KOKT201 April 2026 LMH13000
정확한 레이저 펄스를 생성하려면 단순히 다이오드에 전류를 공급하는 것 이상의 기술이 필요합니다. 드라이버는 빠른 에지, 예측 가능한 지연 및 재현성 있는 펄스 진폭을 갖춘 높은 피크 전류를 공급해야 합니다. TI의 LMH13000 고속 레이저 드라이버는 VSET 핀의 입력 전압을 IOUT에서 정밀하게 제어된 싱크 전류로 변환하여 펄스를 생성하며, 이는 방정식 3에 설명된 바와 같습니다. DAC(디지털-아날로그 컨버터)또는 레퍼런스 소스는 VSET를 설정하고, 장치의 내부 전류 미러 및 제어 회로는 그림 3에 나와 있는 것처럼 레이저 다이오드를 통해 전류를 조정합니다. 설계자는 VSET, RSET 및 레이저 양극 바이어스 전압(VLD)을 신중하게 선택함으로써 펄스 진폭, 타이밍 및 전체 펄스 안정성을 조정할 수 있습니다.
그림 3 다이오드와 LMH13000을 포함한 회로도 전송 경로 블록 다이어그램다음은 펄스 전류 및 속도 설정을 위한 설계 단계입니다.
여기서 POPT는 원하는 광학 출력 전력이고 η는 레이저의 기울기 효율(암페어당 와트)입니다. 예를 들어, POPT = 1W 및 η = 0.5W/A인 경우 IOUT = 2A입니다.
LMH13000 은 최대 5A의 펄스 전류를 지원하므로 선택한 레이저 다이오드는 이 한도 이하에서 목표 광학 전력을 달성해야 합니다. IOUT을 정확하게 설정하는 것은 tpp를 최소화하고 진폭에 따른 타이밍 오류를 줄이기 위해 매우 중요합니다.
고전류 모드(MODE = 1)에서 k ≈ 50k입니다. 예를 들어, RSET = 20kΩ 및 VSET = 0.8V인 경우:
DAC를 사용하여 VSET을 트리밍함으로써 미세 조정이 가능합니다. LMH13000 은 전류를 온칩으로 조정하기 때문에, 이러한 방식은 온도 및 공급 변동에 대한 민감도를 최소화하여 타이밍 여유 내에서 tpp를 작게 유지하는 데 도움이 됩니다.
여기서:
예를 들면 다음과 같습니다:
| VIOUT(MIN) = 6V |
| VF = 2V |
| L = 3nH |
| RLASER = 0.3Ω |
| RDAMP = 1Ω |
따라서 시작 값으로는 17V가 적합합니다. VLD를 높이면 에지 속도가 향상되지만 오버슈트가 증가할 수 있으므로 신중한 튜닝이 필요합니다. 적절한 VLD를 선택하면 오버슈트를 제한하면서 빠른 전환을 보장하여 전체 총 타이밍 변화 (ttotal) 여유에 대한 상승 및 하강 시간(tr/f) 기여도를 직접 줄일 수 있습니다.
방정식 6를 사용하여 계산된 드라이버의 출력 커패시턴스를 기반으로 스너버 커패시터를 선택합니다:
여기서 CIOUT은 IOUT핀의 유효 커패시턴스입니다. CIOUT = 40pF인 경우 CSNUB ≈ 200pf입니다.
레이저 및 스너버 네트워크와 직렬로 작은 댐핑 저항을 추가하면 원치 않는 진동이 억제됩니다. 그림 4에서 보듯이, RDAMP 및 RSNUB의 일반적인 값은 5Ω ~ 10Ω 범위이며, 스너버 커패시터는 출력 노드 커패시턴스에 맞춰 크기가 결정됩니다. 최악의 경우(최고) CIOUT을 기준으로 CSNUB을 선택하고, 검증 과정에서 이를 트리밍하여 오버슈트와 에지 속도 사이의 균형을 맞춥니다. 그림 5에서 볼 수 있듯이, 이 접근 방식은 빠른 전환과 PCB 파생으로 인한 링잉을 줄이는 동시에 정밀한 펄스 제어에 필요한 서브 나노초 수준의 tr/f를 유지합니다.
그림 4 댐핑 저항 및 스너버 네트워크 회로그림 6에서 보듯이, 트레이스 인덕턴스를 최소화하고 일관된 입력 종단을 보장하면 tpd의 변화를 줄여 이러한 기여도를 적고 예측 가능한 수준으로 유지할 수 있습니다. 훨씬 더 높은 정확도가 필요하거나 온도 기반 교정이 실용적이지 않은 애플리케이션의 경우 LMH13000 데이터시트의 섹션 6.3.2에서는 레이저 단계를 직접 모니터링하여 고정밀 시동 펄스 생성 기술을 제공합니다.
그림 6 표면 실장 장치 패키지 내 LMH13000의 레이아웃 예시