ZHCAAN7A June   2020  – July 2021 LM60430 , LM60430-Q1 , LM60440 , LM60440-Q1

 

  1.   商标
  2. 1引言
  3. 2增强型 HotRod QFN – 经过优化的 EMI 性能
    1. 2.1 引言
    2. 2.2 增强型 HotRod QFN 封装
    3. 2.3 增强型 HotRod QFN 引脚排列
    4. 2.4 FCOL 封装与增强型 HotRod QFN 封装的 EMI 结果对比分析
  4. 3增强型 HotRod QFN - 针对制造进行了优化
  5. 4增强型 HotRod QFN - 针对热性能进行了优化
    1. 4.1 引言
    2. 4.2 增强型 HotRod QFN 热性能
  6. 5总结
  7. 6参考文献
  8. 7Revision History

增强型 HotRod QFN 引脚排列

最佳 EMI 性能的另一个关键特性是优化引脚排列的能力。LM60440 器件经过优化的引脚排列如图 2-5 中所示。LM60440 具有用于输入电源的并行引脚以及 GND 引脚,可实现高频输入电容器的对称放置,并将两个相等的并联电感的等效寄生环路电感减半。因此,循环输入电流会产生反向磁场,从而消除 H 场并减少辐射发射。此外,通过执行高 di/dt 输入环路的对称布局,产生的(反向)磁场可以相互抵消。为了进一步降低寄生电感,请在 PCB 第 2 层的 L1 和 L2 环路下方(顶层电源电路正下方)放置一个连续的接地平面,用于返回电流(图 2-8)。此外,LM60440 器件能方便地在内部路由开关节点引脚。第二个开关节点引脚与 BOOT 引脚(内部高侧驱动器的自举电源电压)紧邻放置。这简化了启动电容器的布线并减小了 SW 面积。启动电容器和 VCC 电容器的紧邻放置降低了栅极驱动器电路和在 MOSFET 开关期间承载高频电流的换向电源环路的寄生电感,最终减少了传导和辐射发射。

GUID-608693B6-7A88-4B9B-93BA-D20A7D886FC5-low.gif图 2-7 LM604x0 引脚排列
GUID-B7C319D2-1B2D-40BD-B46E-E9BC9E30A465-low.gif图 2-8 具有并行输入环路的 LM604x0 布局

LM60440 经过优化的引脚排列可实现密集布局和紧凑型整体解决方案尺寸(图 2-9)。

GUID-7EC2CFFA-8B06-4BEE-AEC3-021A611E1198-low.png图 2-9 LM60440AQEVM 解决方案尺寸