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LM5181

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具有 100V、0.75A 集成式 MOSFET 的 65V 输入电压非光电反激式转换器

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Rating Catalog Topology PSR flyback Switch current limit (typ) (A) 0.75 Iout (max) (A) 0.75 Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 4.5 Features Enable, Integrated Switch, Light load efficiency, Pre-bias soft start, UVLO adjustable Control mode Peak current mode Switching frequency (min) (kHz) 12 Switching frequency (max) (kHz) 350 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 150 Duty cycle (max) (%) 82
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WSON (NGU) 8 16 mm² 4 x 4
  • 提供功能安全
  • 专为可靠耐用的应用而设计
    • 4.5V 至 65V 的宽输入电压范围，启动后的工作电压低至 3.5V
    • 稳定可靠的解决方案，只有一个组件穿过隔离层
    • ±1.5% 的总输出稳压精度
    • 可选 VOUT 温度补偿
    • 6ms 内部或可编程软启动
    • 输入 UVLO 和热关断保护
    • 断续模式过流故障保护
    • 具有 –40°C 至 +150°C 的结温范围
  • 通过集成技术减小解决方案尺寸，降低成本
    • 集成 100V、0.4Ω 功率 MOSFET
    • 无需光耦合器或变压器辅助绕组即可进行 VOUT 稳压
    • 内部环路补偿
  • 高效率 PSR 反激运行
    • MOSFET 在 BCM 模式下实现准谐振关断
    • 低输入静态电流
    • 具有用于提升效率的外部偏置选项
    • 具有单输出和多输出实施手段
  • 超低的 EMI 传导和辐射信号
    • 软开关可避免二极管反向恢复
    • 针对 CISPR 32 EMI 要求进行了优化
  • 使用 WEBENCH Power Designer 创建定制稳压器设计
  • 提供功能安全
  • 专为可靠耐用的应用而设计
    • 4.5V 至 65V 的宽输入电压范围，启动后的工作电压低至 3.5V
    • 稳定可靠的解决方案，只有一个组件穿过隔离层
    • ±1.5% 的总输出稳压精度
    • 可选 VOUT 温度补偿
    • 6ms 内部或可编程软启动
    • 输入 UVLO 和热关断保护
    • 断续模式过流故障保护
    • 具有 –40°C 至 +150°C 的结温范围
  • 通过集成技术减小解决方案尺寸，降低成本
    • 集成 100V、0.4Ω 功率 MOSFET
    • 无需光耦合器或变压器辅助绕组即可进行 VOUT 稳压
    • 内部环路补偿
  • 高效率 PSR 反激运行
    • MOSFET 在 BCM 模式下实现准谐振关断
    • 低输入静态电流
    • 具有用于提升效率的外部偏置选项
    • 具有单输出和多输出实施手段
  • 超低的 EMI 传导和辐射信号
    • 软开关可避免二极管反向恢复
    • 针对 CISPR 32 EMI 要求进行了优化
  • 使用 WEBENCH Power Designer 创建定制稳压器设计

LM5181 是一款初级侧稳压 (PSR) 反激式转换器，在 4.5V 至 65V 的宽输入范围内具有高效率。隔离输出电压采样自初级侧反激式电压，因此，无需使用光耦合器、电压基准或变压器的第三绕组进行输出电压稳压。

凭借高度的集成性，可实现简单可靠的高密度设计，其中只有一个组件穿过隔离层。通过采用边界导电模式 (BCM) 开关，可实现紧凑的磁解决方案以及优于 ±1.5% 的负载和线路调节性能。集成的 100V 功率 MOSFET 能够提供高达 4W 的输出功率并提高应对线路瞬变的余量。

LM5181 反激式转换器采用 8 引脚 4mm × 4mm 热增强型 WSON 封装，引脚间距为 0.8mm。

LM5181 是一款初级侧稳压 (PSR) 反激式转换器，在 4.5V 至 65V 的宽输入范围内具有高效率。隔离输出电压采样自初级侧反激式电压，因此，无需使用光耦合器、电压基准或变压器的第三绕组进行输出电压稳压。

凭借高度的集成性，可实现简单可靠的高密度设计，其中只有一个组件穿过隔离层。通过采用边界导电模式 (BCM) 开关，可实现紧凑的磁解决方案以及优于 ±1.5% 的负载和线路调节性能。集成的 100V 功率 MOSFET 能够提供高达 4W 的输出功率并提高应对线路瞬变的余量。

LM5181 反激式转换器采用 8 引脚 4mm × 4mm 热增强型 WSON 封装，引脚间距为 0.8mm。
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WSON (NGU) 8 Ultra Librarian
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