4 效率和开关性能

例如，如果栅极电荷为 156nC 的 MOSFET 需要在 20ns 内导通和关断，则栅极驱动器需要提供 7.8A 的峰值拉电流和灌电流，如Equation1 所示。

UCC27614 即使在 150C 的结温下也能提供 10A 电流，如图 4-1 所示。整个温度范围内的高驱动强度使驱动器 IC 能够始终如一地提供快速稳定的上升/下降时间，从而确保无论结温如何，FET 上的损耗都非常低。

由于这些应用中的功率 MOSFET 在高外壳温度下运行，因此栅极驱动器需要在任何温度下提供足够的驱动电流，以便更大限度地缩短开关 MOSFET 的上升和下降时间。更快的上升和下降时间使得 MOSFET 能够在更短的时间内处于欧姆区域，并更快地进入饱和区域，从而减少晶体管中的电阻损耗。此外，还应该更大限度地减少栅极驱动器的传播延迟，以便优化死区时间，从而降低损耗和提高效率。