1 引言

BQ769x2 系列电池监测器件设计有集成式高侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 CHG 和 DSG。高侧开关可实现通过简单的通信接口轻松连接电池（以 PACK- 基准），这样在电池受到保护时仍然可以运行。数据表和评估模块原理图及图 1-1 展示了高侧电流路径上的 FET。BQ769x2 使用以共漏极配置连接的串联 FET。充电 FET 导通时将充电器下拉到电池电压，放电 FET 导通时将负载上拉到 PACK+。当系统规格包括隔离式接口或要求低侧开关时，或者设计中采用的 FET 不易在高侧驱动时，可能需要使用低侧开关。图 1-2 展示了低侧的 FET 和共漏极配置。放电 FET 导通时将 PACK- 下拉到电池负极，充电 FET 导通时将充电器负极上拉到电池负电压。

BQ769x2 不包括集成的低侧驱动器，但具有数字输出 DDSG 和 DCHG，它们综合了 FET 输出状态与预充电和预放电状态，并发出 FET 的理想状态信号。若要实施驱动器，宜查看 FET 栅极所需的电压范围。电路“GND”基准位于电池负极的情况下，当放电 FET 关断时，放电 FET 栅极位于 GND 电平，PACK- 可由负载电阻拉至 PACK+，如图 1-3 中所示。系统在此状态下无法充电，充电 FET 也可以通过 VBAT 的栅极电压关断。当放电 FET 导通时，其栅极电压升高到电压 V_FETON，该电压将使放电 FET 导通。PACK- 下拉至 GND 电压，如图 1-4 中所示。充电 FET 栅极也可以由 V_FETON 电压导通，以消除体二极管上的压降并避免 FET 发热。忽略检测电阻和 FET 电阻的压降，PACK- 电压处于 GND。

当充电 FET 在连接充电器的情况下关断时，PACK- 电压将低于 GND 电平。若要使充电 FET 保持关断，栅极电压必须接近 PACK- 电压，如图 1-5 中所示。当充电 FET 在连接充电器的情况下导通时，栅极上升到 V_FETON 电压，PACK- 上拉至 GND 电平，参见图 1-6。