KOKT147 April   2025 LM5066I

 

  1.   1
  2. 1 머리말
  3. 2 3
  4. 3 48V AI 서버를 위한 핫 스왑 회로 설계의 어려움
  5. 4 과제 1: 출력 단락 동안의 턴오프 지연
  6. 5 과제 2: 부하 과도 현상 중 의도치 않은 게이트 턴오프
  7. 6 과제 3: 제어된 (느린) 턴온 시 병렬 공진
  8. 7 제안된 회로 개선 사항
  9. 8 턴오프 대응 개선
  10. 9 동적 부하 시 의도치 않은 턴오프 문제 해결
  11. 10기생 진동 감쇠
  12. 11설계 가이드라인 및 부품 선택
  13. 12Cdv/dt 방전 회로
  14. 13결론
  15. 14참고 자료
  16. 15관련 웹사이트

10 기생 진동 감쇠

각 MOSFET의 게이트와 직렬로 댐핑 저항(RG1,, RG2, RG3)을 추가하면 시스템의 기생 오실레이션을 제거할 수 있습니다. 일반적으로 TI에서는 10Ω 0603 패키지 저항을 권장하지만 기생에 따라 1Ω 정도의 낮은 값도 도움이 될 수 있습니다. PCB에서 테스트하고 댐핑 저항의 값을 결정하는 것이 좋습니다.