ZHDS187G March 2008 – June 2020 TPS40210 , TPS40211
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
采用低正向压降肖特基二极管作为整流二极管,以降低其功率耗散并提高效率。考虑开关节点电压振铃,对 VOUT 做 80% 降额设计,整流二极管的最小反向击穿电压由方程式 41 计算得出。

二极管的反向击穿电压必须大于 30V。整流二极管的峰值电流和平均电流可通过方程式 42 和方程式 43 估算。


二极管中的功率耗散通过方程式 44 进行估算。

对于此设计,最大功率耗散估算为 1W。在考虑 30V 和 40V 肖特基二极管时,选择了采用 SMC 封装的 40V 3A 规格 MBRS340T3 二极管。该二极管在 6A 电流下正向压降为 0.48 V,因此导通功耗约 960mW,小于其额定功耗的一半。