ZHCSUL0A January   2026  – June 2026 TPS544B28

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 相关产品
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  D-CAP4 控制
      2. 7.3.2  内部 VCC LDO 以及在 VCC 引脚上使用外部辅助电源
        1. 7.3.2.1 通过单根总线为该器件供电
        2. 7.3.2.2 通过双电源配置为该器件供电
      3. 7.3.3  多功能选择 (MS1) 引脚
      4. 7.3.4  多功能选择 (MS2) 引脚
      5. 7.3.5  PMBus® 地址 (ADR) 引脚
      6. 7.3.6  输出电压设置
        1. 7.3.6.1 设置 VBOOT 和 VOUT_SCALE_LOOP
        2. 7.3.6.2 设置输出电压（内部反馈）
        3. 7.3.6.3 设置输出电压（外部反馈）
      7. 7.3.7  开关频率
      8. 7.3.8  动态电压压摆率
      9. 7.3.9  启用
      10. 7.3.10 软启动和软停止
      11. 7.3.11 电源正常
      12. 7.3.12 过压和欠压保护
      13. 7.3.13 遥感
      14. 7.3.14 低侧 MOSFET 过零
      15. 7.3.15 电流检测和正过流保护
      16. 7.3.16 低侧 MOSFET 负电流限值
      17. 7.3.17 输出电压放电
      18. 7.3.18 UVLO 保护
      19. 7.3.19 遥测
      20. 7.3.20 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 自动跳跃 (PFM) Eco-mode 轻负载运行
      2. 7.4.2 强制连续导通模式
  9. 8 对寄存器进行编程
    1. 8.1 寄存器映射
      1. 8.1.1  OPERATION（地址 = 01h）
      2. 8.1.2  ON_OFF_CONFIG（地址 = 02h）
      3. 8.1.3  CLEAR_FAULTS（地址 = 03h）
      4. 8.1.4  WRITE_PROTECT（地址 = 10h）
      5. 8.1.5  STORE_USER_ALL（地址 = 15h）
      6. 8.1.6  RESTORE_USER_ALL（地址 = 16h）
      7. 8.1.7  CAPABILITY（地址 = 19h）
      8. 8.1.8  VOUT_MODE（地址 = 20h）
      9. 8.1.9  VOUT_COMMAND（地址 = 21h）
      10.      57
      11. 8.1.10 VOUT_MARGIN_HIGH（地址 = 25h）
      12. 8.1.11 VOUT_MARGIN_LOW（地址 = 26h）
      13. 8.1.12 VOUT_TRANSITION_RATE（地址 = 27h）
      14. 8.1.13 61
      15. 8.1.14 VOUT_SCALE_LOOP（地址 = 29h）
      16. 8.1.15 FREQUENCY_SWITCH（地址 = 33h）
      17. 8.1.16 64
      18. 8.1.17 VOUT_OV_FAULT_RESPONSE（地址 = 41h）
      19. 8.1.18 VOUT_UV_FAULT_RESPONSE（地址 = 45h）
      20. 8.1.19 IOUT_OC_FAULT_LIMIT（地址= 46h）
      21.      68
      22. 8.1.20 TON_DELAY（地址 = 60h）
      23. 8.1.21 TON_RISE（地址 = 61h）
      24.      71
      25. 8.1.22 TOFF_DELAY（地址 = 64h）
      26. 8.1.23 TOFF_FALL（地址 = 65h）
      27. 8.1.24 STATUS_BYTE（地址 = 78h）
      28. 8.1.25 STATUS_WORD（地址= 79h）
      29. 8.1.26 STATUS_CML（地址 = 7Eh）
      30. 8.1.27 STATUS_MFR_SPECIFIC（地址 = 80h）
      31. 8.1.28 READ_VOUT（地址 = 8Bh）
      32. 8.1.29 READ_IOUT（地址 = 8Ch）
      33. 8.1.30 READ_TEMP1 寄存器（地址 = 8Dh）
      34. 8.1.31 PMBUS_REVISION（地址 = 98h）
      35. 8.1.32 MFR_ID（地址 = 99h）
      36. 8.1.33 MFR_MODEL（地址 = 9Ah）
      37. 8.1.34 MFR_REVISION（地址 = 9Bh）
      38. 8.1.35 IC_DEVICE_ID（地址 = ADh）
      39. 8.1.36 IC_DEVICE_REV（地址 = AEh）
      40. 8.1.37 SYS_CFG_USER1 寄存器（地址 = D1h）
      41. 8.1.38 PASSKEY（地址 = D2h）
      42. 8.1.39 COMP（地址 = D4h）
      43.      90
      44. 8.1.40 VBOOT（地址 = D5h）
      45.      92
      46. 8.1.41 NVM_CHECKSUM（地址 = D9h）
      47. 8.1.42 FUSION_ID0（地址 = FCh）
      48. 8.1.43 FUSION_ID1（地址 = FDh）
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 输出电压设定点
        2. 9.2.2.2 选择开关频率
        3. 9.2.2.3 选择电感器
        4. 9.2.2.4 选择输出电容器
        5. 9.2.2.5 选择输入电容器 (CIN)
        6. 9.2.2.6 VCC 旁路电容器
        7. 9.2.2.7 BOOT 电容器
        8. 9.2.2.8 PG 上拉电阻器
        9. 9.2.2.9 选择 PMBus® 地址和故障恢复模式
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
      3. 9.4.3 TI EVM 上的热性能
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.1.38 PASSKEY（地址 = D2h）

