ZHCABM3B October 2022 – April 2024 DP83TC812R-Q1 , DP83TC812S-Q1 , DP83TC813R-Q1 , DP83TC813S-Q1 , DP83TC814R-Q1 , DP83TC814S-Q1
2.1 原理图
MDI、参考时钟和电源网络的原理图和正确的元件对于 100Base-T1 PHY 的性能至关重要。本节显示了 OA TC-1 测试期间使用的建议原理图和元件值。对于 TC10 操作，唤醒引脚必须拉至逻辑高电平状态。
图 2-1 电源网络：适用于具有睡眠模式要求的应用 (DP83TC812)
图 2-2 电源网络：适用于具有睡眠模式要求的应用 (DP83TC813)
图 2-3 电源网络：对于没有睡眠模式要求的应用（DP83TC812 和 DP83TC814）
图 2-4 电源网络：适用于不具有睡眠模式要求的应用 (DP83TC813)
图 2-5 带外设的典型 TC-10 应用（DP83TC812 和 DP83TC813）
图 2-6 带外设的典型 DP83TC814 应用
图 2-7 MDI 和晶体原理图表 2-1 参数、元件和值
| 参数 | 元件 | 值 |
|---|---|
| VDDIO | VDDMAC | 1.8V、2.5V 或 3.3V |
| 去耦电容器 VDDIO | 10nF |
| 去耦电容器 VDDMAC | 10nF、470nF |
| VDDIO | VDDMAC 的组合铁氧体磁珠(1) | BLM18KG601SH1 |
| VDDA | 3.3V |
| 去耦电容器 VDDA | 10nF、470nF |
| （可选）：用于 VDDA 的铁氧体磁珠 | BLM18KG601SH1 |
| Vsleep | 3.3V |
| 去耦电容器 Vsleep |
0.1μF |
| 直流阻断电容器（1% 精度，100V） | 0.1μF |
| 共模扼流圈 |
DLW43MH201XK2L、DLW32MH201XK2、AE2002、ACT1210L-201 |
| 共模端接电阻（1% 精度，0.75W，尺寸：2010） | 1kΩ |
| MDI 耦合电容器 | 4.7nF |
| ESD 分流器（5% 精度，0.125W，尺寸：0805 | 100kΩ |
| 隔离电阻器 1（0.25W，尺寸：1206） | 0Ω |
| 隔离电阻器 2（0.25W，尺寸：1206） | 0Ω |
| 隔离电容 | 未组装 |
| R_XI | 100Ω |
| R_XO | 晶体瓦数规格所需的最小值 |
| ESD（可选） | 可使用负载电容 < 5pF 且符合 OPEN Alliance 100BASE-T1 ESD 抑制器件 EMC 测试规范 标准的 ESD 器件 |
1.
如果 VDDIO 与 VDDMAC 分开，在 VDDIO 上便需要额外的铁氧体磁珠和 0.47μF 电容器。此铁氧体磁珠具有相同的元件编号：BLM18KG601SH1。