ZHCSEU8H March   2016  – June 2025 TPS56C215

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  PWM 运行和 D-CAP3™ 控制模式
      2. 6.3.2  Eco-mode 控制
      3. 6.3.3  4.7V LDO
      4. 6.3.4  模式选择
      5. 6.3.5  软启动和预偏置软启动
      6. 6.3.6  使能端和可调节 UVLO
      7. 6.3.7  电源正常
      8. 6.3.8  过流保护和欠压保护
      9. 6.3.9  瞬态响应增强
      10. 6.3.10 UVLO 保护
      11. 6.3.11 热关断
      12. 6.3.12 输出电压放电
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 轻负载运行
      2. 6.4.2 待机运行
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
        2. 7.2.2.2 外部元件选型
          1. 7.2.2.2.1 输出电压设定点
          2. 7.2.2.2.2 开关频率和 MODE 选择
          3. 7.2.2.2.3 电感器选型
          4. 7.2.2.2.4 输出电容器选型
          5. 7.2.2.2.5 输入电容器选型
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
      2. 8.1.2 开发支持
        1. 8.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 封装标识

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLG (August 2024)to RevisionH (June 2025)

  • 将 MOSFET 值分别从 13.5mΩ 和 4.5mΩ 更改为 7.8mΩ 和 3.2mΩGo
  • 在特性 部分中添加了 WEBENCH 链接Go
  • 更新了图 3-1图以包含最新的器件数据Go
  • 将 RDS(on)H 从 13.5mΩ 更新为 7.8mΩ、将 RDS(on)L 从 4.5mΩ 更新为 3.2mΩ，并将 tUVPEN 断续时间从 7 个周期更新为 14 个周期Go
  • 将 IIN 典型值从 600µA 更改为 146µA，并删除了 IIN 最大值Go
  • 将 IVINSDN 典型值从 7µA 更改为 9.3µAGo
  • 将 VPGOODTH VFB 下降（正常）值从 107% 更改为 108%Go
  • 将 VUVP 值从 68% 更改为 70%Go
  • 将 UVLO VREG5 上升电压值从 4.3V 更改为 4.25VGo
  • 将 UVLO VREG5 下降电压值从 3.57V 更改为 3.52VGo
  • 将 UVLO、VREG5 = 4.7V VIN 下降电压、VREG5 = 4.7V 值从 3.26V 更改为 3.24VGo
  • 将 UVLO、VREG5 = 4.7V VIN 迟滞、VREG5 = 4.7V 值从 60mV 更改为 80mVGo
  • 将 tON 的最小值从 54ns 更改为 60nsGo
  • 将 tSS 的值从 1.045ms 更改为 1.2msGo
  • 将图 5-9 更新为图 5-34 以包含最新的器件数据Go
  • 删除了“高侧 RDS(on) 与温度间的关系”图和“低侧 RDS(on) 与温度间的关系”图Go
  • 将 MOSFET 值分别从 13.5mΩ 和 4.5mΩ 更改为 7.8mΩ 和 3.2mΩGo
  • 将表 6-1 中“零点频率”的值分别从 7.1、14.3 和 21.4 更改为 17.8、27.1 和 29.8Go
  • 将等待时间从 1ms 更改为 1 × tSS 并将断续时间从 7ms 更改为 14 × tSS Go
  • 添加了 瞬态响应增强 部分Go
  • 添加了使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案 部分Go
  • 更新了 应用曲线 以包含最新的器件数据Go
  • 添加了使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案 部分Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLF (August 2023)to RevisionG (August 2024)

  • 将更新后的产品系列的说明从“TI 超小型”更改为“小尺寸”Go
  • 删除了 TSDN VREG5 规格Go
  • 为 SW 导通时间参数添加了“根据设计确定”注释Go
  • 删除了“超限运行”部分Go
  • 更新了热关断部分Go