节 5 了解流程。