KOKT201 April   2026 LMH13000

 

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  2. 소개
  3. 레이저 펄스 제어가 어려운 이유는 무엇입니까?
  4. 상승 및 하강 시간이 미치는 영향
  5. 전파 지연
  6. 펄스 간 안정성
  7. 정밀한 레이저 펄스 제어 구현
  8. 펄스 시스템에서의 정밀한 펄스 제어
  9. 트랜스미터 테스트 결과를 사용한 실제 사례
  10. 결론
  11. 10추가 리소스
  12. 11작성자 소개

정밀한 레이저 펄스 제어 구현

정확한 레이저 펄스를 생성하려면 단순히 다이오드에 전류를 공급하는 것 이상의 기술이 필요합니다. 드라이버는 빠른 에지, 예측 가능한 지연 및 재현성 있는 펄스 진폭을 갖춘 높은 피크 전류를 공급해야 합니다. TI의 LMH13000 고속 레이저 드라이버는 VSET 핀의 입력 전압을 IOUT에서 정밀하게 제어된 싱크 전류로 변환하여 펄스를 생성하며, 이는 방정식 3에 설명된 바와 같습니다. DAC(디지털-아날로그 컨버터)또는 레퍼런스 소스는 VSET를 설정하고, 장치의 내부 전류 미러 및 제어 회로는 그림 3에 나와 있는 것처럼 레이저 다이오드를 통해 전류를 조정합니다. 설계자는 VSET, RSET 및 레이저 양극 바이어스 전압(VLD)을 신중하게 선택함으로써 펄스 진폭, 타이밍 및 전체 펄스 안정성을 조정할 수 있습니다.

 다이오드와 LMH13000을 포함한 회로도 전송 경로 블록 다이어그램그림 3 다이오드와 LMH13000을 포함한 회로도 전송 경로 블록 다이어그램

다음은 펄스 전류 및 속도 설정을 위한 설계 단계입니다.

  1. 대상 출력 전류(IOUT)를 정의합니다. 레이저 다이오드에 필요한 광학 전력을 먼저 파악합니다. 방정식 3은(는) 레이저의 기울기 효율에 의해 설정된 피크 출력 전류를 나타냅니다:
    방정식 3. I O U T = P O P T η

    여기서 POPT는 원하는 광학 출력 전력이고 η는 레이저의 기울기 효율(암페어당 와트)입니다. 예를 들어, POPT = 1W 및 η = 0.5W/A인 경우 IOUT = 2A입니다.

    LMH13000 은 최대 5A의 펄스 전류를 지원하므로 선택한 레이저 다이오드는 이 한도 이하에서 목표 광학 전력을 달성해야 합니다. IOUT을 정확하게 설정하는 것은 tpp를 최소화하고 진폭에 따른 타이밍 오류를 줄이기 위해 매우 중요합니다.

  2. RSET 및 VSET를 선택합니다. LMH13000은 VSET과 RSET의 비율을 사용하여 출력 전류를 설정하며, 이는 내부 게인 계수인 k(방정식 4)에 의해 스케일링됩니다.
    방정식 4. I O U T = V S E T R S E T × k

    고전류 모드(MODE = 1)에서 k ≈ 50k입니다. 예를 들어, RSET = 20kΩ 및 VSET = 0.8V인 경우:

    I O U T = 0.8 20 k × 50 k 2.0 A

    DAC를 사용하여 VSET을 트리밍함으로써 미세 조정이 가능합니다. LMH13000 은 전류를 온칩으로 조정하기 때문에, 이러한 방식은 온도 및 공급 변동에 대한 민감도를 최소화하여 타이밍 여유 내에서 tpp를 작게 유지하는 데 도움이 됩니다.

  3. VLD를 설정합니다. VLD는 빠른 전류 전환 중에 필요한 레이저 순방향 전압 및 동적 전압을 지원할 수 있을 만큼 충분히 높아야 합니다. LMH13000 데이터 시트는 방정식 5을(를) 크기 조정 지침으로 제공합니다:
    방정식 5. V L D = V O U T M I N + V F L × d I d t + I O U T × R L A S E R + R D A M P

    여기서:

    • VIOUT은 IOUT에서 최소 규격 준수 전압입니다
    • VF는 IOUT에서 레이저의 순방향 전압입니다
    • L은 전체 루프 인덕턴스(패키지 및 PCB)입니다
    • dI/dt는 상승 및 하강 요구 사항으로 인한 전류 회전율(초당 암페어)입니다
    • RLASER는 레이저 다이오드의 동적 저항입니다
    • RDAMP는 레이저 다이오드의 외부 저항입니다

