ZHCSPH5C June   2022  – March 2023 UCC28C50 , UCC28C51 , UCC28C52 , UCC28C53 , UCC28C54 , UCC28C55 , UCC28C56H , UCC28C56L , UCC28C57H , UCC28C57L , UCC28C58 , UCC28C59 , UCC38C50 , UCC38C51 , UCC38C52 , UCC38C53 , UCC38C54 , UCC38C55

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  详细引脚说明
        1. 8.3.1.1 COMP
        2. 8.3.1.2 FB
        3. 8.3.1.3 CS
        4. 8.3.1.4 RT/CT
        5. 8.3.1.5 GND
        6. 8.3.1.6 OUT
        7. 8.3.1.7 VDD
        8. 8.3.1.8 VREF
      2. 8.3.2  欠压锁定
      3. 8.3.3  ±1% 内部基准电压
      4. 8.3.4  电流检测和过流限制
      5. 8.3.5  减少放电电流变化
      6. 8.3.6  振荡器同步
      7. 8.3.7  软启动时序
      8. 8.3.8  启用和禁用
      9. 8.3.9  斜率补偿
      10. 8.3.10 电压模式
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 正常运行
      2. 8.4.2 UVLO 模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1  输入大容量电容器和最小体电压
        2. 9.2.2.2  变压器匝数比和最大占空比
        3. 9.2.2.3  变压器电感和峰值电流
        4. 9.2.2.4  输出电容器
        5. 9.2.2.5  电流检测网络
        6. 9.2.2.6  栅极驱动电阻器
        7. 9.2.2.7  VREF 电容器
        8. 9.2.2.8  RT/CT
        9. 9.2.2.9  启动电路
        10. 9.2.2.10 电压反馈补偿
          1. 9.2.2.10.1 功率级极点和零点
          2. 9.2.2.10.2 斜率补偿
          3. 9.2.2.10.3 开环增益
          4. 9.2.2.10.4 补偿环路
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
        1. 9.4.1.1 注意事项
        2. 9.4.1.2 反馈走线
        3. 9.4.1.3 旁路电容器
        4. 9.4.1.4 补偿器件
        5. 9.4.1.5 迹线和接地平面
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

UCCx8C5x 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更稳健的版本。

除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值 (UCCx8C50-55) 外，UCCx8C5x 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值 (UCC28C56-59)。

VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。

器件性能改进
参数UCCx8C4xUCCx8C5x
52kHz 时的电源电流2.3mA1.3mA
启动电流（上限值）100µA75µA
VDD 绝对上限值20V30V
基准电压精度±2%±1%
Si FET 的 UVLO 和 DMAX6 个选项6 个选项
SiC FET 的 UVLO 和 DMAXnone6 个选项
最小封装选项VSSOP (8)VSSOP (8)

UCCx8C5x 系列采用 8 引脚 VSSOP (DGK) 和 8 引脚 SOIC (D) 封装。

器件信息
器件型号封装(1)封装尺寸（标称值）
UCC28C50、UCC28C51
UCC28C52、UCC28C53、
UCC28C54、UCC28C55、
UCC38C50、UCC38C51
UCC38C52、UCC38C53
UCC38C54、UCC38C55		SOIC (8)3.91mm × 4.90mm
VSSOP (8)3.00mm × 3.00mm
UCC28C56H、UCC28C56L
UCC28C57H、UCC28C57L、
UCC28C58、UCC28C59		SOIC (8)3.91mm × 4.90mm
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
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