该子系统演示了如何在应用中实现电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM) 仿真（A 型）。EEPROM 仿真允许器件在闪存存储器中仿真 EEPROM，并使其具有与 EEPROM 等效的耐用性。使用闪存存储器可获得以下功能：

• 意外断电后保留数据
• 适用于不同应用的灵活结构
• 用户配置的擦除操作

下载该示例的代码。

MSPM0 有两种类型的 EEPROM 仿真库。A 型是使用静态随机存取存储器 (SRAM) 缓冲器存储一个大型数据块（64 字节、128 字节或 256 字节）。有关库的详细信息，请参阅 EEPROM 仿真 A 型设计 应用说明。B 型 是存储许多带有项目标识符的小数据项（16 位或 32 位）。有关库的详细信息，也请参阅 EEPROM 仿真 B 型设计 应用说明。

该子系统介绍了 A 型 的用法。有关 B 型 子系统,请参阅使用闪存（B 型）子系统设计的仿真 EEPROM。

图 1-1 展示了该子系统的功能图。

此应用需要闪存。

根据表 2-1 中的要求，该示例与表 3-1 中列出的器件兼容。相应的 EVM 可用于原型设计。

1. 添加 EEPROM 仿真库。MSPM0 软件开发套件 (SDK) 包括 EEPROM 仿真库。
   注： EEPROM 仿真库基于闪存 API，因此也需要来自 SDK 的 drivelib。
   对于 A 型，需要包含以下文件：
   1. eeprom_emulation_type_a.c
   2. eeprom_emulation_type_a.h
   图 4-1 EEPROM 仿真文件
2. 在 eeprom_emulation_type_a.h 的代码中添加包含路径。

   用户可以在 eeprom_emulation_type_a.h 中修改起始地址、要使用的扇区数和记录大小。用于 EEPROM 仿真的默认闪存地址为 0x00001000，默认使用两个扇区，因此占用 0x00001000-0x000017ff。此外，仿真 EEPROM 的默认大小为 128 字节。

   1. #define EEPROM_EMULATION_ADDRESS (0x00001000)
   2. #define EEPROM_EMULATION_SECTOR_ACCOUNT (2)
   3. #define EEPROM_EMULATION_RECORD_SIZE (128)
3. 将全局数组定义为随机存取存储器 (RAM) 中的缓冲器。每次打开系统电源时，都会使用初始函数将仿真 EEPROM 的数据从闪存加载到该缓冲器中。数组大小应等于步骤 2 中的记录大小。
   • uint32_t EEPROMEmulationBuffer[EEPROM_EMULATION_DATA_SIZE / sizeof(uint32_t)]；
4. 在 main() 的开头添加初始 函数，通常在 SYSCFG_DL_init() 之后。此操作可正确格式化相关的闪存区域并正确分配全局变量。在步骤 3 中,初始函数 EEPROM_TypeA_init() 还会搜索活动记录并将数据从闪存加载到缓冲器。
   • EEPROM_TypeA_init(&EEPROMEmulationBuffer[0])；
   图 4-2 EEPROM 初始化
5. 用户可以在初始化后根据需要读取或修改 RAM 中的缓冲器。当需要存储从缓冲器到闪存的数据时，请调用 EEPROM_TypeA_writeData() 在闪存中创建新记录。
   注： 断电后，RAM 中的数据会丢失。为实现断电后的数据存储，请至少执行一次该功能。
   • EEPROM_TypeA_writeData(&EEPROMEmulationBuffer[0])；
   图 4-3 EEPROM 写入
6. 根据 gEEPROMTypeAEraseFlag 添加擦除函数。再次写入数据之前需要擦除闪存，擦除的最小单位为扇区。对于 EEPROM 仿真，在一个扇区已满后，设置 gEEPROMTypeAEraseFlag。用户可以根据标志调用 EEPROM_TypeA_eraseLastSector()。例如、在步骤 5 中的 EEPROM_TypeA_writeData() 之后添加以下代码。用户还可以根据需要选择一个适当的时间点来擦除整个扇区。
   • EEPROM_TypeA_eraseLastSector()；
   图 4-4 EEPROM 擦除

在完成步骤 1 到步骤 6 之后，将在应用中实现 EEPROM 仿真 A 型。请参阅 节 6 了解流程。

1. eeprom_emulation_type_a.h. 中有三个用户可配置的参数。可根据应用程序的要求相应地配置这些参数。要设置适当的参数，请参阅 EEPROM 仿真 A 型设计 应用说明中的应用方面 部分。
   1. 记录大小：64、128 或 256 字节
   2. 使用的扇区数：至少 2 个
   3. 扇区地址
2. 要评估闪存使用情况和耐写次数，请参阅 EEPROM 仿真 A 型设计 应用说明中的应用方面 部分。
3. 如果在 EEPROM_TypeA_writeData 或 EEPROM_TypeA_eraseLastSector 期间断电，则可能会损坏数据或标头。

   要检测损坏并从损坏中恢复，请执行 EEPROM_TypeA_init。加电后立即调用 EEPROM_TypeA_init。EEPROM_TypeA_init 会检查所有记录的标头以确认 EEPROM 仿真的数据存储是否正确，并在必要时执行格式修复。

   在 EEPROM 仿真的结构中，标头可显示相应记录的状态。一共有四种状态。节 4 中详细介绍了这四种状态之间的变化。

图 6-1 显示了 EEPROM 仿真 A 型 的代码流程图，其中介绍了如何在应用代码中添加函数来实现 EEPROM 仿真。这里需要三个功能：EEPROM_TypeA_init、EEPROM_TypeA_writeData、EEPROM_TypeA_eraseLastSector。

实现此功能需要六个函数。除 节 6 中提到的三个函数外，其余三个函数主要由 EEPROM_TypeA_init 调用。

• EEPROM_TypeA_init
• EEPROM_TypeA_writeData
• EEPROM_TypeA_eraseLastSector
• EEPROM_TypeA_readData
• EEPROM_TypeA_searchCheck
• EEPROM_TypeA_repairFormat

此外，七个全局变量用于记录 EEPROM 仿真的状态。有四个全局变量用于跟踪活动记录。

• uint32_t gActiveRecordAddress
• uint32_t gNextRecordAddress；
• uint16_t gActiveRecordNum；
• uint16_t gActiveSectorNum；

gActiveRecordAddress 和 gNextRecordAddress 用于存储活动记录相关地址。

gActiveRecordNum 和 gActiveSectorNum 用于跟踪活动记录的位置。

有三个全局变量用于表示标志。

• bool gEEPROMTypeASearchFlag；
• bool gEEPROMTypeAEraseFlag；
• bool gEEPROMTypeAFormatErrorFlag；

当存在活动记录时设置 gEEPROMTypeASearchFlag。

当扇区已满且需要擦除时设置 gEEPROMTypeAEraseFlag。

当发现格式错误时设置 gEEPROMTypeAFormatErrorFlag。

• 德州仪器 (TI)，EEPROM 仿真 A 型设计应用说明
• 德州仪器 (TI)，EEPROM 仿真 B 型设计应用说明
• 德州仪器 (TI)，使用闪存（B 型）子系统设计的仿真 EEPROM
• 德州仪器 (TI)，下载 MSPM0 SDK
• 德州仪器 (TI)，详细了解 SysConfig