正如Topic Link Label1 中所述，增强型 HotRod QFN 封装由标准 QFN 封装和 FCOL 封装演变而来。在深入研究全新封装技术之前，了解其每个父封装结构的优点很重要。

标准 QFN 封装具有将器件连接到引线框的引线键合（图 2-1）。这些引线键合的电感量级为 2nH，在开关事件期间，其换向电流可约为 2A/ns，这会使开关节点上的电压过冲高达 4–5V。此外，器件封装引线键合对电源环路的寄生电感影响很大，在这种环路中，快速开关（电流和电压）边沿（以及与体二极管反向恢复和 MOSFET COSS 充电相关的可能前沿振铃）谐波含量很高。相应的开关节点振铃会对 H 场和 E 场耦合造成严重威胁，从而增加传导和辐射发射（图 2-2）。

图 2-1 标准 QFN 封装图示

图 2-2 开关节点波形（标准 QFN 封装）

LMR33630 采用 FCOL 封装技术（如图 2-3 所示），通过翻转引线框上的裸片来消除引线键合，从而实现卓越的 EMI 性能。开关节点波形如图 2-4 所示，消除了振铃。这种技术的代价是需要通过封装的所有引脚散发热量。每个引脚的物理尺寸受限，而且没有用于散热的专用接地 DAP，因此与标准 QFN 封装相比，FCOL 封装的散热性能有限。Topic Link Label4 中对该观察结果进行了更为详细的论述。

图 2-3 FCOL 封装图示

图 2-4 开关节点波形（FCOL 封装）

TI 全新的增强型 HotRod QFN 封装提供了下一代技术，可在标准 QFN 引脚排列中提供低 EMI、高功率密度解决方案，以提高设计的熟悉度和灵活性。LM60440 和 LM60440-Q1 器件是宽输入电压同步降压转换器，专为低噪声和 EMI 而设计。LM60440 器件具有 3.8V 至 36V 的输入电压范围，可提供高达 4A 的负载电流。LM60440 器件具有相同的 FCOL 技术以去除引线键合（预期可获得相同的 EMI 性能），但使用与标准 QFN 封装相一致的 PowerPad（引脚 13），以实现更好的散热和性能。总之，增强型 HotRod QFN 封装技术可提供优良 EMI 性能和良好热性能（详见Topic Link Label4）。以下部分更详细地介绍了增强型 HotRod QFN 引脚排列（图 2-5）。

图 2-5 LM60440 封装

图 2-6 LM60440 开关节点