NESA269 October   2025 XTR200

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   註冊商標
  4. 1簡介
  5. 2詳細說明
    1. 2.1 電流量測
    2. 2.2 電流傳輸
    3. 2.3 附加輸出電路
    4. 2.4 模擬
  6. 3總結
  7. 4參考資料

附加輸出電路

為了與 M-CRPS 標準相容,XTR200 的輸出端需要附加電路(如 圖 2-4 中所示)。二極體 D1 和運算放大器 U3 形成箝位電路,可防止輸出電壓(二極體 D2 之後)超過 3.3V。如果 XTR200 的輸出電壓低於 U3 同相輸入端的箝位電壓(電路圖中為 3.8V),則 U3 的輸出會飽和至正電源,進而使二極體 D1 反向偏壓。不過,如果 XTR200 的輸出電壓超過箝位電壓,則 U3 的輸出會變低,並透過 D1 汲取電流,使運算放大器兩個輸入端的電壓相等。若使用稽納二極體實現箝位功能,請選擇低漏電類型,以避免影響監控器電流的準確度。

二極體 D2 可在電路未通電時,防止反向電流回流到電流監控電路。M-CRPS 標準嚴格規定,在 85⁰C 和 12V 時,輸入 IMON 接腳的漏電流必須低於 500nA。因此,二極體 D1 和 D2 都是 BAS716 等低漏電類型。溫度每增加 10⁰C,二極體的漏電流大約會增加一倍。因此,若要使電路在 85⁰C 時的漏電流 <500nA,則在 25⁰C 時的漏電流必須 <7.8nA。

 輸出箝位和在位偵測功能電路圖 2-4 輸出箝位和在位偵測功能電路

電晶體 Q1 為 PJFET,可用於將 IMON 接腳拉低以實作「在位偵測」功能。M-CRPS 標準建議在 IMON 接腳的輸出端使用這種額外電路,以實現與舊款系統的向下相容性。流經 Q1 的漏電流會直接增加接腳的輸出漏電流,因此必須使用低漏電 PJFET(如 MMBFJ177)來實現此功能。典型 NMOS 電晶體的關閉狀態漏電流過高,無法滿足標準要求。