ZHCS501H November   2011  – September 2025 UCC27211

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输入级
      2. 6.3.2 欠压锁定 (UVLO)
      3. 6.3.3 电平转换
      4. 6.3.4 自举二极管
      5. 6.3.5 输出级
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入阈值类型
        2. 7.2.2.2 VDD 辅助电源电压
        3. 7.2.2.3 峰值拉电流和灌电流
        4. 7.2.2.4 传播延迟
        5. 7.2.2.5 功率耗散
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
      3. 7.4.3 散热注意事项
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

4 引脚配置和功能

UCC27211
表 4-1 引脚功能
引脚 I/O 说明
名称 D/DDA/DRM DPR
VDD 1 1 P 低侧栅极驱动器的正电源。将该引脚去耦合至 VSS (GND)。典型去耦电容器范围为 0.22µF 到4.7µF（请参见(2)）。
HB 2 2 P 高侧自举电源。自举二极管位于片上，但需要外部自举电容器。将自举电容器的正极侧连接到该引脚。HB 旁路电容器的典型范围为 0.022µF 至 0.1µF。电容器值取决于高侧 MOSFET 的栅极电荷，还应根据速度和纹波标准进行选择
HO 3 3 O 高侧输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
HS 4 4 P 高侧源极连接。连接到高侧功率 MOSFET 的源极。将自举电容器的负极侧连接到该引脚。
HI 5 7 I 高侧输入。(3)
LI 6 8 I 低侧输入。(3)
VSS 7 9 G 器件的负电源端子，通常为接地。
LO 8 10 O 低侧输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
N/C — 5/6 — 未连接。
PowerPAD™(1) Pad Pad G 仅用于 DDA、DRM 和 DPR 封装。以 VSS (GND) 为电气基准。连接到热质量较大的布线或 GND 平面以提高热性能。
(1) PowerPAD™ 未与封装的任何引线直接相连。不过，它以电气方式和热方式连接至基板，该基板是器件的接地板。
(2) 对于低温应用，建议使用电容范围上限值。还应注意 PCB 布局 - 请参见节 7.4。
(3) 假设 HI 或 LI 输入连接到低阻抗源信号。假设源输出阻抗小于 100Ω。如果源阻抗大于 100Ω，请在 HI 和 VSS 之间以及 LI 和 VSS 之间分别添加一个旁路电容器。添加的电容器值取决于引脚上出现的噪声水平，通常 1nF 至 10nF 应能有效消除可能的噪声影响。当 HI 或 LI 这两个引脚上出现噪声时，会导致 HO 和 LO 故障，产生错误的逻辑输出。