    예를 들면 다음과 같습니다:

    VIOUT(MIN) = 6V
    VF = 2V
    L = 3nH
    d I d t = 2 A 1 n s = 2 × 109 A / s
    RLASER = 0.3Ω
    RDAMP = 1Ω
    V L D 6 + 2 + 3 × 10 - 9 2 × 10 9 + 2 0.3 + 1.0 16.6 V

    따라서 시작 값으로는 17V가 적합합니다. VLD를 높이면 에지 속도가 향상되지만 오버슈트가 증가할 수 있으므로 신중한 튜닝이 필요합니다. 적절한 VLD를 선택하면 오버슈트를 제한하면서 빠른 전환을 보장하여 전체 총 타이밍 변화 (ttotal) 여유에 대한 상승 및 하강 시간(tr/f) 기여도를 직접 줄일 수 있습니다.

  4. 상승 및 하강 시간과 댐핑을 최적화합니다. 드라이버 성능과 회로 파생 성분 모두 상승 및 하강 시간에 영향을 미칩니다. 적절한 댐핑 없이 빠른 전류 펄스 전환은 레이저와 PCB 루프에서 링잉을 발생시켜 오버슈트와 불안정한 광학 펄스가 발생할 수 있습니다. 설계자는 일반적으로 IOUT 노드에 댐핑 저항기와 스너버 네트워크를 추가하여 이 문제를 해결합니다. 저항기와 스너버가 함께 파생 링잉을 억제하고, 빠른 에지를 유지하며, tr/f가 불필요하게 ttotal을 증가시키지 않도록 방지합니다.

    방정식 6를 사용하여 계산된 드라이버의 출력 커패시턴스를 기반으로 스너버 커패시터를 선택합니다:

    방정식 6. C S N U B 5 × C I O U T

    여기서 CIOUT은 IOUT핀의 유효 커패시턴스입니다. CIOUT = 40pF인 경우 CSNUB ≈ 200pf입니다.

    레이저 및 스너버 네트워크와 직렬로 작은 댐핑 저항을 추가하면 원치 않는 진동이 억제됩니다. 그림 4에서 보듯이, RDAMP 및 RSNUB의 일반적인 값은 5Ω ~ 10Ω 범위이며, 스너버 커패시터는 출력 노드 커패시턴스에 맞춰 크기가 결정됩니다. 최악의 경우(최고) CIOUT을 기준으로 CSNUB을 선택하고, 검증 과정에서 이를 트리밍하여 오버슈트와 에지 속도 사이의 균형을 맞춥니다. 그림 5에서 볼 수 있듯이, 이 접근 방식은 빠른 전환과 PCB 파생으로 인한 링잉을 줄이는 동시에 정밀한 펄스 제어에 필요한 서브 나노초 수준의 tr/f를 유지합니다.

     댐핑 저항 및 스너버 네트워크 회로그림 4 댐핑 저항 및 스너버 네트워크 회로

     스너버 회로 또는 RDAMP 유무에 따른 LMH13000 펄스

    그림 5 스너버 회로 또는 RDAMP 유무에 따른 LMH13000 펄스
  5. 전파 지연을 제어합니다. 상승 및 하강 시간과 달리 전파 지연은 특정 공식으로 정의되지 않으며 레이아웃 및 인터페이스 방식에 따라 달라집니다:
  • 입력 라우팅. 100Ω 종단이 있는 EP 핀 및 EN 핀에 차동 라우팅을 사용하거나, LMH13000 입력부에서 제어된 임피던스와 적절한 종단을 적용한 단일 종단 입력을 라우팅합니다.
  • 출력 루프. 고전류 IOUT 루프를 짧게 유지하고 PGND와 긴밀하게 결합하여 유도성 지연과 링잉을 최소화합니다.
  • 시스템 교정. ToF 측정 여유에 드라이버-레이저 경로를 포함하여 잔류 시스템 지연을 반영합니다.

그림 6에서 보듯이, 트레이스 인덕턴스를 최소화하고 일관된 입력 종단을 보장하면 tpd의 변화를 줄여 이러한 기여도를 적고 예측 가능한 수준으로 유지할 수 있습니다. 훨씬 더 높은 정확도가 필요하거나 온도 기반 교정이 실용적이지 않은 애플리케이션의 경우 LMH13000 데이터시트의 섹션 6.3.2에서는 레이저 단계를 직접 모니터링하여 고정밀 시동 펄스 생성 기술을 제공합니다.

 표면 실장 장치 패키지 내 LMH13000의 레이아웃 예시그림 6 표면 실장 장치 패키지 내 LMH13000의 레이아웃 예시