ZHCSSS3A
March 2025 – September 2025
TPS7H5020-SEP
,
TPS7H5020-SP
PRODMIX
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
器件比较表
5
引脚配置和功能
6
规格
6.1
绝对最大额定值
6.2
ESD 等级
6.3
建议运行条件
6.4
热性能信息
6.5
电气特性
6.6
质量合格检验
6.7
典型特性
7
详细说明
7.1
概述
7.2
功能方框图
7.3
特性说明
7.3.1
输入电压 (VIN) 和 VLDO
7.3.2
驱动器输入电压 (PVIN)
7.3.3
启动
7.3.4
使能和欠压锁定 (UVLO)
7.3.5
电压基准
7.3.6
误差放大器
7.3.7
输出电压编程
7.3.8
软启动 (SS)
7.3.9
开关频率和外部同步
7.3.9.1
内部振荡器模式
7.3.9.2
外部同步模式
7.3.9.2.1
TPS7H5021 的外部同步
7.3.10
占空比限制
7.3.11
最小导通时间和关断时间
7.3.12
脉冲跳跃
7.3.13
前沿消隐时间
7.3.14
电流传感和 PWM 生成 (CS_ILIM)
7.3.15
栅极驱动器输出
7.3.16
未上电的电压钳位
7.3.17
拉电流驱动器回路 (OUTH_REF)
7.3.18
斜率补偿 (RSC)
7.3.19
频率补偿
7.3.20
热关断
7.4
器件功能模式
8
应用和实施
8.1
应用信息
8.2
典型应用
8.2.1
设计要求
8.2.2
详细设计过程
8.2.2.1
开关频率
8.2.2.2
输出电压编程电阻器选型
8.2.2.3
驱动器 PVIN 配置
8.2.2.4
软启动电容器选型
8.2.2.5
变压器设计
8.2.2.6
初级电源开关选型
8.2.2.7
输出二极管选型
8.2.2.8
RCD 钳位
8.2.2.9
输出电容选型
8.2.2.10
电流感应电阻器
8.2.2.11
频率补偿元件选型
8.2.3
应用曲线
8.2.4
升压转换器
8.2.5
通过 ISOS510 实现反馈隔离
8.3
电源相关建议
8.4
布局
8.4.1
布局指南
8.4.2
布局示例
9
器件和文档支持
9.1
文档支持
9.1.1
相关文档
9.2
接收文档更新通知
9.3
支持资源
9.4
商标
9.5
静电放电警告
9.6
术语表
10
修订历史记录
11
机械、封装和可订购信息
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
PWP|24
MPDS372A
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
PWP|24
PPTD395
订购信息
zhcsss3a_oa
zhcsss3a_pm
1
特性
辐射性能:
耐辐射保障 (RHA) 高达
100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
单粒子锁定 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于
LET 的抗扰度 = 75MeV-cm
2
/mg
单粒子瞬态 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达
LET = 75MeV-cm
2
/mg
控制器级和驱动器级的输入电压范围均为 4.5V 至 14V
专用栅极驱动器电压输入引脚 (PVIN) 可驱动硅器件和 GaN 器件
1.2A 峰值拉电流和灌电流(12V 时)
为了驱动 GaN,可选择将 VLDO 线性稳压器输出连接到 PVIN
4.5V 至 5.5V 的可编程线性稳压器 (VLDO)
在温度、辐射以及线路和负载调节范围内提供 0.6V ±1% 的基准电压
开关频率范围为 100kHz 至 1MHz
外部时钟同步功能
可调斜率补偿和软启动
通过符合 ASTM E595 标准的塑料封装废气测试