ZHCAD39B March   2013  – September 2023 UCC27511 , UCC27531 , UCC27532 , UCC27533 , UCC27536 , UCC27537 , UCC27538

 

  1.   1
  2.   使用单输出栅极驱动器实现高侧或低侧驱动
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2高侧驱动方法
    1. 2.1 栅极驱动变压器解决方案
    2. 2.2 具有电容式信号隔离的自举辅助电源解决方案
    3. 2.3 具有隔离式高侧栅极驱动器的隔离式辅助电源解决方案
    4. 2.4 采用隔离式高/低侧栅极驱动器的自举辅助电源解决方案
    5. 2.5 栅极驱动变压器解决方案
  6. 3结论
  7. 4修订历史记录

摘要

在许多隔离式电源应用中，功率 MOSFET 通常采用某种形式的桥配置，用于优化电源开关和电源变压器，从而提高效率。这些桥配置创建了高侧 (HS) 和低侧 (LS) 两种开关类型。UCC277xx、UCC272xx 和 LM510x 系列等专用 HS 和 LS 栅极驱动器 IC 可在单个 IC 中为 HS 开关管以及 LS 开关管提供输出。

相比之下，某些应用通过使用单输出栅极驱动器（例如 UCC2753x 或隔离式 UCC53xx 系列），而不是将 HS 和 LS 组合为一个半桥驱动器，也能实现巨大优势。单输出驱动器的位置可以更靠近电源开关，带来更大的布局灵活性和更少的寄生效应，从而实现出色的开关性能。