ZHCSLL3B March   2022  – March 2026 TPS3760-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输入电压 (VDD)
        1. 7.3.1.1 欠压锁定 (VPOR < VDD < UVLO)
        2. 7.3.1.2 上电复位 (VDD < VPOR)
      2. 7.3.2 SENSE
        1. 7.3.2.1 SENSE 迟滞
      3. 7.3.3 输出逻辑配置
        1. 7.3.3.1 开漏
        2. 7.3.3.2 推挽
        3. 7.3.3.3 高电平有效 (RESET)
        4. 7.3.3.4 低电平有效 (RESET)
      4. 7.3.4 用户可编程复位延时时间
        1. 7.3.4.1 复位延时时间配置
      5. 7.3.5 用户可编程检测延迟
        1. 7.3.5.1 检测延时时间配置
      6. 7.3.6 手动 RESET (CTR/MR) 输入
      7. 7.3.7 RESET 锁存模式
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 可调电压阈值
    3. 8.3 典型应用
      1. 8.3.1 设计 1：非电池电源监控
        1. 8.3.1.1 设计要求
        2. 8.3.1.2 详细设计过程
        3. 8.3.1.3 应用曲线
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 功率损耗和器件运行
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
      3. 8.5.3 爬电距离
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件命名规则
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.8 典型特性

典型特性显示了 TPS3760-Q1 器件的典型性能。测试条件为 TA = 25°C，RPU = 100kΩ，CLoad = 50pF（除非另有说明）。

TPS3760-Q1 TCTR 与 CCTR 间的关系图 6-4 TCTR 与 CCTR 间的关系
TPS3760-Q1 VDD 与 IDD 间的关系（RESET = 高电平，VIT = 2.7V）
RESET = 高电平，VIT = 2.7V
图 6-6 VDD 与 IDD 间的关系（RESET = 高电平，VIT = 2.7V）
TPS3760-Q1 VDD 与 IDD 间的关系（RESET = 高电平，VIT = 0.8V）
RESET = 高电平，VIT = 0.8V
图 6-8 VDD 与 IDD 间的关系（RESET = 高电平，VIT = 0.8V）
TPS3760-Q1 VSENSE 与 ISENSE 间的关系
VDD = 2.7V
图 6-10 VSENSE 与 ISENSE 间的关系
TPS3760-Q1 开漏低电平有效 VOL 与 IRESET 间的关系
VDD = 2.7V
图 6-12 开漏低电平有效 VOL 与 IRESET 间的关系
TPS3760-Q1 开漏高电平有效 VOL 与 IRESET 间的关系
VDD = 2.7V
图 6-14 开漏高电平有效 VOL 与 IRESET 间的关系
TPS3760-Q1 推挽高电平有效 VOL 与 IRESET 间的关系
VDD = 2.7V
图 6-16 推挽高电平有效 VOL 与 IRESET 间的关系
TPS3760-Q1 开漏低电平有效 VOL 与 VDD 间的关系
图 6-18 开漏低电平有效 VOL 与 VDD 间的关系
TPS3760-Q1 推挽低电平有效 VOL 与 VDD 间的关系
图 6-20 推挽低电平有效 VOL 与 VDD 间的关系
TPS3760-Q1 推挽低电平有效 VOH 与 VDD 间的关系
图 6-22 推挽低电平有效 VOH 与 VDD 间的关系
TPS3760-Q1 TCTS 与 CCTS 间的关系图 6-5 TCTS 与 CCTS 间的关系
TPS3760-Q1 VDD 与 IDD 间的关系（RESET = 低电平，VIT = 2.7V）
RESET = 低电平，VIT = 2.7V
图 6-7 VDD 与 IDD 间的关系（RESET = 低电平，VIT = 2.7V）
TPS3760-Q1 VDD 与 IDD 间的关系（RESET = 低电平，VIT = 0.8V）
RESET = 低电平，VIT = 0.8V
图 6-9 VDD 与 IDD 间的关系（RESET = 低电平，VIT = 0.8V）
TPS3760-Q1 VSENSE 与 ISENSE 间的关系
VDD = 65V
图 6-11 VSENSE 与 ISENSE 间的关系
TPS3760-Q1 开漏低电平有效 VOL 与 IRESET 间的关系
VDD = 65V
图 6-13 开漏低电平有效 VOL 与 IRESET 间的关系
TPS3760-Q1 开漏高电平有效 VOL 与 IRESET 间的关系
VDD = 65V
图 6-15 开漏高电平有效 VOL 与 IRESET 间的关系
TPS3760-Q1 推挽高电平有效 VOL 与 IRESET 间的关系
VDD = 65V
图 6-17 推挽高电平有效 VOL 与 IRESET 间的关系
TPS3760-Q1 开漏高电平有效 VOL 与 VDD 间的关系
图 6-19 开漏高电平有效 VOL 与 VDD 间的关系
TPS3760-Q1 推挽高电平有效 VOL 与 VDD 间的关系
图 6-21 推挽高电平有效 VOL 与 VDD 间的关系
TPS3760-Q1 推挽高电平有效 VOH 与 VDD 间的关系
图 6-23 推挽高电平有效 VOH 与 VDD 间的关系