3 初级侧调节 (PSR) 反激式拓扑

PSR 反激式拓扑不需要光耦合器或三级绕组，并利用由磁化电感和开关节点电容引起的谐振环特性实现极其严格的负载调节。与传统的反激式拓扑相比，它根据负载情况在非连续导通模式 (DCM) 或边界导通模式 (BCM) 下运行。反过来，它消除了变压器直流电阻 (DCR) 或次级侧二极管的任何误差，以实现严格的调节。

与连续导通模式 (CCM) 相比，PSR 反激式拓扑在 BCM/DCM 模式下工作，具有更低的电感（在更高的峰峰值纹波电流下）和更低的开关损耗，因为 MOSFET 导通和二极管关断在零电流下发生。然而，PSR 反激式拓扑中较高的初级和次级侧 RMS 电流会导致磁体和半导体中的传导损耗。

图 3-1 所示为使用 LM5180 器件的 PSR 反激式拓扑的示例原理图。它展示了变压器如何实现只有两个绕组的方案，并且与传统反激式拓扑相比，元件总数也更少。

图 3-1 展示极少总元件数和单个变压器的 PSR 反激式配置