正弦测试在 50Hz、100Hz、200Hz、500Hz、1000Hz 和 2000Hz 的固定正弦振动频率下进行，所有三个轴的加速度均为 10g。捕获了这些测试的相位噪声图。以下各图对应 DLF-4 封装的 Z 轴。在每张图中都可以观察到在振动频率下出现的杂散。根据测试结果和捕获的数据，计算了 BAW 振荡器以 ppb/g 为单位的振动灵敏度。

以下各图中显示了相位噪声图相对于振动频率的合并叠加波形。这些图显示了 DLE-4、DLF-4、DLE-6 和 DLF-6 封装的波形。

针对 LVCMOS 和 LVPECL 计算和绘制了 ppb/g。以下每幅图显示了器件在 10g 加速度时的 Z 轴数据。

针对经过测试的所有振动频率绘制了采用 DLE 和 DLF 封装的 LVCMOS 和 LVPECL 器件上为 LMK6x 计算出的 ppb/g 值。这些计算结果基于不同类型 LMK6x 封装和输出类型的各种振动频率在相位噪声测量中的振动频率杂散。节 3.1.1中提供了公式。图 3-12 显示了振动频率与 ppb/g 值的关系。根据这些图，LMK6x LVCMOS 输出类型的振动灵敏度小于 1ppb/g，而 LMK6x 差分输出的振动灵敏度小于 2ppb/g。在图 3-12 中，上面的图是 X 轴，中间的图是 Y 轴，下面的图是 Z 轴 ppb/g 与振动频率的关系。图 3-12 中的蓝线代表 DLE 封装，绿线代表 DLF 封装。晶体振荡器的振动灵敏度在 10ppb/g 范围，这表明与晶体振荡器相比，BAW 振荡器的振动灵敏度更低。