ZHDS187G March   2008  – June 2020 TPS40210 , TPS40211

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  软启动
      2. 7.3.2  BP 稳压器
      3. 7.3.3  关断（DIS/EN 引脚）
      4. 7.3.4  最小导通时间和关断时间注意事项
      5. 7.3.5  设置振荡器频率
      6. 7.3.6  同步振荡器
      7. 7.3.7  电流检测和过流
      8. 7.3.8  电流检测和次谐波不稳定性
      9. 7.3.9  电流检测滤波
      10. 7.3.10 控制环路注意事项
      11. 7.3.11 栅极驱动电路
      12. 7.3.12 TPS40211
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 在最低输入电压附近工作
      2. 7.4.2 通过 DIS/EN 引脚实现运行
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 12V 至 24V 非同步升压稳压器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1  使用 WEBENCH 工具定制设计方案
          2. 8.2.1.2.2  占空比估算
          3. 8.2.1.2.3  电感器选型
          4. 8.2.1.2.4  整流器二极管选型
          5. 8.2.1.2.5  输出电容器选型
          6. 8.2.1.2.6  输入电容器选型
          7. 8.2.1.2.7  电流检测和电流限制
          8. 8.2.1.2.8  电流检测滤波器
          9. 8.2.1.2.9  开关 MOSFET 选型
          10. 8.2.1.2.10 反馈分压电阻器
          11. 8.2.1.2.11 误差放大器补偿
          12. 8.2.1.2.12 RC 振荡器
          13. 8.2.1.2.13 软启动电容器
          14. 8.2.1.2.14 稳压器旁路
          15. 8.2.1.2.15 物料清单
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 12V 输入、700mA LED 驱动器，高达 35V 的 LED 灯串
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
      2.      66
      3. 11.1.2 相关器件
      4. 11.1.3 开发支持
        1. 11.1.3.1 使用 WEBENCH 工具定制设计方案
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 相关链接
    4. 11.4 接收文档更新通知
    5. 11.5 支持资源
    6. 11.6 商标
    7. 11.7 静电放电警告
    8. 11.8 术语表
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1.     79

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DRC|10
  • DGQ|10
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
8.2.1.2.9 开关 MOSFET 选型

TPS40210 驱动以接地为基准的 N 沟道 FET。RDS(on) 和栅极电荷根据所需的效率目标进行估算。

方程式 53. TPS40210 TPS40211

为了在 24V 输入电压和 2A 电流下实现 95% 效率的目标，最大功率耗散限制为 2.526W。主要功耗器件包括 MOSFET、电感器、二极管、电流检测电阻器和集成电路 TPS40210。

方程式 54. TPS40210 TPS40211

由此，分配给 MOSFET 的功耗余量为 812mW。该功耗可能导致 SO-8 MOSFET 过热，因此将功耗限制为 500mW。将损耗均分为导通损耗和开关损耗两部分，可通过方程式 55 和方程式 56 计算 MOSFET 的目标 RDS(on) 和 QGS。

方程式 55. TPS40210 TPS40211

经计算，MOSFET 栅源电荷目标值应小于 13.0nC，以确保开关损耗不超过 250mW。

方程式 56. TPS40210 TPS40211

经计算，MOSFET 目标 RDS(on) 应设为 9.9mΩ，以将导通损耗限制在 250mW 以内。在评估 30V 和 40V MOSFET 后，我们选择了 Si4386DY 9mΩ MOSFET。根据方程式 30 添加了栅极电阻器。Si4386DY 在 VGS= 8V 时最大栅极电荷为 33.2nC，这意味着 RG = 3.3Ω。