KOKT147 April   2025 LM5066I

 

  1.   1
  2. 1 머리말
  3. 2 3
  4. 3 48V AI 서버를 위한 핫 스왑 회로 설계의 어려움
  5. 4 과제 1: 출력 단락 동안의 턴오프 지연
  6. 5 과제 2: 부하 과도 현상 중 의도치 않은 게이트 턴오프
  7. 6 과제 3: 제어된 (느린) 턴온 시 병렬 공진
  8. 7 제안된 회로 개선 사항
  9. 8 턴오프 대응 개선
  10. 9 동적 부하 시 의도치 않은 턴오프 문제 해결
  11. 10기생 진동 감쇠
  12. 11설계 가이드라인 및 부품 선택
  13. 12Cdv/dt 방전 회로
  14. 13결론
  15. 14참고 자료
  16. 15관련 웹사이트

9 동적 부하 시 의도치 않은 턴오프 문제 해결

그림 8에서도 나와 있듯이, 이 솔루션에서 핫 스왑 게이트 노드는 DSS 다이오드를 사이에 배치하여 MOSFET 게이트 단자에서 디커플링됩니다. 이렇게 변경하면 핫 스왑 컨트롤러 게이트 노드로의 출력 전압 리플의 반사를 제거하고 소프트 시작 PNP 트랜지스터 Qss의 의도치 않은 턴온을 방지하는 데 도움이 됩니다. 다이오드의 위치를 변경해도 시동 시 컨트롤러 동작이나 오류 이벤트에 영향을 주지 않습니다. 테스트 결과(그림 10 참조 )에서 볼 수 있듯이 시스템은 20A에서 120A로의 큰 부하 변화에서도 1kHz 주파수로 지속적으로 작동합니다.

제안된 핫 스왑 회로 구성.그림 8 제안된 핫 스왑 회로 구성.
빠른 풀다운 회로를 사용한 출력 단락 대응.그림 9 빠른 풀다운 회로를 사용한 출력 단락 대응.
1kHz 주파수에서 20A에서 120A로, 다시 20A로의 단계적 부하 변화에 대한 과도 응답 성능.그림 10 1kHz 주파수에서 20A에서 120A로, 다시 20A로의 단계적 부하 변화에 대한 과도 응답 성능.