ZHCS501F November   2011  – December 2014 UCC27210 , UCC27211

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 说明 （续）
  6. 6 Pin Configuration and Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2  ESD Ratings
    3. 7.3  Recommended Operating Conditions
    4. 7.4  Thermal Information
    5. 7.5  Electrical Characteristics
    6. 7.6  Switching Characteristics: Propagation Delays
    7. 7.7  Switching Characteristics: Delay Matching
    8. 7.8  Switching Characteristics: Output Rise and Fall Time
    9. 7.9  Switching Characteristics: Miscellaneous
    10. 7.10 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Input Stages
      2. 8.3.2 Undervoltage Lockout (UVLO)
      3. 8.3.3 Level Shift
      4. 8.3.4 Boot Diode
      5. 8.3.5 Output Stages
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Input Threshold Type
        2. 9.2.2.2 VDD Bias Supply Voltage
        3. 9.2.2.3 Peak Source and Sink Currents
        4. 9.2.2.4 Propagation Delay
        5. 9.2.2.5 Power Dissipation
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
    3. 11.3 Thermal Considerations
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档　
    2. 12.2 相关链接
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 静电放电警告
    5. 12.5 Glossary
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|8
  • DRM|8
  • DPR|10
  • DDA|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 最大引导电压 120V 直流
  • 4A 吸收，4A 源输出电流
  • 0.9Ω 上拉和下拉电阻
  • 输入引脚能够耐受 -10V 至 20V 的电压，并且与电源电压范围无关
  • 晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 或伪 CMOS 兼容输入版本
  • 8V 至 17V VDD 运行范围（绝对最大值 20V）
  • 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间（采用 1000pF 负载时）
  • 短暂传播延迟时间（典型值 18ns)
  • 2ns 延迟匹配
  • 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
  • 可提供全部行业标准封装（小外形尺寸集成电路 (SOIC)-8 封装， PowerPAD™SOIC-8 封装，4mm × 4mm SON-8 封装以及 4mm × 4mm SON-10 封装）
  • -40℃ 至 140℃ 的额定温度范围

2 应用

  • 针对电信，数据通信和商用的电源
  • 半桥和全桥转换器
  • 推挽转换器
  • 高电压同步降压转换器
  • 两开关正激式转换器
  • 有源箝位正激式转换器
  • D 类音频放大器

    • 空白

3 说明

UCC27210 和 UCC27211 驱动器是基于广受欢迎的 UCC27200 和 UCC27201 MOSFET 驱动器，但性能得到了显著提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。现在，输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
UCC27210、
UCC27211		 SOIC (8) 4.90mm x 3.91mm
PowerPAD (8) 4.89mm × 3.90mm
WSON (10) 4.00mm x 4.00mm
VSON (8)
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

典型应用：UCC27210

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典型应用：UCC27211

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