2 选择器件

通常，对于汽车高压输入反激式电源设计，应当在尽可能降低成本的基础上优化所有元件额定值，而又不能违背爬电距离和间隙规则。例如，使用一个较大的大容量输入电容器也许可行，但使用多个较小的电容器可能更便宜或尺寸更小。大型元件也可能具有较大的寄生电容，这会使符合 EMI 法规要求变得更加困难。

许多因素都会影响变压器和 EMI 滤波电感器等磁性元件的设计和选择。磁性元件对于隔离式拓扑尤其重要，因为它们在确定整体系统性能方面发挥着重要作用。首先，这些元件必须设计为能够以足够的裕度适应峰值和均方根电流，并且符合汽车产品的隔离要求。然后，必须考虑形状和磁芯类型以优化磁通密度。最后，必须选择绕组和端接结构。磁性元件设计是一个复杂的迭代过程。通常建议与可提供自定义解决方案的外部供应商合作。

在选择功率器件时，必须考虑最大输入电压。对于 400V 电池系统，可以使用硅或氮化镓 FET。对于 800V 电池系统，碳化硅 (SiC) MOSFET 由于具有快速开关和高电压额定值（通常为 900V 或更高），变得越来越受欢迎。在任一种情况下，具有适当的驱动强度都可确保整个寿命期的可靠性。

反激式控制器中集成的硅 MOSFET 驱动器可能无法直接驱动 SiC MOSFET。在这些情况下，建议使用外部栅极驱动器电路或 UCC27531A-Q1 等低侧栅极驱动器。

必须仔细考虑反激式控制器的 UVLO 关断阈值。对于 SiC 应用，建议使用大于 8V 的 UVLO 关断电压，来确保 SiC MOSFET 的寿命可靠性。低于 8V 的驱动电压会导致功率器件在饱和区域运行，从而导致高导通损耗和发热。但是，硅 MOSFET 通常支持低于 8V 的驱动电压。