PASSKEY 在图 8-35 中展示并在表 8-44 中进行介绍。

返回到汇总表。

写入事务：写入块（1 字节）
读取事务：读取块（3 字节）
数据格式：无符号二进制（1 字节）
NVM 备份：EEPROM
更新：动态密钥让客户能够使用用户编程的 8 位值锁定对 (15h) STORE_USER_ALL 和 (10h) WRITE_PROTECT 的访问权限。读取时，PASSKEY 将返回 3 字节，其上两个字节镜像 NVM_CHECKSUM，最低字节反映当前 PASSKEY 状态。解锁后，PASSKEY 的最低字节会读回 00h。当在上电复位或 RESTORE_USER_ALL 后解锁 PASSKEY 时：
非易失性存储器解锁。WRITE_PROTECT 解锁且可写。STORE_USER_ALL 正常工作。读取 PASSKEY 将返回 00h。写入操作将更新 PASSKEY，但该值必须通过 STORE_USER_ALL 存储至 NVM 方能生效。当在上电复位或 RESTORE_USER_ALL 后锁定 PASSKEY 时：
非易失性存储器锁定。STORE_USER_ALL 和 WRITE_PROTECT 将被 NACK，并返回“UNSUPPORTED or INVALID DATA”。
PASSKEY 读取将报告值：
– 10h（若解锁 PASSKEY 时未发生无效尝试）
– 11h（若解锁 PASSKEY 时发生一次无效尝试）
– 12h（若解锁 PASSKEY 时发生两次无效尝试）
– 1Fh（若解锁 PASSKEY 时发生三次或更多无效尝试）。执行 RESTORE_USER_ALL 时，无效访问尝试计数器将保留其值。无效访问尝试计数器仅在上电复位后清零。设置 PASSKEY 后，写入不正确的值将使计数器按上述规则递增。在 3 次错误尝试后，后续写入尝试虽会收到 ACK，但不会置位任何 STATUS 位，且 PASSKEY 将保持锁定，即使随后写入匹配的 PASSKEY 值也无法解锁。如果写入的数据与 PASSKEY 匹配，且无效尝试次数少于三次，则 PASSKEY 将可读回当前 PASSKEY 值，并可用新值覆写（包括 00h，写入该值将使器件保持解锁状态）。无效尝试计数器将复位为 0。STORE_USER_ALL 和 WRITE_PROTECT 将允许写入访问。

图 8-35 PASSKEY
76543210
PASSKEY
R/W-XXh
表 8-44 PASSKEY 字段说明
位字段类型复位说明
7-0PASSKEYR/WX请参阅上述寄存器说明。