ZHCSIO4D February 2005 – June 2025 TS5A3167
PRODUCTION DATA
封装选项
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
机械数据 (封装 | 引脚)
- DBV|5
- DCK|5
- YZP|5
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
6 参数测量信息
图 6-1 导通状态电阻 (ron)
图 6-2 关断状态泄漏电流（ICOM(OFF)、INC(OFF)、ICOM(PWROFF)、INC(PWROFF)）
图 6-3 导通状态泄漏电流（ICOM(ON)、INC(ON)）
图 6-4 电容（CI、CCOM(OFF)、CCOM(ON)、CNC(OFF)、CNC(ON)）
A. 所有输入脉冲均由具有以下特性的发生器提供：PRR ≤ 10MHz，ZO = 50Ω，tr ≤ 5ns，tf ≤ 5ns。
B. CL 包括探头和夹具电容。
图 6-5 导通 (tON) 和关断 (tOFF) 时间
图 6-6 带宽 (BW)
图 6-7 关断隔离 (OISO)
A. CL 包括探头和夹具电容。
B. 所有输入脉冲均由具有以下特性的发生器提供：PRR ≤ 10MHz，ZO = 50Ω，tr ≤ 5ns，tf ≤ 5ns。
图 6-8 电荷注入 (QC)
A. CL 包括探头和夹具电容。
图 6-9 总谐波失真 (THD)表 6-1 参数说明
| 符号 | 说明 |
|---|---|
| VCOM | COM 处的电压 |
| VNC | NC 处的电压 |
| ron | 通道导通时 COM 和 NC 端口之间的电阻 |
| rpeak | 指定电压范围内的峰值导通状态电阻 |
| ron(flat) | 在指定条件范围内通道中 ron 的最大值和最小值之间的差值 |
| INC(OFF) | 在极糟糕的输入和输出条件下，相应通道（NC 至 COM）处于关断状态时 在 NC 端口测得的泄漏电流 |
| INC(PWROFF) | 断电条件下、VCC = 0 时在 NC 端口上测得的泄漏电流 |
| ICOM(OFF) | 在最坏的输入输出条件下，在对应通道（COM 到 NC）处于关断状态时，在 COM 端口测得的泄漏电流 |
| ICOM(PWROFF) | 断电条件下、VCC = 0 时在 COM 端口上测得的泄漏电流 |
| INC(ON) | 相应通道（NC 到 COM）处于导通状态且输出 (COM) 处于开路状态时，在 NC 端口测得的泄漏电流 |
| ICOM(ON) | 相应通道（COM 到 NC）处于导通状态且输出 (NC) 处于开路状态时，在 COM 端口测得的泄漏电流 |
| VIH | 控制输入 (IN) 逻辑高电平的最小输入电压 |
| VIL | 控制输入 (IN) 逻辑低电平的最大输入电压 |
| VI | 控制输入 (IN) 处的电压 |
| IIH、IIL | 控制输入 (IN) 处测得的泄漏电流 |
| tON | 开关导通时间。此参数在规定条件范围下，开关导通时，通过数字控制 (IN) 信号和模拟输出（COM 或 NC）信号之间的传播延迟测量得出。 |
| tOFF | 开关关断时间。此参数在规定条件范围下，开关关断时，通过数字控制 (IN) 信号和模拟输出（COM 或 NC）信号之间的传播延迟测量得出。 |
| QC | 电荷注入是衡量控制 (IN) 输入端干扰信号耦合到模拟（NC 或 COM）输出端的一种测量指标。电荷注入以库仑 (C) 为单位，可通过控制输入切换时引起的总电荷来测量。电荷注入，QC = CL × ΔVCOM，CL 是负载电容，ΔVCOM 是模拟输出电压的变化。 |
| CNC(OFF) | 相应通道（NC 到 COM）关断时 NC 端口的电容 |
| CCOM(OFF) | 相应通道（COM 到 NC）关断时 COM 端口的电容 |
| CNC(ON) | 相应通道（NC 到 COM）导通时 NC 端口的电容 |
| CCOM(ON) | 相应通道（COM 到 NC）导通时 COM 端口的电容 |
| CI | 控制输入 (IN) 的电容 |
| OISO | 开关的关断隔离是关断状态开关阻抗的度量。该参数是在特定频率下测量的（单位为 dB），测量条件为相应通道（NC 到 COM）处于关断状态。 |
| BW | 开关带宽。这是导通通道增益比直流增益低 -3dB 时的频率。 |
| THD | 总谐波失真用于描述由模拟开关导致的信号失真。该参数定义为二次、三次及更高次谐波分量的均方根 (RMS) 值与基波绝对幅度的比值。 |
| ICC | 控制 (IN) 引脚处于 VCC 或 GND 状态时的静态电源电流 |