ZHCSIE2M June   2008  – June 2018 TPS735

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     典型应用
  4. 4 修订历史记录
    1.     Pin Configuration and Functions
      1.      Pin Functions
  5. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Typical Characteristics
  6. 6 Detailed Description
    1. 6.1 Overview
    2. 6.2 Functional Block Diagrams
    3. 6.3 Feature Description
      1. 6.3.1 Internal Current Limit
      2. 6.3.2 Shutdown
      3. 6.3.3 Dropout Voltage
      4. 6.3.4 Start-Up and Noise Reduction Capacitor
      5. 6.3.5 Transient Response
      6. 6.3.6 Undervoltage Lockout
      7. 6.3.7 Minimum Load
      8. 6.3.8 Thermal Protection
    4. 6.4 Device Functional Modes
      1. 6.4.1 Normal Operation
      2. 6.4.2 Dropout Operation
      3. 6.4.3 Disabled
  7. 7 Application and Implementation
    1. 7.1 Application Information
    2. 7.2 Typical Applications
      1. 7.2.1 Design Requirements
        1. 7.2.1.1 Input and Output Capacitor Requirements
        2. 7.2.1.2 Feed-Forward Capacitor Requirements
      2. 7.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 7.2.2.1 Output Noise
      3. 7.2.3 Application Curves
  8. 8 Power Supply Recommendations
  9. 9 Layout
    1. 9.1 Layout Guidelines
      1. 9.1.1 Board Layout Recommendations to Improve PSRR and Noise Performance
    2. 9.2 Layout Example
    3. 9.3 Power Dissipation
    4. 9.4 Estimating Junction Temperature
    5. 9.5 Package Mounting
  10. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 开发支持
        1. 10.1.1.1 评估模块
      2. 10.1.2 器件命名规则
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  11. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

TPS735 低压降 (LDO)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。可提供高电源抑制比 (PSRR)、低噪声、快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应，同时消耗极低的 45μA（典型值）接地电流。

TPS735 器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定，并且该器件使用先进的 BiCMOS 制造工艺，能够在输出 500mA 电流时产生 280mV 的典型压降电压。TPS735 器件使用精密电压基准和反馈环路，可在全部负载、线路、过程和温度变化范围内实现 2% 的总体精度 (VOUT > 2.2V)。此器件的额定 TJ = –40°C 至 +125°C，采用薄型 3mm × 3mm SON-8 封装和 2mm × 2mm WSON-6 封装。

器件信息(1)

器件编号 封装 封装尺寸（标称值）
TPS735 WSON (6) 2.00mm × 2.00mm
SON (8) 3.00mm × 3.00mm
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。

典型应用

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