对于振荡器，振动和冲击是导致相位噪声和抖动增加、移频和尖峰甚至谐振器及其封装物理损坏的常见原因。与石英晶体相比，LMK6C/D/P/H 质量较小且频率较高，因此具有更强的抗振性和抗冲击性。这是由于质量小，通过加速而施加到器件上的力要小得多。LMK6C/D/P/H BAW 振荡器同时满足 MIL_STD_883F 方法 2002 条件 A（振动）和 MIL_STD_883F 方法 2007 条件 B（冲击）标准，在振动和冲击事件后不会出现性能下降（抖动、稳定性、一般器件性能）。

除了军用标准测试外，LMK6C/D/P/H BAW 振荡器还在多种条件下进行了应力测试。BAW 振荡器不仅在承受应力时产生最小的频移（由冲击引起），还能在事件发生后恢复到之前的水平：

图 5-4 1500g 时的 LMKD/P/H 冲击效应

图 5-5 1500g 时的 LMK6C 冲击效应

在振动方面，BAW 振荡器受振动会产生最小的频率偏差，约为 1ppb/g。这比晶体振荡器解决方案提高了一个数量级。

图 5-6 LMK6C/D/P/H BAW 振荡器与石英晶体振荡器的振动灵敏度比较

在 10 年老化期间，LMK6C/D/P/H BAW 振荡器可保证 ±25ppm 的整体频率稳定性。图 5-7 和图 5-8 分别显示了 LMK6P/D/H 差分 BAW 振荡器和 LMK6C 单端 BAW 振荡器的老化趋势。

图 5-7 LMK6P/D/H 差分老化

图 5-8 LMK6C 单端老化