ZHCSVH0C September 2011 – December 2025 TPS763-Q1
PRODUCTION DATA
对于旧芯片,虽然不是必需的,但建议在 IN 和 GND 之间连接一个 0.047μF 或更大的陶瓷旁路输入电容器,并靠近 TPS763xx-Q1,以改善瞬态响应和噪声抑制。如果可能出现较大、快速上升时间的负载瞬态或者器件距离电源几英寸远,则可能需要一个更大电容值的电解输入电容器。
当连接到低阻抗电源(例如电池或非常大的电容器)时,钽电容器可能会因浪涌电流而遭受灾难性故障。如果在输入端使用钽电容器,请联系制造商,以确保电容器具有足够的浪涌电流额定值。
输入电容器没有 ESR 要求,但在选择电容器时应考虑容差和温度系数,以确保电容在整个工作温度范围内 ≥1µF。
对于新芯片,尽管不需要输入电容器来实现稳定性,但良好的模拟设计实践是将电容器从 IN 连接到 GND。该电容可抵消电抗性输入源,并改善瞬态响应、输入纹波和 PSRR。如果源阻抗大于 0.5Ω,请使用输入电容器。如果预计会发生较大、快速上升时间的负载或线路瞬变或者器件距离输入电源几英寸,有可能需要一个电容值更大的电容器。